探针方法测量半导体的电阻率精.ppt
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1、探针方法测量半导体的电阻率第1页,本讲稿共22页一实验目的一实验目的二实验原理二实验原理三仪器结构特征三仪器结构特征四操作步骤四操作步骤五注意事项五注意事项六技术参数六技术参数第2页,本讲稿共22页 实验目的实验目的1、理解四探针方法测量半导体电阻率的原理;2、学会用四探针方法测量半导体电阻率。第3页,本讲稿共22页 实验原理实验原理1、体电阻率测量:、体电阻率测量:四探针法测量原理图 当、四根金属探针排成一直线时,并以一定压力压在半导体材料上,在、两处探针间通过电流I,则、探针间产生电位差V。第4页,本讲稿共22页材料电阻率式中:S1、S2、S3分别为探针与,与,与之间距,用cm为单位时的值
2、,S1=S2=S3=1mm.每个探头都有自己的系数。C6.280.05单位cm。若若电电流取流取I=C 时时,则则V,可由数字,可由数字电压电压表直接表直接读读出。出。探针系数(1)(2)第5页,本讲稿共22页(a)块状和棒状样品体电阻率测量:由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较,合乎于半无限大的边界条件,电阻率值可以直接由()、()式求出。第6页,本讲稿共22页(b)簿片电阻率测量 簿片样品因为其厚度与探针间距比较,不能忽略,测量时要提供样品的厚度形状和测量位置的修正系数。第7页,本讲稿共22页电阻率值可由下面公式得出:式中:0 为块状体电阻率测量值;W:为样品厚度(um);S:探针间距
3、(mm);G(W/S)为样品厚度修正函数,可由附录IA或附录1B查得;D(d/S)为样品形状和测量位置的修正函数,可由附录查得。W/S0.5时,实用。当圆形硅片的厚度满足W/S0.5时,电阻率为:第8页,本讲稿共22页2、带扩散层的方块电阻测量、带扩散层的方块电阻测量 当半导体薄层尺寸满足于半无限大时:若取I 4.53 I0,I0为该电流量程满度值,则R0值可由数字表中直接读出的数乘上10后得到。第9页,本讲稿共22页 仪器结构特征仪器结构特征数字式四探针测试仪主体部分由高灵敏度直流数字电压表、恒流源、电源、DC-DC电源变换器组成。为了扩大仪器功能及方便使用,还设立了单位、小数点自动显示电路
4、、电流调节、自校电路和调零电路。第10页,本讲稿共22页仪器电源经过DC-DC变换器,由恒流源电路产生一个高稳定恒定直流电流,其量程为10A、100A、1mA、10mA、100mA,数值连续可调,输送到、探针上,在样品上产生一个电位差,此直流电压信号由、探针输送到电气箱内。具有高灵敏度、高输入阻抗的直流放大器中将直流信号放大(放大量程有0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V),再经过双积分A/D变换将模拟量变换为数字量,经由计数器、单位、小数点自动转换电路显示出测量结果。第11页,本讲稿共22页为克服测试时探针与样品接触时产生的接触电势和整流效应的影响。本仪器设立有“粗调”、“细调”调
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- 探针 方法 测量 半导体 电阻率
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