准静态电磁场精选课件.ppt
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1、关于准静态电磁场第一页,本课件共有49页08.12.202211 电准静态场电准静态场特点特点:与静电场相比,磁场方程发生变化,电场方程无变化。与静电场相比,磁场方程发生变化,电场方程无变化。5.1 电准静态场和磁准静态场电准静态场和磁准静态场Electroquasistatic and Magnetoquasistatic基本方程组(微分形式):基本方程组(微分形式):定义:定义:若库仑电场若库仑电场Ec远大于感应电场远大于感应电场Ei,电场呈无旋时,电场呈无旋时,即即 此时的电磁场称为电准静态场。此时的电磁场称为电准静态场。第二页,本课件共有49页08.12.20222电荷电荷分布分布静电
2、场公式静电场公式、求解方法:分两步求解方法:分两步1)电场的求解采用静电场的公式)电场的求解采用静电场的公式2)磁场的求解通过电准静态场的基本方程求解)磁场的求解通过电准静态场的基本方程求解第三页,本课件共有49页08.12.20223例例1 内外导体半径分别为内外导体半径分别为a和和b的同轴圆柱形电容器,其长度为的同轴圆柱形电容器,其长度为l(a,b),),充填有电介质(充填有电介质(,)。若内外导体间加一正弦电压)。若内外导体间加一正弦电压u=U0sint,且假定频,且假定频率不高,则可认为电容器内的电场分布与恒定情况相同。试求率不高,则可认为电容器内的电场分布与恒定情况相同。试求(1)电
3、容器中)电容器中的电场强度的电场强度E;(;(2)证明通过半径为)证明通过半径为的圆柱面的位移电流总值等于电容器引的圆柱面的位移电流总值等于电容器引线中的传导电流。线中的传导电流。解:由于频率不高,故电场为电准静态场解:由于频率不高,故电场为电准静态场第四页,本课件共有49页08.12.20224特点特点:与恒定磁场相比,电场方程发生变化,磁场方程无变化与恒定磁场相比,电场方程发生变化,磁场方程无变化2 磁准静态场磁准静态场 基本方程组(微分形式):基本方程组(微分形式):若传导电流远大于位移电流,忽略二次源若传导电流远大于位移电流,忽略二次源 的的作用,即作用,即定义:定义:此时的电磁场称为
4、磁准静态场。此时的电磁场称为磁准静态场。第五页,本课件共有49页08.12.20225求解方法:分两步求解方法:分两步1)磁场的求解静态场的公式)磁场的求解静态场的公式2)电场的求解通过磁准静态场的基本方程求解)电场的求解通过磁准静态场的基本方程求解似稳场似稳场第六页,本课件共有49页08.12.20226忽略位移电流的条件(似稳条件)忽略位移电流的条件(似稳条件)a.导体内的时变电磁场导体内的时变电磁场 涡流场:涡流场:导体中的磁准静态场。导体中的磁准静态场。良导体:良导体:满足满足的导体。的导体。b.理想介质中的时变电磁场理想介质中的时变电磁场 R 近区或似稳区近区或似稳区第七页,本课件共
5、有49页08.12.20227MQS场的电场按场的电场按 计算。计算。EQS 与与 MQS 的共性与个性的共性与个性思考思考1.满足泊松方程,说明满足泊松方程,说明 EQS 和和 MQS 忽略了滞后效忽略了滞后效2.应,属于似稳场。应,属于似稳场。EQS场的磁场按场的磁场按 计算。计算。3.EQS 场的电场与静电场满足相同的微分方程,在任一时场的电场与静电场满足相同的微分方程,在任一时 刻刻 t,两种电场分布一致,解题方法相同。,两种电场分布一致,解题方法相同。2.在在 EQS 和和 MQS 场中,同时存在着电场与磁场,两者相互场中,同时存在着电场与磁场,两者相互 依存。依存。4.MQS场的磁
6、场与恒定磁场满足相同的基本方程,在任一时场的磁场与恒定磁场满足相同的基本方程,在任一时 刻刻 t ,两种磁场分布一致,解题方法相同。,两种磁场分布一致,解题方法相同。第八页,本课件共有49页08.12.20228即集总电路的基尔霍夫电流定律即集总电路的基尔霍夫电流定律1 证明基尔霍夫电流定律证明基尔霍夫电流定律5.2 磁准静态场与电路磁准静态场与电路MQS Filed and Circuit在在 MQS 场中,场中,结点电流结点电流第九页,本课件共有49页08.12.202292 证明基尔霍夫电压定律证明基尔霍夫电压定律环路电压环路电压AB.即集总电路的基尔霍夫电压定律即集总电路的基尔霍夫电压
7、定律 第十页,本课件共有49页08.12.2022103 磁准静态场与电路磁准静态场与电路a.磁准静态场方程是交流电路的场理论基础。磁准静态场方程是交流电路的场理论基础。b.b.电路理论是在特殊条件下的麦克斯韦电磁理论电路理论是在特殊条件下的麦克斯韦电磁理论的近似。的近似。c.c.当系统尺寸远小于波长时,推迟效应可以忽略,当系统尺寸远小于波长时,推迟效应可以忽略,此时采用磁准静态场定律来研究。此时采用磁准静态场定律来研究。第十一页,本课件共有49页08.12.202211例例2 用磁准静态场的方法处理同轴电缆内的电磁问题。设用磁准静态场的方法处理同轴电缆内的电磁问题。设电源到负载的距离远小于六
8、分之一波长。电源到负载的距离远小于六分之一波长。解:解:Iab第十二页,本课件共有49页08.12.202212电荷驰豫电荷驰豫:在导体中,自由电荷体密度随时间衰减的过程。在导体中,自由电荷体密度随时间衰减的过程。设导电媒质设导电媒质 均匀,且各向同性,均匀,且各向同性,由电荷守恒定律由电荷守恒定律5.3 电准静态场与电荷驰豫电准静态场与电荷驰豫 EQS Field and Charge Relaxation1 电荷在均匀导体中的驰豫过程电荷在均匀导体中的驰豫过程(Charge Relaxation Process in Uniform Conductive Medium)自由电荷密度满足的方
9、程:自由电荷密度满足的方程:由由 及高斯定律及高斯定律第十三页,本课件共有49页08.12.202213 为为 时的电荷分布时的电荷分布,驰豫时间。驰豫时间。在导体中的自由电荷体密度随时间按指数规律衰减,其在导体中的自由电荷体密度随时间按指数规律衰减,其衰减快慢取决于驰豫时间。衰减快慢取决于驰豫时间。其解为其解为 良导体中良导体中,0半无限大导体中,正弦电流沿半无限大导体中,正弦电流沿 y y 轴轴流动,并在流动,并在yozyoz平面上处处相等,则平面上处处相等,则第二十六页,本课件共有49页08.12.202226通解通解式中式中当当 有限,故有限,故第二十七页,本课件共有49页08.12.
10、202227则由电流密度、电场强度以及磁场强度的电流密度、电场强度以及磁场强度的振幅振幅沿导体纵深按沿导体纵深按指数规律指数规律衰减衰减,相位相位也随之也随之改变改变。第二十八页,本课件共有49页08.12.202228透入深度透入深度(skin depth)d:表示场量在良导体中的集肤程度。它等:表示场量在良导体中的集肤程度。它等于场量振幅衰减到其表面值的于场量振幅衰减到其表面值的1/e 时所经过的距离。时所经过的距离。结论:结论:频率越高,导体导电性能越好,集肤效应越显著。频率越高,导体导电性能越好,集肤效应越显著。第二十九页,本课件共有49页08.12.2022291 涡流(涡流(Edd
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