半导体清洗设备行业驱动因素及市场规模.docx
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1、半导体清洗设备行业驱动因素及市场规模 在芯片制造过程中, 不规则的杂质例如颗粒污染物、残留化学物质或其他污染物会扭曲光刻过程中的图案、阻碍薄膜沉积、妨碍刻蚀或损害芯片性能, 从而直接导致芯片制造良率(一块晶圆片上符合要求的芯片比例)的下降. 而不规则的杂质可能来自于基板材料、制造设备、工作人员、洁净室空气以及制造过程中的任何一道工序. 因此, 几乎每道工序都涉及到清洗. 而且集成电路的集成度愈高, 所需要的清洗工艺也越多. 清洗工艺旨在去除芯片制造中上一道工序所遗留的超微细颗粒污染物、金属残留、有机物残留物, 去除光阻掩膜或残留, 也可根据需要进行硅氧化膜、氮化硅或金属等薄膜材料的湿法腐蚀,
2、为下一步工序准备好最佳的表面条件. 集成电路制造过程 目前主要有两种基本的清洗工艺. 湿法工艺是使用各种化学药液与晶圆表面各种杂质粒子发生化学反应, 生成溶于水的物质, 再用高纯水冲洗, 依次去除晶圆表面各种杂质. 干法工艺是不采用溶液的清洗技术, 通过等离子清洗技术、汽相清洗技术或束流清洗技术来去除晶圆表面的杂质. 湿法工艺在达到晶圆表面的洁净度和平滑度方面通常优于干法工艺, 并且是目前单晶圆清洗使用的标准工艺, 应用于晶圆制造过程中90%以上的清洗步骤. 湿法腐蚀速率, 腐蚀均匀性, 晶圆正、反面交叉污染的控制, 清洗效率等都是至关重要的工艺要素. 清洗工艺分类 随着半导体芯片工艺技术节点
3、进入28纳米、14纳米等更先进等级, 工艺流程的延长且越趋复杂, 产线成品率也会随之下降. 造成这种现象的一个原因就是先进制程对杂质的敏感度更高, 小尺寸污染物的高效清洗更困难. 解决的方法主要是增加清洗步骤. 每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过200道清洗步骤, 晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性. 清洗步骤次数与制程的关系产线良率与工艺节点的关系 目前的清洗设备主要可以分为单晶圆清洗设备和槽式清洗机. 槽式清洗机用于批量处理晶圆. 通过RCA清洗方法, 大量使用NH4OH, HCL, H2O2, H2O等试剂, 并且添加表面活性剂和HF,再引入超声波清洗和兆声清洗, 达到清洗的目的.
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