材料分析测试技术课件第十二章精.ppt

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1、材料分析测试技术课件第十二章第1页，本讲稿共31页 扫描电子显微镜的成像原理和透射电子显微镜完全不同。它不用电磁透镜放大成像，而是以类似电视摄影显像的方式，利用细聚焦电子束在样品表面扫描时激发出来的各种物理信号来调制成像的。新式扫描电子显微镜的二次电子像的分辨率已达到34nm，放大倍数可从数倍原位放大到20万倍左右。由于扫描电子显微镜的景深远比光学显微镜大，可以用它进行显微断口分析。用扫描电子显微镜观察断口时，样品不必复制，可直接进行观察，这给分析带来极大的方便。因此，目前显微断口的分析工作大都是用扫描电子显微镜来完成的。由于电子枪的效率不断提高，使扫描电子显微镜的样品室附近的空间增大，可以装

2、入更多的探测器。因此，目前的扫描电子显微镜不只是分析形貌像，它可以和其它分析仪器相组合，使人们能在同一台仪器上进行形貌、微区成分和晶体结构等多种微观组织结构信息的同位分析。第2页，本讲稿共31页12-1 电子束与固体样品作用时产生的信号样品在电子束的轰击下会产生图12-1所示的各种信号。1背散射电子 背散射电子是被固体样品中的原子核反弹回来的一部分入射电子，其中包括弹性背散射电子和非弹性背散射电子。弹性背散射电子是指被样品中原子核反弹回来的，散射角大于90的那些入射电子，其能量没有损失(或基本上没有损失)。由于入射电子的能量很高，所以弹性背散射电子的能量能达到数千到数万电子伏。非弹性背散射电子

3、是入射电子和样品核外电子撞击后产生的非弹性散射，不仅方向改变，能量也有不同程度的损失。如果有些电子经多次散射后仍能反弹出样品表面，这就形成非弹性背散射电子。非弹性背散射电子的能量分布范围很宽，从数十电子伏直到数千电子伏。从数量上看，弹性背散射电子远比非弹性背散射电子所占的份额多。背散射电子来自样品表层几百纳米的深度范围。由于它的产额能随样品原子序数增大而增多，所以不仅能用作形貌分析，而且可以用来显示原子序数衬度，定性地用作成分分析。第3页，本讲稿共31页 2二次电子 在人射电子束作用下被轰击出来并离开样品表面的样品的核外电子叫做二次电子。这是一种真空中的自由电子。由于原子核和外层价电子间的结合

4、能很小，因此外层的电子比较容易和原子脱离，使原子电离。一个能量很高的入射电子射人样品时，可以产生许多自由电子，这些自由电子中90是来自样品原子外层的价电子。二次电子的能量较低，一般都不超过8X10-19J(50 eV)。大多数二次电子只带有几个电子伏的能量。在用二次电子收集器收集二次电子时，往往也会把极少量低能量的非弹性背散射电子一起收集进去。事实上这两者是无法区分的。二次电子一般都是在表层510 nm深度范围内发射出来的，它对样品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效地显示样品的表面形貌。二次电子的产额和原子序数之间没有明显的依赖关系，所以不能用它来进行成分分析。第4页，本讲稿共31页3吸收电

5、子 入射电子进入样品后，经多次非弹性散射能量损失殆尽(假定样品有足够的厚度没有透射电子产生)，最后被样品吸收。若在样品和地之间接人一个高灵敏度的电流表，就可以测得样品对地的信号，这个信号是由吸收电子提供的。假定入射电于电流强度为i0背散射电子流强度为ib，二次电子流强度为is，则吸收电子产生的电流强度为ia=i0-（ib+is）。由此可见，入射电子束和样品作用后，若逸出表面的背散射电子和二次电子数量越少，则吸收电子信号强度越大。若把吸收电子信号调制成图像，则它的衬度恰好和二次电子或背散射电子信号调制的图像衬度相反。当电子束入射一个多元素的样品表面时，由于不同原子序数部位的二次电子产额基本上是相

6、同的，则产生背散射电子较多的部位(原子序数大)其吸收电子的数量就较少，反之亦然。因此，吸收电子能产生原子序数衬度，同样也可以用来进行定性的微区成分分析。第5页，本讲稿共31页 4透射电子 如果被分析的样品很薄，那么就会有一部分入射电子穿过薄样品而成为透射电子。这里所指的透射电子是采用扫描透射操作方式对薄样品成像和微区成分分析时形成的透射电子。这种透射电子是由直径很小(10 nm)的高能电子束照射薄样品时产生的，因此，透射电子信号是由微区的厚度、成分和晶体结构来决定。透射电子中除了有能量和入射电子相当的弹性散射电子外，还有各种不同能量损失的非弹性散射电子，其中有些遭受特征能量损失E的非弹性散射电

