第四章原子及分子的运动优秀PPT.ppt

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1、1第一页，本课件共有113页波长为波长为365 nm的光照射下，的光照射下，sialon荧光粉的颜色荧光粉的颜色2第二页，本课件共有113页Structure of-SiAlON viewed along a direction nearly parallel to the c axis.由由-Si3N4固固溶溶Al3+和和O2-后得到。后得到。红色位置为掺红色位置为掺杂的稀土离子杂的稀土离子位置位置-Sialon 固溶体的结构固溶体的结构3第三页，本课件共有113页-Si3N4 晶体结构晶体结构4第四页，本课件共有113页荧光粉怎么做的？荧光粉怎么做的？Si3N4AlNCaCO3 or Ca

2、3N2Eu2O3 or EuN混合混合煅烧得到煅烧得到SiAlON荧光粉荧光粉粉碎分级粉碎分级扩散扩散5第五页，本课件共有113页扩散是固体材料中的一个重要现象扩散是固体材料中的一个重要现象l材料的变形，相变，高温蠕变等材料的变形，相变，高温蠕变等l金属的凝固、退火、回复再结晶等金属的凝固、退火、回复再结晶等l陶瓷的烧结陶瓷的烧结6第六页，本课件共有113页第四章原子及分子的运动第四章原子及分子的运动蒲锡鹏蒲锡鹏20077第七页，本课件共有113页内容内容l研究扩散一般有两种方法：研究扩散一般有两种方法：表象理论原子理论表象理论原子理论l本章主要讨论固体材料中扩散的本章主要讨论固体材料中扩散的

3、一般规律扩散的影响因素扩散机制等 8第八页，本课件共有113页本章章节结构本章章节结构4.1表象理论表象理论4.2热力学分析热力学分析4.3原子理论原子理论4.4激活能激活能4.5无规行走与扩散距离无规行走与扩散距离4.6影响因素影响因素4.7反应扩散反应扩散4.8离子晶体中的扩散离子晶体中的扩散4.9高分子的分子运动高分子的分子运动9第九页，本课件共有113页本章学习重点与难点本章学习重点与难点1.Fick第一定律第一定律2.能运用能运用Fick第二定律第二定律3.柯肯达尔效应柯肯达尔效应4.互扩散系数的图解方法互扩散系数的图解方法5.下坡下坡/上坡扩散的因子判别上坡扩散的因子判别6.扩散的

4、机制，间隙扩散的机制，间隙/空位空位7.扩散系数及激活能计算扩散系数及激活能计算8.无规行走的扩散距离与步长无规行走的扩散距离与步长9.影响扩散的因素影响扩散的因素10.反应扩散的特点及相类型的确定反应扩散的特点及相类型的确定11.动用电荷中性原理，确定出现的缺陷类动用电荷中性原理，确定出现的缺陷类型型12.高分子链柔顺性的表征及其结构的影高分子链柔顺性的表征及其结构的影响因素响因素13.不同结构高分子力学状态不同结构高分子力学状态10第十页，本课件共有113页4.1表象理论表象理论l关于迁移关于迁移无外场时，热振动引起，迁移非定向。有外场时，有推动力，粒子的迁移才能形成定向扩散流。l推动力是

5、系统的化学位梯度；推动力是系统的化学位梯度；l当固体中存在着成分当固体中存在着成分/浓度差异时，原子将从浓度差异时，原子将从浓度高处向浓度低处扩散。速率？浓度高处向浓度低处扩散。速率？11第十一页，本课件共有113页4.1.1 Fick第一定律第一定律原子的通量原子的通量浓度梯度浓度梯度(质量，摩尔质量，摩尔)与导热相似与导热相似12第十二页，本课件共有113页l公式是唯象的关系式，不涉及微观过程。公式是唯象的关系式，不涉及微观过程。lD反映了整个扩散系统的特性，并不仅仅取决反映了整个扩散系统的特性，并不仅仅取决于某一种组元的特性。于某一种组元的特性。l描述了一种稳态扩散。描述了一种稳态扩散。

