低频电子线路学习重点优秀PPT.ppt

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1、低频电子线路学习重点第1页，本讲稿共12页3、分析方法、分析方法（1）图解法）图解法（2）折线近似法）折线近似法 理想二极管模型理想二极管模型 恒压降模型恒压降模型 4、关于门限电压、关于门限电压UrUD0,二极管正向导通，但只是大于门限电压，电流才二极管正向导通，但只是大于门限电压，电流才明显增长。明显增长。硅管硅管Ur0.6V，锗管，锗管Ur0.2V，第2页，本讲稿共12页二、晶体三极管二、晶体三极管1、工作状态、工作状态（1）放大状态）放大状态（2）截止状态）截止状态（2）饱和状态）饱和状态2、放大状态时电流分配关系、放大状态时电流分配关系第3页，本讲稿共12页同一个电流传输过程，不同的

2、描述方式。同一个电流传输过程，不同的描述方式。三、场效应管三、场效应管1、工作状态、工作状态（1）恒流状态）恒流状态（2）截止状态）截止状态（2）可变电阻状态）可变电阻状态第4页，本讲稿共12页2、场效应管类型、场效应管类型（1）N沟道、沟道、P沟道沟道 (2)结型、增强型、耗尽型结型、增强型、耗尽型3、恒流区的伏安关系、恒流区的伏安关系（1）增强型）增强型（2）耗尽型）耗尽型(3)结型结型或或 第5页，本讲稿共12页1-5 1-5 判断管脚、管型及材料判断管脚、管型及材料解：已知工作在放大状态：解：已知工作在放大状态：根据发射结正偏，集电结反偏。由发射结确定集电极。根据发射结正偏，集电结反偏

3、。由发射结确定集电极。电极电极晶体管晶体管 VT1 VT1 7V 7V 1.8V 1.8V 2.5V 2.5V VT2 VT2 -2.9V -2.9V -3.1V -3.1V -8.2V -8.2V VT3 VT3 7V 7V 1.8V 1.8V 6.3V 6.3V （1）VT1 是集电极，电位最高，是集电极，电位最高，NPN型。型。发射极发射极，电位最低，电位最低，基极。基极。发射结电压发射结电压0.7V，硅材料。，硅材料。第6页，本讲稿共12页 电极电极晶体管晶体管 VT1 VT1 7V 7V 1.8V 1.8V 2.5V 2.5V VT2 VT2 -2.9V -2.9V -3.1V -3

4、.1V -8.2V -8.2V VT3 VT3 7V 7V 1.8V 1.8V 6.3V 6.3V（2）VT2 集电极，电位最低，集电极，电位最低，PNP型型发射极，发射极，电位最高，电位最高，基极基极 发射结电压发射结电压0.2V，锗材料，锗材料（3）VT3集电极集电极 电位最低，电位最低，PNP型型发射极，电位最高，发射极，电位最高，基极基极 发射机电压发射机电压0.7V,硅材料硅材料第7页，本讲稿共12页例例1-1填空题填空题在晶体管内部众多的载流子中，仅有发射区的在晶体管内部众多的载流子中，仅有发射区的到基到基区，成为基区的区，成为基区的，它们在基区由于，它们在基区由于_引起它们在引起

5、它们在基区基区，直到集电结边界，由于集电结，直到集电结边界，由于集电结的作用，的作用，而被集电区而被集电区。这一传输过程产生了三极管的正向受控电。这一传输过程产生了三极管的正向受控电流。流。结型场效应管得结型场效应管得D、S极之间存在导电沟道，导电沟道的宽窄受极之间存在导电沟道，导电沟道的宽窄受_极电压控制，从而控制了极电压控制，从而控制了_极的电流。当极的电流。当D极一端导极一端导电沟道消失，称为电沟道消失，称为_夹断，这时夹断，这时_极电流只受极电流只受_电压电压控制，场效应管实现正向受控。控制，场效应管实现正向受控。第8页，本讲稿共12页例例1-2 1-2 测得某电路中场效应管三个电极的

6、电位如表所示，开启测得某电路中场效应管三个电极的电位如表所示，开启电压或夹断电压也如表中所示，试判断管子的类型和工作状态。电压或夹断电压也如表中所示，试判断管子的类型和工作状态。管号管号U UGS(th)GS(th)/V/V或或U UGS(off)GS(off)/V/VU Us s/V/VU UG G/V/VU UD D/V/V管型管型工作状态工作状态结结型型VT1VT1 3 3 1 13 3-10-10VT2VT2 -3-3 3 3-1-11010MOSMOSVT3VT3 -4 -4 5 50 0-5-5VT4VT4 4 4 -2 -23 3-1.2-1.2VT5VT5 -3 -3 0 00

7、 01010解：根据场效应管的转移特性曲线，判断是否截止，根据解：根据场效应管的转移特性曲线，判断是否截止，根据U UDSDS判断导电沟道，判断导电沟道，U UDSDS 0,N 0,N沟道，沟道，U UDSDS 0,P 0,P沟道。沟道。第9页，本讲稿共12页管号管号U UGS(th)GS(th)/V/V或或U UGS(off)GS(off)/V/VU Us s/V/VU UGG/V/VU UDD/V/V管型管型工作状态工作状态结型结型VT1VT1 3 3 1 13 3-10-10VT2VT2 -3-3 3 3-1-11010MOSMOSVT3VT3 -4 -4 5 50 0-5-5VT4VT

8、4 4 4 -2 -23 3-1.2-1.2VT5VT5 -3 -3 0 00 01010IDVGSOVGS(th)IDVGSOVGS(th)IDVGSOVGS(th)IDVGSOVGS(th)VGS(off)ID/mAVGS/VOIDSS(N 沟道沟道 JFET)ID/mAVGS/VOIDSSVGS(off)(P 沟道沟道 JFET)第10页，本讲稿共12页例例1-3判断结型场效应管的工作状态判断结型场效应管的工作状态第11页，本讲稿共12页1-231-23IDUGSO-3V 没有夹断，不在截止没有夹断，不在截止区。区。UGD=3V=3V，已经预夹断，已经预夹断，工作在放大区。工作在放大区。IDUGSO2V UBS0，正常工作。，正常工作。没有夹断，不在截止区。没有夹断，不在截止区。UGD=6V=6V，没有预夹断，没有预夹断，工作在可变电阻区。工作在可变电阻区。第12页，本讲稿共12页