7、子(即特征能量损失电子)和分析区域的成分有关，因此，可以利用特征能量损失电子配合电子能量分析器来进行微区成分分析。综上所述，如果使样品接地保持电中性，那么入射电子激发固体样品产生的四种电子信号强度与入射电子强度之间必然满足以下关系 ib+is+ia+it=i0 （12-1）式中 ib背散射电子信号强度；is二次电子信号强度；ia吸收电子（或样品电流）信号强度；it投射电子信号强度。第6页，本讲稿共31页或把（12-1）式改写为 +=1 （12-2）式中 =ib/i0，叫做背散射系数；=is/i0，叫做二次电子产额（或发射系数）；=ia/i0，叫做吸收系数；=it/i0，叫做透射系数。对于给定的

8、材料，当入射电子能量和强度一定时，上述四项系数与样品质量厚度之间的关系，如图12-2所示。从图上可看到，随样品质量厚度t的增大，透射系数下降，而吸收系数增大。当样品厚度超过有效穿透深度后，透射系数等于零。这就是说，对于大块试样，样品同一部位的吸收系数，背散射系数和二次电子发射系数三者之间存在互补关系。背散射电子信号强度，二次电子信号强度和吸收电子信号强度分别与和成正比，但由于二次电子信号强度与样品原子序数没有确定的关系，因此可以认为，如果样品微区背散射电子信号强度大，则吸收电子信号强度小，反之亦然。第7页，本讲稿共31页 5特征X射线 当样品原子的内层电子被入射电子激发或电离时，原子就会处于能

9、量较高的激发状态，此时外层电子将向内层跃迁以填补内层电子的空缺，从而使具有特征能量的X射线释放出来(见1-4X射线谱)。根据莫塞莱定律，如果我们用X射线探测器测到了样品微区中存在某一种特征波长，就可以判定这个微区中存在着相应的元素。6俄歇电子 在入射电子激发样品的特征X射线过程中，如果在原子内层电子能级跃迁过程中释放出来的能量并不以X射线的形式发射出去，而是用这部分能量把空位层内的另一个电子发射出去(或使空位层的外层电子发射出去)，这个被电离出来的电子称为俄歇电子(见1-5X射线与物质的相互作用)。因为每一种原子都有自己的特征壳层能量，所以其俄歇电子能量也各有特征值。俄歇电子的能量很低，一般位

10、于8X10-19240Xl0-19J(50-1 500eV)范围内。俄歇电子的平均自由程很小(1 nm左右)，因此在较深区域中产生的俄歇电子在向表层运动时必然会因碰撞而损失能量，使之失去了具有特征能量的特点，而只有在距离表面层1 nm左右范围内(即几个原子层厚度)逸出的俄歇电子才具备特征能量，因此俄歇电子特别适用做表面层成分分析。除了上面列出的六种信号外，固体样品中还会产生例如阴极荧光、电子束感生效应等信号，经过调制后也可以用于专门的分析。第8页，本讲稿共31页12-2 12-2 扫描电子显微镜的构造和工作原理 扫描电子显微镜是由电子光学系统，信号收集处理，图象显示和记录系统，真空系统三个基本

11、部分组成。图12-3为扫描电子显微镜构造原理的方框图。第9页，本讲稿共31页 一、电子光学系统(镜筒)电子光学系统包括电子枪、电磁透镜、扫描线圈和样品室。1电子枪 扫描电子显微镜中的电子枪与透射电子显微镜的电子枪相似，只是加速电压比透射电子显微镜低。2电磁透镜 扫描电子显微镜中各电磁透镜都不作成像透镜用，而是作聚光镜用，它们的功能只是把电子枪的束斑(虚光源)逐级聚焦缩小，使原来直径约为50m的束斑缩小成一个只有数个纳米的细小斑点，要达到这样的缩小倍数，必须用几个透镜来完成。扫描电子显微镜一般都有三个聚光镜，前两个聚光镜是强磁透镜，可把电子束光斑缩小，第三个透镜是弱磁透镜，具有较长的焦距。布置这

