中国光芯片行业发展现状及竞争格局分析.docx
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1、中国光芯片行业发展现状及竞争格局分析一、光芯片综述光芯片是光模块中完成光电信号转换的直接芯片,按应用情况,分为激光器芯片和探测器芯片。激光器芯片发光基于激光的受激辐射原理,按发光类型,分为面发射与边发射:面发射类型主要为VCSEL(垂直腔面发射激光器),适用于短距多模场景;边发射类型主要为FP(法布里-珀罗激光器)、DFB(分布式反馈激光器)以及EML(电吸收调制激光器)。FP适用于10G以下中短距场景,DFB及EML适用于中长距高速率场景。EML通过在DFB的基础上增加电吸收片(EAM)作为外调制器,目前是实现50G及以上单通道速率的主要光源。探测器芯片主要有PIN(PN二极管探测器)和AP
2、D(雪崩二极管探测器)两种类型,前者灵敏度相对较低,应用于中短距,后者灵敏度高,应用于中长距。光芯片按材料分,可分为无源和有源两种类型。主要有InP、GaAs、SiO2、LiNbO3等系列,其中基于GaAs材料所制作的VCSEL芯片主要用于短距离光模块中;基于InP材料所制作的DFB和EML芯片主要用在中长距离光模块中;基于LiNbO3材料所制作的铌酸锂调制器芯片主要用在高速率长距离的相干光模块中。据统计,器件元件占光模块成本73%。器件元件主要就是实现电光转换的光发射次模块TOSA和光电转换的光接收次模块ROSA,又分别占器件元件成本的48%和32%。TOSA的主体为激光器芯片(VCSEL,
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