逻辑门电路与触发器.ppt

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1、上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power第第 三三 章章逻辑门电路与触发器逻辑门电路与触发器上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power集集成成门门电电路路和和触触发发器器等等逻逻辑辑器器件件是是实实现现数数字字系系统统功功能能的的物质基础。物质基础。随着微电子技术的发展，人们把实现各种逻辑功能的元器件及其连线都集

2、中制造在同一块半导体材料小片上，并封装在一个壳体中，通过引线与外界联系，即构成所谓的集集成成电路块，电路块，通常又称为通常又称为集成电路芯片集成电路芯片。采用集成电路进行数字系统设计的优点：优点：可可靠靠性性高高、可可维维性性好好、功功耗耗低低、成成本本低低等等优优点点，可可以以大大大简化设计和调试过程。大简化设计和调试过程。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power 本章知识要点本章知识要点:半导体器件的开关特性；半导体器件的开关特性；逻辑门电路的功能

3、、外部特性及使用方法；逻辑门电路的功能、外部特性及使用方法；常用触发器的功能、触发方式与外部工作特性。常用触发器的功能、触发方式与外部工作特性。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power 3.1 数字集成电路的分数字集成电路的分类类数字集成电路通常按照所用半导体器件的不同或者根据集成规模的大小进行分类。一、根据所采用的半导体器件进行分类一、根据所采用的半导体器件进行分类 根据所采用的半导体器件，数字集成电路可以分为两大类。两大类。1.双极型集成电路：双极

4、型集成电路：采用双极型半导体器件作为元件。主要特点是速度快、负载能力强，但功耗较大、速度快、负载能力强，但功耗较大、集成度较低。集成度较低。2.单极型集成电路单极型集成电路(又称为又称为MOS集成电路集成电路):采用金属-氧化物半导体场效应管(Metel Oxide Semiconductor Field Effect Transister)作为元件。主要特点是结构简单、制造方便、集结构简单、制造方便、集成度高、功耗低，但速度较慢。成度高、功耗低，但速度较慢。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai Univer

5、sity of Electronic Power双极型集成电路又可进一步可分为：双极型集成电路又可进一步可分为：TTL(Transistor Transistor Logic)电路；电路；ECL(Emitter Coupled Logic)电路；电路；I2L(Integrated Injection Logic)电路。电路。TTL电路的电路的“性能价格比性能价格比”最佳，应用最广泛。最佳，应用最广泛。MOS集成电路又可进一步分为：集成电路又可进一步分为：PMOS(P-channel Metel Oxide Semiconductor)；NMOS(N-channel Metel Oxide Se

6、miconductor)；CMOS(Complement Metal Oxide Semiconductor)。CMOS电电路路应应用用较较普普遍遍，因因为为它它不不但但适适用用于于通通用用逻逻电电路路的设计，而且综合性能最好的设计，而且综合性能最好。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power二、根据集成电路规模的大小进行分类二、根据集成电路规模的大小进行分类通常根据一片集成电路芯片上包含的逻辑门个数或元件个数，分为 SSI、MSI、LSI、VLSI。1

7、.SSI(Small Scale Integration)小规模集成电路小规模集成电路:逻辑门数小于10 门(或元件数小于100个)；2.MSI(Medium Scale Integration)中规模集成电路中规模集成电路:逻辑门数为10 门99 门(或元件数100个999个)；3.LSI(Large Scale Integration)大规模集成电路大规模集成电路:逻辑门数为100 门9999 门(或元件数1000个99999个)；4.VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集超大规模集成电路成电路:逻辑门数大于10000 门(或元件数大于100000个

8、)。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power3.2 半导体器件的开关特性半导体器件的开关特性数数字字电电路路中中的的晶晶体体二二极极管管、三三极极管管和和MOS管管等等器器件件一一般般是是以以开开关关方方式式运运用用的的，其其工工作作状状态态相相当当于于相相当当于于开开关关的的“接接通通”与与“断开断开”。数子系统中的半导体器件运用在开关频率十分高的电路中(通常开关状态变化的速度可高达每秒百万次数量级甚至千万次数量级)，研究这些器件的开关特性时，不仅要