12、个末级透镜(习惯上称之为物镜)的目的在于使样品室和透镜之间留有一定的空间，以便装入各种信号探测器。扫描电子显微镜中照射到样品上的电子束直径越小，就相当于成像单元的尺寸越小，相应的分辨率就越高。采用普通热阴极电子枪时，扫描电子束的束径可达到 6nm左右。若采用六硼化镧阴极和场发射电子枪，电子束束径还可进一步缩小。第10页，本讲稿共31页 3扫描线圈 扫描线圈的作用是使电子束偏转，并在样品表面作有规则的扫动，电子束在样品上的扫描动作和显像管上的扫描动作保持严格同步，因为它们是由同一扫描发生器控制的。图12-4示出电子束在样品表面进行扫描的两种方式。进行形貌分析时都采用光栅扫描方式，见图12-4(a

13、)。当电子束进入上偏转线圈时，方向发生转折，随后又由下偏转线圈使它的方向发生第二次转折。发生二次偏转的电子束通过末级透镜的光心射到样品表面。在电子束偏转的同时还带有一个逐行扫描动作，电子束在上下偏转线圈的作用下，在样品表面扫描出方形区域，相应地在样品上也画出一帧比例图像。样品上各点受到电子束轰击时发出的信号可由信号探测器接收，并通过显示系统在显像管荧光屏上按强度描绘出来。如果电子束经上偏转线圈转折后未经下偏转线圈改变方向，而直接由末级透镜折射到入射点位置，这种扫描方式称为角光栅扫描或摇摆扫描,见图12-4(b)。入射束被上偏转线圈转折的角度越大，则电子束在入射点上摆动的角度也越大。在进行电子通

14、道花样分析时，我们将采用这种操作方式。第11页，本讲稿共31页二、信号的收集和图像显示系统 二次电子、背散射电子和透射电子的信号都可采用闪烁计数器来进行检测。信号电子进入闪烁体后即引起电离，当离子和自由电子复合后就产生可见光。可见光信号通过光导管送人光电倍增器，光信号放大，即又转化成电流信号输出，电流信号经视频放大器放大后就成为调制信号。如前所述，由于镜筒中的电子束和显像管中电子束是同步扫描的，而荧光屏上每一点的亮度是根据样品上被激发出来的信号强度来调制的，因此样品上各点的状态各不相同，所以接收到的信号也不相同，于是就可以在显像管上看到一幅反映试样各点状态的扫描电子显微图像。三、真空系统 ，为

15、保证扫描电子显微镜电子光学系统的正常工作，对镜筒内的真空度有一定的要求。一般情况下，如果真空系统能提供1.33X10-21.33X10-3pa（10-410-5mmHg）的真空度时，就可防止样品的污染。如果真空度不足，除样品被严重污染外，还会出现灯丝寿命下降，极间放电等问题。图12-5为TOPCON公司LS-780型扫描电镜外观图。第12页，本讲稿共31页第13页，本讲稿共31页12-3 扫描电子显微镜的主要性能一、分辨率 扫描电子显微镜分辨率的高低和检测信号的种类有关。表12-1列出了扫描电子显微镜主要信号的成像分辨率。表中的数据可以看出，二次电子和俄歇电子的分辨率高，而特征X射线调制成显微

16、图像的分辨率最低。不同信号造成分辨率之间差别的原因可用图12-6说明。电子束进入轻元素样品表面后会造成一个滴状作用体积。入射电子束在被样品吸收或散射出样品表面之前将在这个体积中活动。由图12-6可知，俄歇电子和二次电子因其本身能量较低以及平均自由程很短，只能在样品的浅层表面内逸出，在一般情况下能激发出俄歇电子的样品表层厚度约为052 nm，激发二次电子的层深为510 nm范围。入射电子束进入浅层表面时，尚未向横向扩展开来，因此，俄歇电子和二次电子只能在一个和入射第14页，本讲稿共31页电子束斑直径相当的圆柱体内被激发出来，因为束斑直径就是一个成像检测单元(像点)的大小，所以这两种电子的分辨率就

17、相当于束斑的直径。入射电子束进入样品较深部位时，向横向扩展的范围变大，从这个范围中激发出来的背散射电子能量很高，它们可以从样品的较深部位处弹射出表面，横向扩展后的作用体积大小就是背散射电子的成像单元，从而使它的分辨率大为降低。人射电子束还可以在样品更深的部位激发出特征X射线来。从图上X射线的作用体积来看，若用X射线调制成像，它的分辨率比背散射电子更低。因为图像分析时二次电子(或俄歇电子)信号的分辨率最高。所谓扫描电子显微镜的分辨率，即二次电子像的分辨率。应该指出的是电子束射人重元素样品中时，作用体积不呈滴状，而是半球状。电子束进入表面后立即向横向扩展，因此在分析重元素时，即使电子束的束斑很细小

