纳米薄膜与粉体优秀PPT.ppt
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1、纳米薄膜与粉体第一页,本课件共有30页一一一一 磁过滤等离子体制备纳米薄膜材料磁过滤等离子体制备纳米薄膜材料 1 1 纳米TiN薄膜材料 2 2 纳米晶体金刚石薄膜材料纳米晶体金刚石薄膜材料 3 3 纳米纳米CN薄膜材料 4 4 纳米Cu3N薄膜的研究的研究二二 等离子体制备纳米金属粉体材料等离子体制备纳米金属粉体材料 1 等离子体制备金属纳米粉体装置 2 2 纳米镍粉体纳米镍粉体 3 3 纳米银粉体 4 4 纳米铜粉体 5 5 纳米铝粉体 6 铁纳米材料铁纳米材料三三 溶胶溶胶溶胶溶胶-凝胶法制备纳米压电陶瓷粉体材料凝胶法制备纳米压电陶瓷粉体材料凝胶法制备纳米压电陶瓷粉体材料凝胶法制备纳米压
2、电陶瓷粉体材料四四四四 纳米镍磷金刚石复合镀研究纳米镍磷金刚石复合镀研究纳米镍磷金刚石复合镀研究纳米镍磷金刚石复合镀研究第二页,本课件共有30页前前言言纳米技术纳米技术纳米技术将是纳米技术将是2121世纪最优先发展的重要领域,可以说纳米研究是目前国际国内最为活跃的研究领域之一。就材料领域来说,纳米材料被誉为跨世纪的新材料。纳米材料可大体分为纳米粉体纳米粉体纳米粉体纳米粉体,纳米薄膜纳米薄膜,纳米块体材料纳米块体材料。它们表现了不同于传统材料的新奇物性。目前已成为材料科学和凝聚态物理研究的前沿热点。国内外的科研人员获得了许多引人注目的成果。但仍然有大量的未知性质和规律需要深入的研究和探索,并相应
3、需要开拓和发掘纳米材料在众多领域的用途。就纳米材料的制备方法来说,有许多不同的方法,可以说各有千秋。但寻找可以高效率,低成本获取优质纳米材料的制备技术,仍然是各国科学家研究的重点。第三页,本课件共有30页 等离子体等离子体作为物质存在的第四态,在地球上很难自然等离子体作为物质存在的第四态,在地球上很难自然存在。等离子体内包含有大量的中性粒子,自由原子、离存在。等离子体内包含有大量的中性粒子,自由原子、离子,自由基,和电子。这种处于高激发态的微观子,自由基,和电子。这种处于高激发态的微观“粒子粒子”可以导致晶体在低温下的核化与生长。可以导致晶体在低温下的核化与生长。等离子体技术几乎可用于所有薄膜
4、材料的制备膜材料的制备膜材料的制备膜材料的制备。由于在等离子体中存在各种离子(或活性粒子),化学反应能力大大提高,因此实际上等离子体沉积技术主要的是应用了等离子体的激活效应。运用该技术制备薄膜可以在低的衬低温度和气相温度下进行。下面我们简单介绍等离子体的一些基础知识。第四页,本课件共有30页第五页,本课件共有30页第六页,本课件共有30页 粉 体 制 备 在纳米在纳米超微细粉体制备超微细粉体制备超微细粉体制备超微细粉体制备过程中,等离子体与其它技术过程中,等离子体与其它技术 相比有许多优点:相比有许多优点:1.1.能获得比化学燃烧高数倍以上的温度,而加热速能获得比化学燃烧高数倍以上的温度,而加
5、热速 度度 比化学燃烧大比化学燃烧大1010倍以上倍以上2 2.导致化学液相法难以合成的高温相化合物快速生成。导致化学液相法难以合成的高温相化合物快速生成。3.3.等离子体在接触冷凝气壁时,表现出特别高的冷却速等离子体在接触冷凝气壁时,表现出特别高的冷却速 度(度(10106 6K/SK/S),),这样的特殊环境把物体这样的特殊环境把物体“冻结冻结”在一种在一种 特殊状态,而这种状态物质的理化性质是在一般冷却特殊状态,而这种状态物质的理化性质是在一般冷却 速度下所不能获得的。速度下所不能获得的。4.4.粉体产品不需粉碎,生成的粒子很少凝聚,容易制得粉体产品不需粉碎,生成的粒子很少凝聚,容易制得
6、 粒度分布范围窄的超细粒子。粒度分布范围窄的超细粒子。5.5.等离子体容易实现工业化生产。等离子体容易实现工业化生产。第七页,本课件共有30页一一 磁过滤等离子体制备纳米薄膜材料磁过滤等离子体制备纳米薄膜材料1 1 纳米结构纳米结构TiNTiN薄膜的磁过滤等离子体制备研究薄膜的磁过滤等离子体制备研究薄膜的磁过滤等离子体制备研究薄膜的磁过滤等离子体制备研究摘要摘要摘要摘要:利用我们自主研制的磁过滤等离子体设备,在室温条利用我们自主研制的磁过滤等离子体设备,在室温条件下的不锈钢基底上成功地制备了性能良好的纳米结构件下的不锈钢基底上成功地制备了性能良好的纳米结构 TiNTiN 薄膜。运用SEMSEM
