射频前端芯片发展现状分析.docx
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1、射频前端芯片发展现状分析一、射频前端芯片定义及分类射频前端芯片负责频率合成、功率放大、信号在不同频率下的收发,包括射频功率放大器(PA)、射频低噪声放大器(LNA)、射频开关、滤波器、双工器等。目前射频前端芯片主要应用于手机和通讯模块市场、WiFi路由器市场和通讯基站市场等。目前射频芯片工艺节点趋势为0.13um及65nm,通常一个频段(或包括邻近频段)对应一个芯片单元(1个芯片单元可集成百个晶体管),多个频段需要多个芯片单元。随着手机通信的频段、模式增多,以及带宽不断增加,如今的射频芯片需要支持十几个通道,并满足高带宽、抗干扰能力强等性能要求,所以设计难度很高。射频芯片主要壁垒技术为寄生参数
2、、版图寄生参数、电磁耦合干扰、模块后的难度加剧、外部电路结构的反向影响。二、射频前端芯片发展现状用户对于网络视频通信、微博社交、新闻资讯、生活服务等需求上升,带动移动智能终端需求上升,从而带动对射频前端芯片的需求。2011-2019年全球射频前端市场规模从63亿美元增长到170亿美元,年复合增长率为13.21%,受到5G网络商业化建设的影响,全球射频未来市场规模将保持高速增长,预计2020年全球射频市场规模为202亿美元。由于射频电路难度较高,全球射频前端芯片市场目前仍主要被美日厂商垄断。射频前端领域设计及制造工艺复杂、门槛极高,主要由欧、美、日等传统大厂垄断,而我国射频芯片厂商依然在起步阶段
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