第四章光电检测优秀PPT.ppt
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1、第四章光电检测第一页,本课件共有167页光电探测器凡是光辐射量转换为电量(电压或电流)的光探测器,都称为光电探测器。光电探测器的物理效应包括:1、光子效应2、光热效应第二页,本课件共有167页光子效应单个的光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。1、光子效应对光波频率表现出选择性。2、响应速度比较快。第三页,本课件共有167页光热效应探测元件吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变,而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量,引起探测元件温度升高,温度上升的结果由使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。1、光热效应对光波频率没有选择性。2、响应速度比较慢。第四页,本课件共有16
2、7页外光电效应光电发射效应在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应,亦称光电发射效应。它是在1887年由德国科学家赫兹发现的。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍培管等。众所周知,每个光子具有的能量为第五页,本课件共有167页逸出功A也称功函数,是一个电子从金属或半导体表面逸出时克服表面势垒所需作的功,其值与材料有关,还和材料的表面状态有关。若逸出电子的动能为,则由能量守恒定律有式中,m为电子的静止质量,m=9.109110-31kg;v0为电子逸出物体时的初速。上式即为爱因斯坦光电效应方程式。由该式可知:第六页,本课件共有167页(1)光电效应能否产生,取决于光子的能量是否
3、大于该物质表面的电子逸出功。这意味着每一种物质都有一个对应的光频阀值,称为截至频率(对应的光波长称为临界波长。光的频率小于截至频率,光子的能量不足以使物体的电子逸出,因而小于截至频率的光,光强再大也不会产生光电发射。反之,入射光频率高于截至频率,即使光强微弱也会有电子发至射出来。第七页,本课件共有167页(2)若入射光的光频为v,光功率为P,则每秒钟到达的光子数为p/h。假设这些光子中只有一部分()能激发电子,则入射光在光电面激发的光电流密度为式中,是量子效率,定义为光强生成的载流子数与入射光子数之比,它是波长的函数,并与光电面的反射率、吸收系数、发射电子的深度、表面的亲和力等因素有关;e为电
4、子电荷量。第八页,本课件共有167页(3)光电子逸出物体表面具有初始动能。因此光电管即使未加阳极电压,也会有光电流产生。为使光电流为零,必须加负的截止电压,而截止电压与入射光的频率成正比。第九页,本课件共有167页内光电效应光电导效应光伏效应第十页,本课件共有167页1.光电导效应入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。这种效应几乎所有高电阻率半导体都有。这是由于在入射光作用下,电子吸收光子能量,从价带激发到导带,过渡到自由状态,同时价带也因此形成自由空穴,致使导带的电子和价带的空穴浓度增大,引起材料电阻率减小。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,如图4.1
5、所示,即光的波长应小于某一临界波长0。第十一页,本课件共有167页式中,Eg以电子伏(eV)为单位(1eV=1.601019J),c为光速(m/s)。0也称为截止波长。根据半导体材料不同的禁带宽度可得相应的临界波长。图4.1能带图第十二页,本课件共有167页图4.2光电导元件工作示意图第十三页,本课件共有167页图4.2为光电导元件工作示意图。图中光电导元件与偏置电源及负载电阻RL串联。当光电导元件在一定强度的光的连续照射下,元件达到平衡状态时,输出的短路电流密度为式中,为内光量子效率(为光强生成的载流子数与入射光子数之比),c为多数载流子的迁移率,c为多数载流子寿命,d为两电极间距。可以看出
