金属的高温腐蚀优秀PPT.ppt
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1、金属的高温腐蚀第一页,本课件共有41页1 高温氧化的热力学问题 高温氧化倾向的判断 自由焓准则 将金属高温氧化反应方程式写成 2Me+O2=2MeO 当G 0,金属不可能发生氧化;反应向逆方向进行,氧化物分解。第二页,本课件共有41页自由焓变化G的计算公式是 氧化物分解压当PO2 pMeO,G 0,金属能够发生氧化,二者差值愈大,氧化反应倾向愈大。当PO2=pMeO,G=0,反应达到平衡。当PO2 pMeO,G t0)第十七页,本课件共有41页增量(2米厘/毫克)1。0 0。8 0。6 0。4 0。2 0 0。5 1 1。5 2。0时间(小时)500摄氏度时铜的氧化曲线,虚线表示假想膜没有机械
2、性破坏情况下的抛物线。(根据Evans)第十八页,本课件共有41页 300 250 200 150 100 50膜厚(微米)1 10 20时间(分)-3 -2 -1 0 1 2Lg时间(分)实线:直角坐标 虚线:半对数坐标铁在空气中氧化的对数规律305摄氏度252摄氏度第十九页,本课件共有41页 厚膜成长规律的简单推导(自学)氧化与温度的关系温度是金属高温氧化的一个重要因素。在温度恒定时,金属的氧化服从一定的动力学公式,从中反映出氧化过程的机构和控制因素。除直线规律外,氧化速度随试验时间延长而下降,表明氧化膜形成后对金属起到了保护作用。第二十页,本课件共有41页3 高温氧化理论简介 氧化膜的半
3、导体性质氧化物具有晶体结构,而且大多数金属氧化物是非当量化合的。因此,氧化物晶体中存在缺陷,晶体中有过剩金属的离子或过剩氧阴离子;为保持电中性,还有数目相当的自由电子或电子空位。这样,金属氧化物膜不仅有离子导电性,而且有电子导电性。即氧化膜具有半导体性质。第二十一页,本课件共有41页 两类氧化膜(1)金属过剩型,如ZnO 氧化膜的缺陷为间隙锌离子和自由电子。膜的导电性主要靠自由电子,故ZnO称为n型办导体(电子带负电荷)。Zni2+2ei+1/2O2=ZnO 金属过剩型(n型)氧化物的缺陷也可能是氧阴离子空位和自由电子,如Al2O3、Fe2O3。第二十二页,本课件共有41页金属高温氧化说明氧化
4、物金属氧化影响的示意图 Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+O2-O2-Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+O2-O2-Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+eeeeZn2+Zn2+Zno:金属过剩型半导体Zn2+O2-Li+O2-Zn2+O2-O2-Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+Li+O2-Zn2+O2-Li+O2-O2-Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+加入Li+的影响Zn2+O2-Al3+O2-Zn2+O2-O2-Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+Al3+O2-Zn2+O2-Al3+O2-O2-Zn2+O2-Zn2+O2-Zn2+加入Al3+的
5、影响eeZn2+Zn2+Zn2+eeeeeeZn2+第二十三页,本课件共有41页(2)金属不足型,如NiO 由于存在过剩的氧,在生成NiO的过程中产生镍阳离子空位,分别用符号和e表示。电子空位又叫正孔,带正电荷,可以相象为Ni3+。氧化膜导电性主要靠电子空位,故称为p型办导体。1/2O2=NiO+Ni2+e因为电子迁移比离子迁移快得多,故不管是n型还是p型氧化膜,离子迁移都是氧化速度的控制因素。第二十四页,本课件共有41页金属高温氧化说明Hauffe原子价 定律的 Ni3+O2-Ni2+O2-O2-O2-Ni2+O2-Ni3+O2-Ni2+O2-Ni2+O2-Ni2+O2-O2-Ni3+O2-
6、Ni2+O2-Ni3+Nio:金属不足型半导体Ni3+O2-Li+O2-O2-O2-Ni2+O2-Ni3+O2-Ni3+Ni2+O2-Li+O2-Ni2+O2-O2-Ni3+O2-Li+O2-Ni3+加入Li+的影响Cr3+O2-Ni2+O2-O2-O2-Ni2+O2-Ni3+O2-Cr3+O2-Cr3+O2-Ni22+O2-O2-Ni3+O2-O2-Ni3+加入Cr3+的影响第二十五页,本课件共有41页 合金元素的影响(1)形成n型氧化膜的金属(如Zn)当加入低价金属(如Li),ei减少使膜的导电性降低,增多使氧化速度增大。加入高价金属(如Al),则自由电子ei增多,间隙锌离子减少,因而导电
7、性提高,氧化速度下降。第二十六页,本课件共有41页(2)形成p型氧化膜的金属(如Ni)当加入低价金属(如Li),Li+一部分置换Ni2+;一部分占据阳离子空位,使阳离子空位减少,电子空位e增多这就导致膜的导电性提高,氧化速度下降。加入高价金属(如Cr),则阳离子空位增多,氧化速度增大。上述影响称为Hanffe原子价定律,说明少量合金元素(或杂质)对氧化膜中离子缺陷浓度,因而对高温氧化速度的影响。第二十七页,本课件共有41页半导体氧化物类型典型氧化物相对于基体金属的合金元素的原子价电子导电率的变化离子导电率和氧化率的变化 N型半导体(金属过剩)1.间隙阳离子 2.阴离子空位ZnO,CdOAl2O
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