《集成电路工艺原理》课程考试试题.docx

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1、集成电路工艺原理课程考试试题一 学年第.学期 班级时量：100分钟,总分100分,考试形式：开卷一、填空题（共12分，共6题，每题2分）1、集成度是指每个 上的。2、摩尔定律：IC的集成度将 翻一番。年创造硅基集成电路。3、在硅的热氧化中，有 种氧化方式，氧化温度通常在 以上。4、不同晶向的硅片,它的化学、电学和机械性质,这会影响 o5、RIE的意思是, BPSG的意思是 o6、LOCOS的意思是, LDD的意思是。二、简答题（共56分）1、影响二氧化硅热生长的因素有哪些？ （8分）2、为什么要进行离子注入的退火？ （8分）3、请简要回答光刻的8个基本步骤。（8分）4、请回答刻蚀的概念及刻蚀的

2、工艺目的。（8分）5、请简要描述化学气相沉积CVD的概念，并写出LPCVD Si3W的化学反响式及沉积温度 （注：使用二氯二氢硅SiH2cb和氨气N%沉积）。（8分）6、请描述溅射过程（6个基本步骤）（8分）7、在“现代先进的0.18|imCMOS集成电路工艺技术”中，轻掺杂漏和侧墙的工艺目的是什么？ 画图示意轻掺杂漏、侧墙、源漏注入的形成。（8分）三、计算题（共14分）1、某台分步重复光刻机的紫外光源的波长为365nm、其光学系统的数值孔径为0.71, 试计算该设备光刻图像连续保持清晰的范围。（7分）2、某台离子注入机的束斑为2.5cm2、束流为2.5mA、注入时间为1.6ms,试计算硼离 子（B+）注入剂量。（注：电子电荷q= 1.6x10-19库仑）。分）四、画图题（共18分）在“早期基本的3.0（im CMOS集成电路工艺技术”中，有7大工艺步骤：1）双阱工艺；2） LOCOS隔离工艺；3）多晶硅栅结构工艺；4）源/漏（S/D）注入工艺；5）金属互连的形成；6） 制作压点及合金；7）参数测试。请写出其中的双阱工艺和LOCOS隔离工艺的具体工艺流程，并画出双阱工艺和LOCOS隔 离工艺所对应的器件制作剖面图及其对应的幅员（注意：幅员要标出亮区或暗区；剖面图要标出 各区名称）。