9、研究它们的静静止止特性特性，而且还要分析它们的动态特性动态特性。静态特性是指二极管在导通和截止两种稳定状态下的特性。静态特性是指二极管在导通和截止两种稳定状态下的特性。3.2.1 晶体二极管的开关特性晶体二极管的开关特性一、静态特性一、静态特性 上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power典型二极管的静态特性曲线典型二极管的静态特性曲线(又称伏安特性曲线又称伏安特性曲线)：1.正向特性正向特性门门槛槛电电压压(VTH)：使二极管开始导通的正向电压，又称为阈

10、值电压(一般锗管约0.1V，硅管约0.5V)。正向电压正向电压 VD VTH ：管子截止，电阻很大、正向电流 IF 接近于 0，二极管类似于开关的断开状态；正向电压正向电压 VD =VTH ：管子开始导通，正向电流 IF 开始上升；正向电压正向电压 VD VTH(一般锗管为一般锗管为0.3V，硅管为，硅管为0.7V)：管子充分导通，电阻很小，正向电流IF 急剧增加，二极管类似于开关的接 通状态。使二极管充分导通的电压为导通电压，用VF表示。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of El

11、ectronic Power 2 反向特性反向特性 二极管在反向电压VR 作用下，处于截止状态，反向电阻很大，反向电流 IR 很小（将其称为反向饱和电流，用 IS 表示，通常可忽略不计），二极管的状态类似于开关断开。二极管的状态类似于开关断开。而且反向电压在一定范围内变化基本不引起反向电流的变化。注意事项：注意事项：正向导通时可能因电流过大而导致二极管烧坏。组成实际电路时通常要串接一只电阻 R，以限制二极管的正向电流；反向电压超过某个极限值时，将使反向电流IR突然猛增，致使二极管被击穿（通常将该反向电压极限值称为反向击反向击穿电压穿电压VBR），一般不允许反向电压超过此值。上海电力学院 Sha

12、nghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power二极管组成的开关电路图如图（a）所示。二极管导通状态下的等效电路如图(b)所示，截止状态下的等效电路如图(c)所示，图中忽略了二极管的正向压降。二极管开关电路及其等效电路DU0RR断开R关闭(a)(b)(c)由于二极管的单向导电性，所以在数字电路中经常把它由于二极管的单向导电性，所以在数字电路中经常把它当作开关使用。当作开关使用。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院

13、 Shanghai University of Electronic Power二、二、动态特性动态特性二极管的动态特性是指二极管在导通与截止两种状态转二极管的动态特性是指二极管在导通与截止两种状态转换过程中的特性，它表现在完成两种状态之间的转换需要一换过程中的特性，它表现在完成两种状态之间的转换需要一定的时间。为此，引入了反向恢复时间和开通时间的概念。定的时间。为此，引入了反向恢复时间和开通时间的概念。1.反向恢复时间反向恢复时间反向恢复时间：反向恢复时间：二极管从正向导通到反向截止所需要的时间称为反向恢复时间。反向恢复时间反向恢复时间tre=存储时间存储时间ts+渡越时间渡越时间tt上海电

14、力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power 2.开通时间开通时间开开通通时时间间：二极管从反向截止到正向导通的时间称为开通时间。二极管的开通时间很短，对开关速度影响很小，相二极管的开通时间很短，对开关速度影响很小，相对反向恢复时间而言几乎可以忽略不计。对反向恢复时间而言几乎可以忽略不计。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic P

15、ower 3.2.2 晶体三极管的开关特性晶体三极管的开关特性晶体三极管由集电结和发射结两个PN结构成。根据两个PN结的偏置极性，三极管有截止、放大、饱和截止、放大、饱和3种工作状态。一、静态特性一、静态特性上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power晶晶体体三三极极管管在在截截止止与与饱饱和和这这两两种种稳稳态态下下的的特特性性称称为为三三极极管的静态开关特性。管的静态开关特性。在在数数字字逻逻辑辑电电路路中中，三三极极管管相相当当于于一一个个由由基基极