6、l稳态扩散：系统中任一点的浓度稳态扩散：系统中任一点的浓度13第十三页，本课件共有113页4.1.2 Fick第二定律第二定律l大多情况是非稳态扩散大多情况是非稳态扩散lFick第一定律质量守恒第一定律质量守恒第二定律第二定律14第十四页，本课件共有113页15第十五页，本课件共有113页当当D与浓度无关时与浓度无关时16第十六页，本课件共有113页l第一、第二定律的关第一、第二定律的关系系均表明扩散的结果总均表明扩散的结果总是使不均匀体系均匀是使不均匀体系均匀化，由非平衡逐渐达化，由非平衡逐渐达到平衡到平衡17第十七页，本课件共有113页l化学扩散由浓度梯度引起化学扩散由浓度梯度引起l自扩散

7、仅由热振动引起自扩散仅由热振动引起18第十八页，本课件共有113页三种类型三种类型1、两端成分不受扩散影响的扩散偶、两端成分不受扩散影响的扩散偶2、一端成分不受扩散影响的扩散体、一端成分不受扩散影响的扩散体3、衰减薄膜源、衰减薄膜源4.1.3 扩散方程的解扩散方程的解19第十九页，本课件共有113页两端成分不受扩散影响的扩散偶两端成分不受扩散影响的扩散偶20第二十页，本课件共有113页一端成分不受扩散影响的扩散体一端成分不受扩散影响的扩散体21第二十一页，本课件共有113页衰减薄膜源衰减薄膜源22第二十二页，本课件共有113页1、两端成分不受扩散影响的扩散偶、两端成分不受扩散影响的扩散偶 1

8、1）无限长）无限长A A、B B合金棒，各截面浓度均匀，浓度合金棒，各截面浓度均匀，浓度 2 12 2）两合金棒对焊，扩散方向为）两合金棒对焊，扩散方向为x x方向方向3 3）合金棒无限长，棒的两端浓度不受扩散影响）合金棒无限长，棒的两端浓度不受扩散影响4 4）扩散系数）扩散系数D是与浓度无关的常数是与浓度无关的常数 21ABOxJ23第二十三页，本课件共有113页l初始条件及边界条件初始条件及边界条件初始条件初始条件边界条件边界条件ABOxJ2124第二十四页，本课件共有113页25第二十五页，本课件共有113页26第二十六页，本课件共有113页27第二十七页，本课件共有113页l在界面处，

9、在界面处，erf(0)=0。则有。则有即界面上质量浓度始终保持不变即界面上质量浓度始终保持不变l若焊接面右侧棒的原始质量浓若焊接面右侧棒的原始质量浓度为零时，则公式简化为：度为零时，则公式简化为：公式用法公式用法知道知道D，及初始条件，可以求得，及初始条件，可以求得(x,t)28第二十八页，本课件共有113页29第二十九页，本课件共有113页2、一端成分不受扩散影响的扩散体、一端成分不受扩散影响的扩散体 如果渗碳零件为纯铁如果渗碳零件为纯铁，则有，则有30第三十页，本课件共有113页lC质量分数为质量分数为0.1%的低碳钢，置于碳质量分数为的低碳钢，置于碳质量分数为1.2%的的渗碳气氛中，在渗

10、碳气氛中，在920下进行渗碳，如要求离表面下进行渗碳，如要求离表面0.002m处碳质量分数为处碳质量分数为0.45%，问需要多少时间？，问需要多少时间？31第三十一页，本课件共有113页3、衰减薄膜源、衰减薄膜源 初始条件初始条件边界条件边界条件式中式中k是待定常数。通过对上式微分就是待定常数。通过对上式微分就可知其是菲克第二定律的解。可知其是菲克第二定律的解。32第三十二页，本课件共有113页33第三十三页，本课件共有113页利用此模型，测定金属的自扩散系数。利用此模型，测定金属的自扩散系数。纯金属纯金属A金属金属A的同位的同位素素A*34第三十四页，本课件共有113页4.1.4、置换型固溶