18、，也不能达到较高的分辨率，此时二次电子的分辨率和背散射电子的分辨率之间的差距明显变小。由此可见，在其它条件相同的情况下(如信号噪音比、磁场条件及机械振动等)，电子束的束斑大小、检测信号的类型以及检测部位的原子序数是影响扫描电子显微镜分辨率的三大因素。第15页，本讲稿共31页 扫描电子显微镜的分辨率是通过测定图像中两个颗粒(或区域)间的最小距离来确定的。测定的方法是在已知放大倍数(一般在10万倍)的条件下，把在图像上测到的最小间距除以放大倍数所得数值就是分辨率。图12-7为用蒸镀金膜样品测定分辨率的照片。目前商品生产的扫描电子显微镜二次电子像的分辨率已优于5 nm。如日立公司的S-570型扫描电

19、镜的点分辨率为3.5 nm，而TOPCON公司的OSM-720型扫描电镜点分辨率为0.9 nm。第16页，本讲稿共31页 二、放大倍数 当入射电子束作光栅扫描时，若电子束在样品表面扫描的幅度为As，相应地在荧光屏上阴极射线同步扫描的幅度是Ac,Ac和As的比值就是扫描电子显微镜的放大倍数，即 M=Ac/As由于扫描电子显微镜的荧光屏尺寸是固定不变的，电子束在样品上扫描一个任意面积的矩形时，在阴极射线管上看到的扫描图像大小都会和荧光屏尺寸相同。因此我们只要减小镜筒中电子束的扫描幅度，就可以得到高的放大倍数，反之，若增加扫描幅度，则放大倍数就减小。例如荧光屏的宽度Ac=100 mm时，电子束在样品

20、表面扫描幅度As=5 mm，放大倍数M=20。如果As=0.05 mm，放大倍数就可提高到2000倍。90年代后期生产的高级扫描电子显微镜放大倍数可从数倍到80万倍左右。第17页，本讲稿共31页12-4 表面形貌衬度原理及其应用表面形貌衬度原理及其应用一、二次电子成像原理 二次电子信号主要用于分析样品的表面形貌。二次电子只能从样品表面层510 nm深度范围内被入射电子束激发出来，大于10 nm时，虽然入射电子也能使核外电子脱离原子而变成自由电子，但因其能量较低以及平均自由程较短，不能逸出样品表面，最终只能被样品吸收。被入射电子束激发出的二次电子数量和原子序数没有明显的关系，但是二次电子对微区表

21、面的几何形状十分敏感。图12-8说明了样品表面和电子束相对位置与二次电子产额之间的关系。入射束和样品表面法线平行时，即图中=0，二次电子的产额最少。若样品表面倾斜了45，则电子束穿人样品激发二次电子的有效深度增加到 倍，入射电子使距表面510nm的作用体积内逸出表面的二次电子数量增多(见图中黑色区域)。若入射电子束进入了较深的部位(例如图12-8b中的A点)，虽然也能激发出一定数量的自由电子，但因A点距表面较远(大于L=510nm)，自由电子只能被样品吸收而无法逸出表面。第18页，本讲稿共31页 图12-9为根据上述原理画出的造成二次电子形貌衬度的示意图。图中样品上B面的倾斜度最小，二次电子产

22、额最少，亮度最低。反之，C面倾斜度最大，亮度也最大。实际样品表面的形貌要比上面讨论的情况复杂得多，但是形成二次电子像衬度的原理是相同的。图12-10为实际样品中二次电子被激发的一些典型例子。从例子中可以看出，凸出的尖棱、小粒子以及比较陡的斜面处二次电子产额较多，在荧光屏上这些部位的亮度较大；平面上二次电子的产额较小，亮度较低；在深的凹槽底部虽然也能产生较多的二次电子，但这些二次电子不易被检测器收集到，因此槽底的衬度也会显得较暗。第19页，本讲稿共31页 二、二次电子形貌衬度的应用 二次电子形貌衬度的最大用途是观察断口形貌，也可用作抛光腐蚀后的金相表面及烧结样品的自然表面分析，并可用于断裂过程的