16、极信信号号控控制制的的无无触触点点开开关关，其其作作用用对对应应于于触触点点开开关关的的“闭闭合合”与与“断断开开”。电路在三极管截止截止与饱和饱和状态下的等效电路如下:上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power晶晶体体三三极极管管在在饱饱和和与与截截止止两两种种状状态态转转换换过过程程中中具具有有的的特特性性称为三极管的动态特性。称为三极管的动态特性。三极管的开关过程和二极管一样，管子内部也存在着电荷的建立与消失过程。因此，两种状态的转换也需要一定的时

17、间才能完成。二、动态特性二、动态特性上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power 1开通时间开通时间（ton）开通时间：开通时间：三极管从截止状态到饱和状态所需要的时间。时间时间ton=延迟时间延迟时间td+上升时间上升时间tr 2.关闭时间关闭时间（toff）关闭时间关闭时间：三极管从饱和状态到截止状态所需要的时间。关闭时间关闭时间toff=存储时间存储时间ts+下降时间下降时间tf 开通时间ton和关闭时间toff是影响电路工作速度的主要因素。上海电力

18、学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power3.2.3 MOS管的开关特性管的开关特性一、静态特性一、静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。MOS管是电压控制元件，主要由栅源电压管是电压控制元件，主要由栅源电压vGS决定其工决定其工作状态。作状态。工作特性如下：工作特性如下：当当VGS开开启启电电压压VTN时时：MOS管工作在截止区，输出电压vDS VDD，MOS管处于“断开”状态;当当VDSVGSVTN时时：MOS管工作在导通区，输出电

19、压vDS 0V，MOS管处于“接通”状态。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power二、动态特性二、动态特性MOS管本身导通和截止时电荷积累和消散的时间很小。动态特性主要取决于电路中杂散电容充、放电所需动态特性主要取决于电路中杂散电容充、放电所需的时间。的时间。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power为了提高为了

20、提高MOS器件的工作速度，引入了器件的工作速度，引入了CMOS电路。电路。在在CMOS电电路路中中，由由于于充充电电电电路路和和放放电电电电路路都都是是低低阻阻电电路路，因因此此，其其充充、放放电电过过程程都都比比较较快快，从从而而使使CMOS电电路路有有较高的开关速度。较高的开关速度。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power 3.3 3.3逻逻 辑辑 门门 电电 路路实实现现基基本本逻逻辑辑运运算算和和常常用用复复合合逻逻辑辑运运算算的的逻逻辑辑器器

21、件件统统称称为逻辑门电路，它们是组成数字系统的基本单元电路。为逻辑门电路，它们是组成数字系统的基本单元电路。学学习习时时应应重重点点掌掌握握集集成成逻逻辑辑门门电电路路的的功功能能和和外外部部特特性性，以以及及器器件件的的使使用用方方法法。对对其其内内部部结结构构和和工工作作原原理理只只要要求求作作一一般了解。般了解。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power3.3.1 TTL 集成逻辑门电路集成逻辑门电路TTL(Transistor Transisto

22、r Logic)电路是晶体电路是晶体管管-晶体管逻辑电路的简称。晶体管逻辑电路的简称。TTL电路的功耗大、线路较复杂，使其集成度受到电路的功耗大、线路较复杂，使其集成度受到一定的限制，故广泛应用于中小规模逻辑电路中。一定的限制，故广泛应用于中小规模逻辑电路中。下面，对几种常见TTL门电路进行介绍，重点讨论TTL与非门。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power一、典型一、典型TTL与非门与非门 该电路可按 图中虚线划分为三部分：三部分：输入级输入级 由多

23、发射极晶体管T1和电阻R1组成；中间级中间级 由晶体管T2和电阻R2、R3组成；输出级输出级 由晶体管T3、T4、D4和电阻R4、R5组成。1.电路结构及工作原理电路结构及工作原理 (1)电路结构电路结构典型TTL与非门电路图及相应逻辑符号如右图所示。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power(2)工作原理工作原理逻辑功能分析如下：逻辑功能分析如下：输输入入端端全全部部接接高高电电平平(3.6V)：电电源源V Vcccc通通过过R R1 1和和T T1

