量子霍尔效应的解释优秀PPT.ppt
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1、量子霍尔效应的解释第一页,本课件共有18页量子霍尔效应v冯克利青从金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)发现了一种新的量子霍尔效应他在硅MOSFET管上加两个电极,再把这个硅MOSFET管放到强磁场和极低温下,发现霍耳电阻随栅压变化的曲线上出现了一系列平台,与这些平台相应的霍耳电阻R=h/(ne2),其中n是正整数1,2,3。冯克利青Klaus von Klitzing(1943-)第二页,本课件共有18页量子霍尔效应v现象v1.霍尔电导率 出现与电子密度n无关的一定平台v2.一定的平台是物理常数e2/h整数倍 v意义v1.半导体器件可以作为标准电阻v2.精确测定 e2/hc的值,从
2、而测定精细结构常数第三页,本课件共有18页解释v1.Prange理论v2.洛夫林规范理论第四页,本课件共有18页Prange理论vLandau能级 三维电子气模型 本征值E:第五页,本课件共有18页Prange理论第六页,本课件共有18页Prange理论v电子运动方程v加入电场以后第七页,本课件共有18页Prange理论v考虑杂质散射v电阻率第八页,本课件共有18页Prange理论v考虑了杂质散射的影响,引入迁移率能隙的概念和landau能级展宽第九页,本课件共有18页Prange理论v结论:“局域态的存在不影响霍尔电流的强弱,当电子的费米能级位于局域态时,扩展态的电子输送额外的霍尔电流补偿那
3、些本应由局域态电子贡献的霍尔电流。”第十页,本课件共有18页Prange理论v在扩展态时v在局域态时第十一页,本课件共有18页洛夫林规范理论v考虑二维圆筒,圆筒周长(x方向)为L,外加磁场B处处垂直于圆筒表面,假设圆筒中心存在磁束,体系哈密顿量除由B外,还有磁束引起的Ag,Ag=/L第十二页,本课件共有18页洛夫林规范理论v考虑到规范变换 ,f=-Agxv波函数变换v周期性边界条件要求:为磁通量子第十三页,本课件共有18页洛夫林规范理论v系统哈密顿量:v本征能量:v由于受矢势影响第十四页,本课件共有18页洛夫林规范理论v当磁束绝热改变时,体系回到原来的状态,总的效果是n个电子的体系由y=0移到y=L,能量改变为U=neVv电流I第十五页,本课件共有18页证明的结论v1.霍尔电导率 出现与电子密度n无关的一定平台v2.一定的平台是物理常数e2/h整数倍 第十六页,本课件共有18页参考文献v1.量子霍尔效应 陈颖健 科学文献出版社1993v2.整数量子霍尔效应的问题与解答周荣娟 2003v3.量子霍尔效应杨锡震、田强第十七页,本课件共有18页谢谢大家谢谢大家第十八页,本课件共有18页
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