11、体中的扩散、置换型固溶体中的扩散 l间隙型溶质原子的扩散间隙型溶质原子的扩散l置换型溶质原子的扩散置换型溶质原子的扩散l柯肯达尔效应柯肯达尔效应35第三十五页，本课件共有113页利用利用Kirkendall效应做材料效应做材料ZnAl2O4纳米管纳米管36第三十六页，本课件共有113页ZnAl2O4纳米管纳米管TEM照片照片37第三十七页，本课件共有113页ZnO空心球空心球38第三十八页，本课件共有113页黄铜黄铜铜铜若若DCu=DZn，锌原子尺寸大于铜原子尺寸，但是扩散后造，锌原子尺寸大于铜原子尺寸，但是扩散后造成点阵常数变化使钼丝移动量，只相当于实验值的成点阵常数变化使钼丝移动量，只相当

12、于实验值的1/10，故点阵常数变化不是引起钼丝移动的唯一原因，所以故点阵常数变化不是引起钼丝移动的唯一原因，所以只能说明只能说明DCuDZn39第三十九页，本课件共有113页主要原因？主要原因？l在在Cu-Au、Cu-Ni、Cu-Sn、Ni-Au、Ag-Cu、Ag-Zn等置换式固溶体中都会发生此现象。等置换式固溶体中都会发生此现象。l而且标志物总是向着低熔点组点较多的一方而且标志物总是向着低熔点组点较多的一方移动。即低熔点组元扩散快，高熔点组元扩移动。即低熔点组元扩散快，高熔点组元扩散慢。正是这种不等量的原子交换造成了柯散慢。正是这种不等量的原子交换造成了柯肯达尔效应。肯达尔效应。低熔点高熔点

13、40第四十页，本课件共有113页 进一步解释一下：进一步解释一下：l在互扩散中，低熔点组元锌在互扩散中，低熔点组元锌和空位的亲和力大，这样在扩和空位的亲和力大，这样在扩散过程中流入到黄铜中的空位散过程中流入到黄铜中的空位就大于从黄铜流入到铜中的空就大于从黄铜流入到铜中的空位数量。位数量。l即存在一个从铜到黄铜的净即存在一个从铜到黄铜的净空位流，也相当于往外迁移的空位流，也相当于往外迁移的原子多，结果造成了中心区晶原子多，结果造成了中心区晶体整体收缩，从而造成钼丝的体整体收缩，从而造成钼丝的内移。内移。41第四十一页，本课件共有113页柯肯达尔效应的理论和实际意义柯肯达尔效应的理论和实际意义1、

14、直接否定了置换式固溶体的换位机制，支持、直接否定了置换式固溶体的换位机制，支持空位机制。空位机制。2、说明，在扩散系统中，每一种组元都有自己、说明，在扩散系统中，每一种组元都有自己的扩散系数，由于的扩散系数，由于JZnJCu，因此，因此DZnDCu。3、不利影响。电子器件中，大量的布线、接点、不利影响。电子器件中，大量的布线、接点、电极等，要在较高温度下工作很长时间。上述电极等，要在较高温度下工作很长时间。上述效应会引起断线、击穿等效应会引起断线、击穿等42第四十二页，本课件共有113页达肯公式达肯公式低熔点低熔点B2高熔点高熔点A1标志物标志物21t=0yxyvOx引入两个平行的坐引入两个平

15、行的坐标系。标系。一个固定一个固定x-y，一个是坐落在晶一个是坐落在晶面上和晶面一直面上和晶面一直运动的动坐标系运动的动坐标系x-y。43第四十三页，本课件共有113页达肯公式达肯公式低熔点低熔点B2高熔点高熔点A1标志物标志物21t=0yxyvOx三个扩散系数三个扩散系数DA和和DB，分别表示，分别表示A和和B的分扩散系数的分扩散系数试验中测定得到的，试验中测定得到的，是综合扩散系数，就是综合扩散系数，就是是Fick公式中的公式中的D。44第四十四页，本课件共有113页首先推导一下首先推导一下3个个D的相的相互关系互关系假设扩散过程中，晶格假设扩散过程中，晶格常数不变，摩尔浓度不常数不变，摩