23、动态原位观察。(一)断口分析 (1)沿晶断口 图12-11是普通的沿晶断裂断口照片。因为靠近二次电子检测器的断裂面亮度大，背面则暗，故断口呈冰糖块状或呈石块状。含Cr、Mo的合金钢产生回火脆时发生沿晶断裂，一般认为其原因是S、P等有害杂质元素在晶界上偏聚使晶界强度降低，从而导致沿晶断裂。沿晶断裂属于脆性断裂，断口上无塑性变形迹象。第20页，本讲稿共31页(2)韧窝断口 图12-12为典型的韧窝断口扫描电子显微照片。因为韧窝的边缘类似尖棱，故亮度较大，韧窝底部比较平坦，图像亮度较低。有些韧窝的中心部位有第二相小颗粒，由于小颗粒的尺寸很小，入射电子束能在其表面激发出较多的二次电子，所以这种颗粒往往

24、是比较亮的。韧窝断口是一种韧性断裂断口，无论是从试样的宏观变形行为上，还是从断口的微观区域上都能看出明显的塑性变形。一般韧窝底部有第二相粒子存在，这是由于试样在拉伸或剪切变形时，第二相粒子与基体界面首先开裂形成裂纹(韧窝)源。随着应力增加、变形量增大，韧窝逐渐撕开，韧窝周边形成塑性变形程度较大的突起撕裂棱，因此，在二次电子像中，这些撕裂棱显亮衬度。韧窝断口是穿晶韧性断裂。第21页，本讲稿共31页(3)解理断口 图12-13给出低碳钢在低温下的解理断口。解理断裂是脆性断裂，是沿着某特定的晶体学晶面产生的穿晶断裂。对于体心立方的a-Fe来说，其解理面为(001)。从图中可以清楚地看到，由于相邻晶粒

25、的位向不一样(二晶粒的解理面不在同一个平面上，且不平行)，因此解理裂纹从一个晶粒扩展到相邻晶粒内部时，在晶界处(过界时)开始形成河流花样(解理台阶)。第22页，本讲稿共31页 (4)纤维增强复合材料断口 图12-14为碳纤维增强陶瓷复合材料的断口照片，可以看出，断口上有很多纤维拔出。由于纤维的强度高于基体，因此承载时基体先开裂，但纤维没有断裂，仍能承受载荷,随着载荷进一步增大，基体和纤维界面脱粘，直至载荷达到纤维断裂强度时，纤维断裂。由于纤维断裂的位置不都在基体主裂纹平面上，一些纤维与基体脱粘后断裂位置在基体中，所以断口上有大量露头的拔出纤维，同时还可看到纤维拔出后留下的孔洞。第23页，本讲稿

26、共31页(二)样品表面形貌观察 (1)烧结体烧结自然表面观察 图12-15给出三种成分ZrO2-Y2O3陶瓷烧结自然表面的扫描电镜照片。图(a)成分为ZrO2-2molY2O3，烧结温度1 500，为晶粒细小的正方相。图(b)为1 500 烧结ZrO2-6molY2O3陶瓷的自然表面形态，为晶粒尺寸较大的单相立方相。图(c)为正方相与立方相双相混合组织，细小的晶粒为正方相，其中的大晶粒为立方相。图12-16为Al2O3+15陶瓷烧结表面的二次电子像，有棱角的大晶粒为Al2O3，而小的白色球状颗粒为ZrO2，细小的ZrO2颗粒，有的分布在Al2O3晶粒内，有的分布在Al2O3晶界上。第24页，本

27、讲稿共31页(2)金相表面观察 图12-17为经抛光腐蚀之后金相样品的二次电子像，可以看出其分辨率及立体感均远好于光学金相照片。光学金相上显示不清的细节在这里可以清晰地显示出来，如珠光体中的Fe3C与铁素体的层片形态及回火组织中析出的细小碳化物等。第25页，本讲稿共31页三)材料变形与断裂动态过程的原位观察 (1)双相钢 图12-18为双相钢拉伸断裂过程的动态原位观察结果。可以看出，铁素体首先产生塑性变形，并且裂纹先萌生于铁素体(F)中，扩展过程中遇到马氏体(M)受阻。加大载荷，马氏体前方的铁素体中产生裂纹，而马氏体仍没有断裂，继续加大载荷，马氏体才断裂，将裂纹连接起来向前扩展。(2)复合材料