6、,i0在波长决定之后与P成正比,在P一定时,与光波长成正比。第十四页,本课件共有167页2.光生伏特效应光光生生伏伏特特效效应应就就是是半半导导体体材材料料吸吸收收光光能能后后,在在PN结结上上产产生生电电动动势势的的效效应应。P型半导体内有许多多余的空穴,N型半导体内有许多过剩的电子,当N型半导体和P型半导体结合在一起时,由于热运动,N型半导体中的电子越过交界面填补了P型半导体中的空穴,也可以说P型半导体中的空穴越过交界面复合了N型半导体中的电子。第十五页,本课件共有167页图2.3PN结产生光生伏特效应第十六页,本课件共有167页PN结用作整流时,其电压电流特性如图4.4中的曲线(1)所示
7、。这时外加电压U(以正方向为正)与电流Id的关系为式中,Id为没有光照时的暗电流,Is为反向饱和暗电流,k为玻耳兹曼常数,T为绝对温度。当光照射到PN结上时,由于光生伏特效应产生的短路电流I0与光电导效应相类似,即第十七页,本课件共有167页图4.4PN结的电压电流特性第十八页,本课件共有167页这个电流与前式所示电流方向相反,所以流经结点的电流是二者之差,即由此可见,当有光照射时,电压-电流特性向下方平行移动,如图4.4中的曲线(2)所示。当I=0时,对U求解,得开路电压为如果入射光较弱,I01)是雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数。设F=gx,APD的均方量子噪声电流应为i2q=2eIPB
8、g2+x式中,x为附加噪声指数。第一百二十六页,本课件共有167页同理,APD暗电流产生的均方噪声电流应为:i2d=2eIdBg2+x附加噪声指数x与器件所用材料和制造工艺有关。SiAPD的x=0.30.5,GeAPD的x=0.81.0,InGaAsAPD的x=0.50.7。当g=1时,得到的结果和PIN相同。第一百二十七页,本课件共有167页3)温度特性当温度变化时,原子的热运动状态发生变化,从而引起电子、空穴电离系数的变化,使得APD的增益也随温度而变化。随着温度的升高,倍增增益下降。为保持稳定的增益,需要在温度变化的情况下进行温度补偿。第一百二十八页,本课件共有167页光电倍增管光电倍增
9、管光电倍增管是典型的光电子发射型探测器,其主要特点是:灵敏度高,稳定性好,响应速度快以及噪声小;但结构复杂,工作电压高和体积大。它是电流放大器件,具有很高的电流增益,特别适用于微弱光信号的探测。第一百二十九页,本课件共有167页光电倍增管(PMT)一般由光电阴极、倍增极、阳极和真空管壳组成,如下图所示。图中K为光阴极,D是倍增级,A是阳极,U是极间电压、称为分级电压。分级电压为百伏量级分级电压之和为总电压,总电压为千伏量级。从阴极到阳极,各级间形成逐级递增的加速电场。第一百三十页,本课件共有167页阴极在光照下发射光电子,光电子被极间电场加速聚焦,从而以足够高的速度轰击倍增级。倍增级在高速电子
10、轰击下产生二次电子发射,使电子数目增加若干倍。如此逐级倍增,使电子数目大量增加。最后,电子被阳极收集形成阳极电流。当光信号变化时,阴极发射的光电子数目相应变化,由于各倍增级的倍增因子基本不变,所以阳极电流随光信号变化。第一百三十一页,本课件共有167页阳极电流Ip随入射光功率PS的变化规律是,开始阶段是线性增长,当PS大到一定值时,IP增加缓慢,出现饱和现象。这是由于光阳极受强光照射后发射电子的速率过高,阴极内部来不及重新补充电子,致使灵敏度下降(出现疲劳效应)。在轻度疲劳时,若停止工作一段时间,可以恢复正常工作能力。但是太强的光照射会使光电倍增管损坏。所以,在使用时切在使用时切忌过强的光照射
11、。忌过强的光照射。光电倍增管的噪声主要是散粒噪声和负载电阻产生的热光电倍增管的噪声主要是散粒噪声和负载电阻产生的热噪声。噪声。第一百三十二页,本课件共有167页光接收机数字光接收机的组成如下图所示,主要包括光检测器、前置放大器、主放大器、均衡器、时钟提取电路、取样判决器以及自动增益控制(AGC)电路等。第一百三十三页,本课件共有167页数字光接收机组成框图第一百三十四页,本课件共有167页1.光检测器光检测器光检测器是光接收机实现光/电转换的关键器件,其性能特别是响应度和噪声直接影响光接收机的灵敏度。对光检测器的要求如下:(1)波长响应要和光纤低损耗窗口(0.85m、1.31m和1.55m)兼
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