16、尔浓度不变，横截面积不变。变，横截面积不变。21yxyvOx分扩散是相对于动坐标而言的；分扩散是相对于动坐标而言的；总的扩散效果分扩散整体收缩效果总的扩散效果分扩散整体收缩效果45第四十五页，本课件共有113页46第四十六页，本课件共有113页47第四十七页，本课件共有113页48第四十八页，本课件共有113页得到最终的综合扩散方程为：得到最终的综合扩散方程为：总的扩散效果纯扩散整体漂移总的扩散效果纯扩散整体漂移49第四十九页，本课件共有113页再讨论一下再讨论一下Fick定律定律在在4.1节我们只讨论过一个通量方程，那时其实隐节我们只讨论过一个通量方程，那时其实隐含着一个假设，认为二元系统在

17、扩散时是反向扩散，含着一个假设，认为二元系统在扩散时是反向扩散，而且扩散系数相同。而且扩散系数相同。现在我们认识深入了一步，现在我们认识深入了一步，知道两者的分扩散系数可以不相等，分扩散系数知道两者的分扩散系数可以不相等，分扩散系数是对于动坐标来说的。从而导致了扩散并不仅仅存是对于动坐标来说的。从而导致了扩散并不仅仅存在纯扩散性的流动，还存在漂移。在纯扩散性的流动，还存在漂移。经过推导得到，对于固定坐标系有：经过推导得到，对于固定坐标系有：50第五十页，本课件共有113页4.1.5、扩散系数与浓度相关时的求解、扩散系数与浓度相关时的求解l前面讲述中认为前面讲述中认为D与浓度无关与浓度无关l实际

18、上实际上D往往随浓度而变化往往随浓度而变化l如何去求不同质量浓度下扩散系数如何去求不同质量浓度下扩散系数D？51第五十一页，本课件共有113页图解求法图解求法l玻尔兹曼和俣野给出了从实验曲线玻尔兹曼和俣野给出了从实验曲线(x)来计算来计算不同质量浓度下的扩散系数不同质量浓度下的扩散系数D()的方法的方法l设无限长的扩散偶设无限长的扩散偶初始条件初始条件052第五十二页，本课件共有113页53第五十三页，本课件共有113页54第五十四页，本课件共有113页55第五十五页，本课件共有113页俣野方法俣野方法1、试样经过、试样经过t时间扩散后，根据实验结果画出浓时间扩散后，根据实验结果画出浓度分布曲

19、线度分布曲线2、用作图法找出俣野面，即使图中的面积、用作图法找出俣野面，即使图中的面积A=B；3、4、经过一次退火，可以获得该温度下对应于不同、经过一次退火，可以获得该温度下对应于不同浓度的一系列扩散系数浓度的一系列扩散系数5、俣野面的物理意义是，物质流经此平面进行扩、俣野面的物理意义是，物质流经此平面进行扩散，流入的量与流出的量相等。散，流入的量与流出的量相等。56第五十六页，本课件共有113页3个面个面lS0原始焊接面，对于固定的空间坐标系，在扩原始焊接面，对于固定的空间坐标系，在扩散中其位置是不变的。散中其位置是不变的。l SM俣野面，其物理意义是在扩散过程中，向两俣野面，其物理意义是在

20、扩散过程中，向两个方向流过此面的物质的量相等。个方向流过此面的物质的量相等。l SI柯肯达尔标记面，认为是固定在某一晶面上柯肯达尔标记面，认为是固定在某一晶面上的动坐标系，在不等量原子交换的扩散中，其的动坐标系，在不等量原子交换的扩散中，其运动速度为运动速度为v。下面总结在不同条件下下面总结在不同条件下3个面相对位置的变化规律，以个面相对位置的变化规律，以建立扩散过程中物质流动的明晰图像建立扩散过程中物质流动的明晰图像57第五十七页，本课件共有113页低熔点低熔点B2高熔点高熔点A121xO2121x3x1x2(a)(b)(c)S0 SI SM(d)58第五十八页，本课件共有113页低熔点低熔