28、 图12-19为Al3Ti（Al-Ti）复合材料断裂过程的原位观察结果。可清楚地看到，裂纹遇到颗粒时受阻而转向，沿着颗粒与基体的界面扩展，有时颗粒也产生断裂，使裂纹穿过粒子扩展。第26页，本讲稿共31页12-5 12-5 原子序数衬度原理及其应用一、背散射电子衬度原理及其应用 背散射电子的信号既可用来进行形貌分析，也可用于成分分析。在进行晶体结构分析时，背散电子信号的强弱是造成通道花样衬度的原因。下面主要讨论背散射电子信号引起形貌衬度和成分衬度的原理。(1)背散射电子形貌衬度特点 用背散射电子信号进行形貌分析时，其分辨率远比二次电子低，因为背散射电子是在一个较大的作用体积内被入射电子激发出来的

29、，成像单元变大是分辨率降低的原因。此外，背散射电子的能量很高，它们以直线轨迹逸出样品表面，对于背向检测器的样品表面，因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影，因此在图像上显示出很强的衬度，衬度太大会失去细节的层次，不利于分析。用二次电子信号作形貌分析时，可以在检测器收集栅上加以一定大小的正电压(一般为250500V)，来吸引能量较低的二次电子，使它们以弧形路线进入闪烁体，这样在样品表面某些背向检测器或凹坑等部位上逸出的二次电子也能对成像有所贡献，图像层次(景深)增加，细节清楚。第27页，本讲稿共31页图12-20为背散射电子和二次电子行进路线以及它们进人检测器时的情景。图12-21为带有凹坑

30、样品的扫描电镜照片，可见，凹坑底部仍清晰可见。虽然背散射电子也能进行形貌分析，但是它的分析效果远不及二次电子。因此，在做无特殊要求的形貌分析时，都不用背散射电子信号成像。第28页，本讲稿共31页(2)背散射电子原子序数衬度原理 图12-22示出了原子序数对背散射电子产额的影响。在原子序数z小于40的范围内，背散射电子的产额对原子序数十分敏感。在进行分析时，样品上原子序数较高的区域中由于收集到的背散射电子数量较多，故荧光屏上的图像较亮。因此，利用原子序数造成的衬度变化可以对各种金属和合金进行定性的成分分析。样品中重元素区域相对于图像上是亮区，而轻元素区域则为暗区。当然，在进行精度稍高的分析时，必

31、须事先对亮区进行标定，才能获得满意的结果。第29页，本讲稿共31页用背散射电子进行成分分析时，为了避免形貌衬度对原子序数衬度的干扰，被分析的样品只进行抛光，而不必腐蚀。对有些既要进行形貌分析又要进行成分分析的样品，可以采用一对检测器收集样品同一部位的背散射电子，然后把两个检测器收集到的信号输入计算机处理，通过处理可以分别得到放大的形貌信号和成分信号。图12-23示意地说明了这种背散射电子检测器的工作原理。图12-23(a)中A和B表示一对半导体硅检测器。如果一成分不均匀但表面抛光平整的样品作成分分析时，A、B检测器收集到的信号大小是相同的。把A和B的信号相加，得到的是信号放大一倍的成分像；把A

32、和B的信号相减，则成一条水平线，表示抛光表面的形貌像；图12-23(b)是均一成分但表面有起伏的样品进行形貌分析时的情况。例如分析图中的 p点，p位于检测器A的正面，使A收集到的信号较强，但P点背向检测器B，使B 收集到较弱的信号，若把A和B的信号相加，则二者正好抵消，这就是成分像；若把A和B二者相减，信号放大就成了形貌像。如果待分析的样品成分既不均匀，表面又不光滑，仍然是A、B信号相加是成分像，相减是形貌像，见图12-23(c)。第30页，本讲稿共31页二、吸收电子的成像 吸收电子的产额与背散射电子相反，样品的原子序数越小，背散射电子越少，吸收电子越多，反之样品的原子序数越大，则背散射电子越多，吸收电子越少。因此，吸收电子像的衬度是与背散射电子和二次电子像的衬度互补的。因为 I0=Is+Ib+Ia+It,如果试样较厚，透射电子流强度It=0，故Is+Ib+Ia+It=I0。因此，背散射电子图像上的亮区在相应的吸收电子图像上必定是暗区。图12-24为铁素体基体球墨铸铁断口的背散射电子和吸收电子像，二者正好互补。第31页，本讲稿共31页