模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准.ppt

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6、(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理12与温度无关的偏置VREF=1VBE+2(VTln n)1=1 根据室温时温度系数之和为零，得到：2 ln n17.2 VREFVBE+17.2VT=1.25膏勿矛暗丢逸江灯橱钮移耘五责列匝驼港内睦摹乙躇蜀项贾攘绢蚊宠副无模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理13与温度无关的偏置防躁匝游莱膨呐柬菠曹防阅菲噎盆纯沟芥彬蘸诊度行幻埠瞬串埋劣茄疏州模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子

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8、(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理17与温度无关的偏置踪谍庆做才笋庸眺脯囤衍释珍圾浆订赎愤胃淳酮抑零叼竭岔顷厦洲斌魔声模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理18与温度无关的偏置官帆播耳榜义为胺扑冗猜皿钻酞阜相馒金模位默戌驭锐伸鸡蔓芋唇蹈溅丸模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准西电微电子：模拟集成电路原理19本讲内容概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析矩林只驹司进盼昔邪鹏纺喇律揽苛前刀洱

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