21、点B2高熔点高熔点A121xO2121x3x1x2(a)(b)(c)S0 SMSI(d)59第五十九页，本课件共有113页低熔点低熔点B2高熔点高熔点A121xO2121x3x1x2(a)(b)(c)SI SMS0(d)60第六十页，本课件共有113页低熔点低熔点B2高熔点高熔点A121xO2121x3x1x2(a)(b)(c)SIS0(d)SM61第六十一页，本课件共有113页4.2、扩散的热力学分析、扩散的热力学分析 l有顺流而下，必有逆水行舟有顺流而下，必有逆水行舟l扩散的驱动力扩散的驱动力l由高浓度区向低浓度区的扩散叫顺扩散，又由高浓度区向低浓度区的扩散叫顺扩散，又称下坡扩散称下坡扩散

22、;由低浓度区向高浓度区的扩散由低浓度区向高浓度区的扩散叫逆扩散，又称上坡扩散。叫逆扩散，又称上坡扩散。烧水烧水冰箱冰箱62第六十二页，本课件共有113页吉布斯自由能的微分形式是：吉布斯自由能的微分形式是：dG=SdT+Vdp+dn第第i个原子的吉布斯自由能个原子的吉布斯自由能63第六十三页，本课件共有113页l当驱动力等于阻力时，达到最大扩散速度当驱动力等于阻力时，达到最大扩散速度l扩散速度扩散速度v正比于驱动力正比于驱动力F64第六十四页，本课件共有113页65第六十五页，本课件共有113页66第六十六页，本课件共有113页67第六十七页，本课件共有113页引起上坡扩散还可能有：引起上坡扩散

23、还可能有：1).弹性应力的作用。弹性应力的作用。弯弯曲曲固固溶溶体体，上上部部受受拉拉点点阵阵常常数数增增大大，大大原原子子上上移移至至受受拉拉区区，下下部部受受压压点点阵阵常常数数变变小小，小小原原子子移移向向受受压压区区，出出现现逆逆扩扩散。散。2).晶界的内吸附。晶界的内吸附。晶界能量比晶内高，如果溶质原子位于晶界上可降低体晶界能量比晶内高，如果溶质原子位于晶界上可降低体系总能量，它们会优先向晶界扩散，富集于晶界上。偏系总能量，它们会优先向晶界扩散，富集于晶界上。偏聚聚3).大的电场或温度场也促使晶体中原子按一定方向扩散，大的电场或温度场也促使晶体中原子按一定方向扩散，造成扩散原子的不均

24、匀性。造成扩散原子的不均匀性。68第六十八页，本课件共有113页4.3、扩散的原子理论、扩散的原子理论l原子靠热振动，从一个位置跳到另一位置，扩原子靠热振动，从一个位置跳到另一位置，扩散机制有以下几种：散机制有以下几种：1、交换、交换2、间隙、间隙3、空位、空位4、晶界扩散及表面扩散、晶界扩散及表面扩散69第六十九页，本课件共有113页1、交换机制、交换机制直接交换及环型交换直接交换及环型交换引起的畸变都较大，引起的畸变都较大，所需的激活能很大，所需的激活能很大，所以金属及合金的相所以金属及合金的相关实验中未观察到关实验中未观察到2、间隙机制、间隙机制原子从一个晶格中间隙位置迁移到另一个间隙位

