微电子学概论章精.ppt
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1、微电子学概论章第1页,本讲稿共26页第三章第三章 VLSI VLSI基础基础3.1 IC(Integrated Circuit)概述3.2 双极型集成电路基础3.3 MOS集成电路基础第2页,本讲稿共26页第三章第三章 VLSI VLSI基础基础3.1 IC(Integrated Circuit)概述集成度,特征尺寸,芯片(Chip),圆片(wafer)功耗,延迟时间,可靠性定义:在半导体或其他基板上制作含有多个器件的电路系统。结构,成品率第3页,本讲稿共26页IC历史1947 晶体管发明 1952 IC设想1958 IC诞生1962 DTL,TTL,MOS1968 MOS存储器 1971 微
2、处理器1978 64kRAM 10万Tr VLSI 1985 1M DRAM 225万Tr VLSI 目前 0.18微米,CMOS技术,1G(109 Tr)第4页,本讲稿共26页3.2 双极集成基础3.2.1双极型集成电路中的晶体管Aln-Si ipEBCn+p p+p+n+n+隐埋层隐埋层隔离区第5页,本讲稿共26页平面图ECBBp型衬底隐埋层(n+)外延,生长n层隔离(P+)硼扩散(基区)磷扩散(e,c)引线孔Al引线第6页,本讲稿共26页双极型晶体管特性VceIce饱和线性截止第7页,本讲稿共26页双极型晶体管特性共发射极电流增益 集电极-发射极反向饱和电流 Iceo 基极-发射极反向饱
3、和电流 Ibeo 集电极-基极反饱和电流 Icbo集电极-发射极击穿电压 BVceo 特征频率 fT 最大耗散功率 Pmax第8页,本讲稿共26页RTL电路ABVoutVH=1V,VL=0.2V 速度慢,逻辑摆幅小,抗干扰差Vcc第9页,本讲稿共26页TTL电路多发射极输入VoutVH=1.4V,VL=0.2V,T1的抽取作用使截止速度提高 在T3并联达林顿,提高输出能力,成为5管结构 T1 T2 T3 T4Vcc=5V第10页,本讲稿共26页典型双极型门电路的特性比较门电路结构延时(ns)功耗(mW)逻辑摆幅(V)评价TTL普通10103一般STTL肖特基钳位抗饱和3203高速LSTTL肖特
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- 微电子学 概论
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