MOS场效应管放大电路教学提纲.ppt
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1、MOS场效应管放大电路5.3 场效应管放大电路一、场效应管的偏置电路二、场效应管静态工作点的确定三、场效应管的动态分析四、场效应管三种组态放大性能的比较五、应用举例一、场效应管的偏置电路二、场效应管静态工作点的确定1、图解法、图解法 在场效应管的转移特性曲线上做出栅源回路直流负载线的方程,其交点即为工作点。二、场效应管静态工作点的确定 对于(a)图,Q1为JFET的工作点,Q2为耗尽型MOSFET的工作点;对于(b)图,Q1为JFET的工作点,Q2为耗尽型MOSFET的工作点,Q3增强型MOSFET的工作点。二、场效应管静态工作点的确定2、解析法、解析法 耗尽型场效应管的电流方程为:把它在静态
2、时的表达式与栅源间静态电压的表达式联立即可求出IDQ和UDSQ:二、场效应管静态工作点的确定增强型场效应管的电流方程为:把它在静态时的表达式与栅源间静态电压的表达式联立即可求出IDQ和UDSQ:二、场效应管静态工作点的确定 把下式代入上式,解关于iD的二次方程,有两个根,舍去不合理的一个根,留下合理的一个根便是IDQ。而三、场效应管的动态分析1、场效应管的小信号等效模型2、共源放大电路的分析3、共漏放大电路的分析4、共栅放大电路的分析场效应管的低频小信号等效模型 与晶体管模型的导出相类似,iD是uGS 和uDS的函数:iD=f(uGS,uDS)研究动态信号时用全微分表示:场效应管的低频小信号等
3、效模型定义:当信号较小时,管子的电压、电流仅在Q点附近变化,可以认为是线形的,gm与rds近似为常数,用有效值表示:场效应管的低频小信号等效模型由此式可画出场效应管的低频小信号等效模型:可见场效应管的低频小信号等效模型比晶体管还要简单。场效应管的低频小信号等效模型 可以从场效应管的转移特性和输出特性曲线上求出gm与rds:由转移特性曲线可知,gm是uDS=UDSQ那条曲线上Q点处的导数。由于gm是输出回路电流与输入回路电压之比,所以称为跨导。场效应管的低频小信号等效模型由输出特性曲线可知,rds是uGS=UGSQ这条曲线上Q点处斜率的倒数,描述曲线上翘的程度。场效应管的低频小信号等效模型由于r
4、ds的值很大,可以忽略,得到简化的等效模型:场效应管的低频小信号等效模型对增强型MOS管,可用电流方程求出gm的表达式:场效应管的低频小信号等效模型增强型MOS管在小信号作用时,可用IDQ代替iD,得出:场效应管的低频小信号等效模型 对耗尽型MOS管,同样可用电流方程作类似的推导求出gm的表达式,电流方程和推导如下:场效应管的低频小信号等效模型耗尽型MOS管在小信号作用时,可用IDQ代替iD,得出:场效应管的高频等效模型 场效应管各极之间同样也存在电容,因而其高频响应与晶体管类似。根据结构可得高频模型如下:场效应管的高频等效模型大多数场效应管的参数如下表:场效应管的高频等效模型 从表中可以看出
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