四探针方法测电阻率(原理公式推导).ppt
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1、探针方法测量半导体的电阻率探针方法测量半导体的电阻率一一实验目的实验目的二二实验原理实验原理三三仪器结构特征仪器结构特征四四操作步骤操作步骤五五注意事项注意事项六六技术参数技术参数 实验目的实验目的1、理解四探针方法测量半导体电阻率的原理;2、学会用四探针方法测量半导体电阻率。实验原理实验原理1、体电阻率测量:、体电阻率测量:四探针法测量原理图 当、四根金属探针排成一直线时,并以一定压力压在半导体材料上,在、两处探针间通过电流I,则、探针间产生电位差V。材料电阻率式中:S1、S2、S3分别为探针与,与,与之间距,用cm为单位时的值,S1=S2=S3=1mm.每个探头都有自己的系数。C6.280
2、.05单位cm。若若电电流取流取I=C 时时,则则V,可由数字,可由数字电压电压表直表直接接读读出。出。探针系数(1)(2)温度影响电阻率,从面影响电阻p=p1(1+aT),p1为该材料0摄氏度时的电阻率,a叫电阻的温度系数,不同材料的电阻温度系数不同由R=p*l/s p=p1(1+aT),得R=R1(1+aT)同理,R1为0摄氏度时的电阻R=p*l/s(p电阻率查表求;l电阻长度;s与电流垂直的电阻截面面(a)块状和棒状样品体电阻率测量:由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较,合乎于半无限大的边界条件,电阻率值可以直接由()、()式求出。(b)簿片电阻率测量 簿片样品因为其厚度与探针间距比
3、较,不能忽略,测量时要提供样品的厚度形状和测量位置的修正系数。电阻率值可由下面公式得出:式中:0 为块状体电阻率测量值;W:为样品厚度(um);S:探针间距(mm);G(W/S)为样品厚度修正函数,可由附录IA或附录1B查得;D(d/S)为样品形状和测量位置的修正函数,可由附录查得。W/S0.5时,实用。当圆形硅片的厚度满足W/S0.5时,电阻率为:2、带扩散层的方块电阻测量、带扩散层的方块电阻测量 当半导体薄层尺寸满足于半无限大时:若取I 4.53 I0,I0为该电流量程满度值,则R0值可由数字表中直接读出的数乘上10后得到。仪器结构特征仪器结构特征数字式四探针测试仪主体部分由高灵敏度直流数
4、字电压表、恒流源、电源、DC-DC电源变换器组成。为了扩大仪器功能及方便使用,还设立了单位、小数点自动显示电路、电流调节、自校电路和调零电路。仪器电源经过DC-DC变换器,由恒流源电路产生一个高稳定恒定直流电流,其量程为10A、100A、1mA、10mA、100mA,数值连续可调,输送到、探针上,在样品上产生一个电位差,此直流电压信号由、探针输送到电气箱内。具有高灵敏度、高输入阻抗的直流放大器中将直流信号放大(放大量程有0.2mV、2mV、20mV、200mV、2V),再经过双积分A/D变换将模拟量变换为数字量,经由计数器、单位、小数点自动转换电路显示出测量结果。为克服测试时探针与样品接触时产
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- 关 键 词:
- 探针 方法 电阻率 原理 公式 推导
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