7、,AFM,XRDAFM,XRD和和IR对其结构和形貌进行了表征。对其结构和形貌进行了表征。利用纳米硬度仪和动摩擦系数精密测定仪测量了利用纳米硬度仪和动摩擦系数精密测定仪测量了TiN薄膜的硬薄膜的硬度,弹性摸量和摩擦学性能。结果显示:沉积的度,弹性摸量和摩擦学性能。结果显示:沉积的TiN薄膜表面非常平整光滑,致密而无缺陷,硬度远高于TiN块体的块体的硬度,晶粒的尺寸可以控制在几个到几十个纳米左右硬度,晶粒的尺寸可以控制在几个到几十个纳米左右;第八页,本课件共有30页磁磁过过滤滤等等离离子子体体原原理理与与装装置置第九页,本课件共有30页磁过滤等离子体管外观图磁过滤等离子体管外观图第十页,本课件共
8、有30页 60 度弯管磁过滤等离子体装置第十一页,本课件共有30页 “S S”型磁过滤等离子体装置型磁过滤等离子体装置第十二页,本课件共有30页 纳米纳米TiN薄膜的薄膜的SEM图像图像第十三页,本课件共有30页纳米纳米TiNTiN薄膜的薄膜的AFMAFM平面图平面图第十四页,本课件共有30页 纳米纳米TiNTiN薄膜的薄膜的XRDXRD图谱图谱随随偏偏压压的的增增加加,TiN晶晶面面(111)的的择择优优取取向向更更加加明明显显.角角度度都普遍向小角度位移,这是由于晶粒的细化和畸都普遍向小角度位移,这是由于晶粒的细化和畸变引起的。变引起的。第十五页,本课件共有30页图2晶粒尺寸与显微硬度的关
9、系第十六页,本课件共有30页主要结论主要结论:室温下可沉积出室温下可沉积出TiNTiN薄膜,沉积过程中在基底上施加的负偏压会强薄膜,沉积过程中在基底上施加的负偏压会强烈影响纳米烈影响纳米TiNTiN薄膜的结构和性能。通过改变偏压可以有效控制薄膜的结构和性能。通过改变偏压可以有效控制纳米晶粒的大小。发现显微硬度随纳米纳米晶粒的大小。发现显微硬度随纳米TiNTiN晶粒尺寸变化规律,晶粒尺寸变化规律,显微硬度强烈的依赖于纳米晶粒的大小,并在晶粒尺寸为显微硬度强烈的依赖于纳米晶粒的大小,并在晶粒尺寸为13.113.1nmnm使硬度到到最大值使硬度到到最大值4242Gpa,Gpa,此值远远高于标准此值远
10、远高于标准TiNTiN硬度值硬度值,小于或大于这个尺寸的小于或大于这个尺寸的TiNTiN薄膜硬度都低于薄膜硬度都低于4242GPaGPa。而晶粒大小则而晶粒大小则受到偏压的决定,随施加偏压的增加,纳米晶粒的平均尺寸逐渐受到偏压的决定,随施加偏压的增加,纳米晶粒的平均尺寸逐渐增大增大.在晶粒尺寸大于在晶粒尺寸大于13.113.1nmnm范围内硬度基本满足范围内硬度基本满足Hell-petchHell-petch关系,关系,但在小于但在小于13.113.1nmnm范围内范围内,不满足正常的不满足正常的Hell-PetchHell-Petch关系。关系。XRDXRD衍衍射试验表明纳米射试验表明纳米T
11、iNTiN的衍射角都普遍向小角度移动的衍射角都普遍向小角度移动,晶粒取向也晶粒取向也受到离子能量的强烈影响受到离子能量的强烈影响,随偏压的增加,随偏压的增加,TiNTiN沿(沿(111111)晶面择)晶面择优生长。晶粒尺寸与光学性能关系密切,反射率强烈依赖于晶粒优生长。晶粒尺寸与光学性能关系密切,反射率强烈依赖于晶粒大小,我们做出了黑色氮化钛,但这一结果还有赖于进一步分析。大小,我们做出了黑色氮化钛,但这一结果还有赖于进一步分析。第十七页,本课件共有30页2 纳米晶体金刚石薄膜材料我们用磁过滤等离子体技术在室温下沉积的不含我们用磁过滤等离子体技术在室温下沉积的不含H H的纳米金刚石的纳米金刚石
12、薄膜中的薄膜中的spspspsp3 3 3 3含量达到含量达到90%90%90%90%以上,硬度可高达以上,硬度可高达80808080GPa,GPa,GPa,GPa,远高于其远高于其它技术制备的非晶碳膜(如溅射技术,最高它技术制备的非晶碳膜(如溅射技术,最高2020Gpa,Gpa,目前电脑目前电脑硬盘上表面镀硬盘上表面镀DLCDLC常用),摩擦系数在常用),摩擦系数在0.110.11左右左右,与基底粘结牢与基底粘结牢固,薄膜的粗糙度小到固,薄膜的粗糙度小到0.10.50.10.5nm,nm,各项指标均接近天然金刚各项指标均接近天然金刚石,且成本很低。根据需要,沉积离子的平均能量可以从几石,且成
13、本很低。根据需要,沉积离子的平均能量可以从几十十 到几千电子伏特范围内选择,离子密度可高达到几千电子伏特范围内选择,离子密度可高达1010101013 13 13 13 cm cm cm cm-3-3-3-3,远远远远高于其它类型的低温等离子体,与托可马克边缘等离子体密度接高于其它类型的低温等离子体,与托可马克边缘等离子体密度接近。因此该技术可用于微电子,电脑磁盘或者飞行器(近。因此该技术可用于微电子,电脑磁盘或者飞行器(sliderslider),精精密玻璃,各种光盘,精密机械等材料的表面改性处理上。密玻璃,各种光盘,精密机械等材料的表面改性处理上。第十八页,本课件共有30页纳米金刚石薄膜A
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