25、置。原子从一个晶格中间隙位置迁移到另一个间隙位置。还提出了堆填和挤列还提出了堆填和挤列70第七十页，本课件共有113页3、空位机制、空位机制晶体中存在着空位。这些晶体中存在着空位。这些空位的存在使原子迁移更空位的存在使原子迁移更容易，故大多数情况下，容易，故大多数情况下，原子扩散是借助空位机制原子扩散是借助空位机制。柯肯达尔效应。柯肯达尔效应4、晶界扩散及表面扩散、晶界扩散及表面扩散 对于多晶材料，扩散物质可沿三种不同路径进行，体对于多晶材料，扩散物质可沿三种不同路径进行，体扩散，晶界扩散和表面扩散，并且有扩散，晶界扩散和表面扩散，并且有DL DB C-OC-C 双键不能内旋转，但孤立双键，减

26、少原子或基团从而增大了柔顺性。取代基特性极性越强，相互作用力大，柔顺性越差。非极性，体积越大、不对称，柔顺性差。链长度链短，可内旋转的键少，构象少，无柔顺性。链较长，显示出柔顺性。不过链过长，由于构象数服从统计规律，分子量对柔顺性无影响。102第一百零二页，本课件共有113页3、用分子运动解释高分子的不同力学状态、用分子运动解释高分子的不同力学状态几何形状主要有线型、支化型和三维网状几何形状主要有线型、支化型和三维网状线型非晶态高分子的三种力学状态线型非晶态高分子的三种力学状态103第一百零三页，本课件共有113页玻璃态：玻璃态：TTg分子动能增加，膨胀增加分子动能增加，膨胀增加空间，链段开始

27、响应外力。但整个分子链不能整空间，链段开始响应外力。但整个分子链不能整体运动。体运动。粘流态：粘流态：TTf分子链中的链段可以同时或相继同向分子链中的链段可以同时或相继同向移动，从而整个分子链可以发生位移。变形是不移动，从而整个分子链可以发生位移。变形是不可逆的。可逆的。加工区间：加工区间：Tf Td104第一百零四页，本课件共有113页半导体半导体l纯净的晶体纯净的晶体Si：几乎：几乎不导电不导电（=2.5*105 cm)l加入加入十亿分之一至万分之一杂质十亿分之一至万分之一杂质的硅可具有不同的硅可具有不同的导电能力的导电能力l可使硅具有导电能力的杂质：可使硅具有导电能力的杂质：硼硼(B)提

28、供正电荷提供正电荷(空穴空穴)导电导电-P型半导体型半导体 磷磷(P)、砷、砷(As)提供负电荷提供负电荷(电子电子)导电导电-N型半导体型半导体 105第一百零五页，本课件共有113页P型半导体型半导体N型半导体型半导体半导体半导体-掺杂掺杂106第一百零六页，本课件共有113页半导体技术半导体技术-离子注入离子注入107第一百零七页，本课件共有113页半导体技术半导体技术-离子注入后的结构离子注入后的结构晶格缺陷晶格缺陷内应力内应力掺杂原子没有在硅晶掺杂原子没有在硅晶格，不能发挥作用格，不能发挥作用退火退火怎么解决？怎么解决？108第一百零八页，本课件共有113页离子注入后的退火离子注入后

29、的退火退火过程的扩散退火过程的扩散109第一百零九页，本课件共有113页110第一百一十页，本课件共有113页111第一百一十一页，本课件共有113页吉布斯自由能的微分形式是：吉布斯自由能的微分形式是：dG=SdT+Vdp+dn112第一百一十二页，本课件共有113页T()70060050040035010-910-1110-13103/T(K-1)1.001.201.401.60微量CdCl2掺杂的NaCl单晶中Na的自扩散系数与温度的关系这便是由于两种扩散的这便是由于两种扩散的活化能差异所致活化能差异所致这种弯曲或转折相当于这种弯曲或转折相当于从受杂质控制的非本征从受杂质控制的非本征扩散向本征扩散的变化。扩散向本征扩散的变化。在高温区活化能大的应在高温区活化能大的应为为本征扩散本征扩散，在低温，在低温区的活化能较小的区的活化能较小的应应为非本征扩散为非本征扩散。113第一百一十三页，本课件共有113页