24、1的的集集电电结结向向T T2 2提提供供足足够够的的基基极极电电流流，使使T T2 2饱饱和和导导通通。T T2 2的的发发射射极极电电流流在在R R3 3上上产产生生的的压降又使压降又使 T T4 4 饱和导通，输出为低电平饱和导通，输出为低电平(0.3V)(0.3V)。实现了实现了“输入全高输入全高，输出为低，输出为低”的逻辑关系。的逻辑关系。当有输入端接低电平当有输入端接低电平(0.3V)时：时：输入端接低电平的发射结导通，输入端接低电平的发射结导通，使使T1的基极电位的基极电位Vb1=0.3V+0.7V=1V。该电压作用于。该电压作用于T1的集电结和的集电结和T2、T4的的发射结上，

25、不可能使发射结上，不可能使T2和和T4导通。导通。由于由于T2截止，电源截止，电源VCC通过通过R2驱动驱动T3和和D4管，使之工作在导通状态，电路输出为高电平管，使之工作在导通状态，电路输出为高电平(3.6V)。实现了实现了“输入有低，输出为高输入有低，输出为高”的逻辑功能。的逻辑功能。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power 归归纳纳：当当输输入入A A、B B、C C均均为为高高电电平平时时，输输出出为为低低电电平平(0V)(0V)；当当A A、B B、C C中中至至少少有有一一个个为为低低电电平平时时，输输出出为为高高电电平平(3.6

26、V)(3.6V)。输出与输入之间为。输出与输入之间为“与非与非”逻辑，即逻辑，即上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power2.主要外部特性参数主要外部特性参数TTL与非门的主要外部特性参数有输出逻辑电平、开门电平、关门电平、扇入系数、扇出系数、平均传输时延和空载功耗等。(2)输出低电平输出低电平VOL：输出低电平输出低电平VoLVoL是指输入全为高电平时的输是指输入全为高电平时的输 出电平。出电平。VOLVOL的典型值是的典型值是0.3V0.3V。(1)

27、输出高电平输出高电平VOH：指至少有一个输入端接低电平时的输出电指至少有一个输入端接低电平时的输出电 平。平。V VOHOH的典型值是的典型值是3.6V3.6V。(3)开门电平开门电平VO N ：指在额定负载下，使输出电平达到标准低电平指在额定负载下，使输出电平达到标准低电平 V VSLSL的输入电平，它表示使与非门开通的最小输的输入电平，它表示使与非门开通的最小输 入电平。入电平。V VONON的产品规范值为的产品规范值为V VONON1.8V1.8V。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai Universi

28、ty of Electronic Power(4)关门电平关门电平VOFF：指输出空载时，使输出电平达到标准高电平指输出空载时，使输出电平达到标准高电平V VSHSH的的 输入电平，它表示使与非门关断所允许的最大输输入电平，它表示使与非门关断所允许的最大输 入电平。入电平。V VOFFOFF 的产品规范值的产品规范值V VOFFOFF0.8V0.8V。(5)扇入系数扇入系数Ni：指与非门允许的输入端数目。指与非门允许的输入端数目。(6)扇出系数扇出系数No：指与非门输出端连接同类门的最多个数。指与非门输出端连接同类门的最多个数。(7)输入短路电流输入短路电流IiS：指当与非门的某一个输入端接地

29、而其余输入指当与非门的某一个输入端接地而其余输入 端端 悬空时，流过接地输入端的电流。悬空时，流过接地输入端的电流。(8)高电平输入电流高电平输入电流IiH：指某一输入端接高电平，而其他输入端接地指某一输入端接高电平，而其他输入端接地 时，流入高电平输入端的电流，又称为输入时，流入高电平输入端的电流，又称为输入 漏电流。漏电流。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power (9)平均传输延迟时间平均传输延迟时间tpd:指一个矩形波信号从与非门输入端传到与指

30、一个矩形波信号从与非门输入端传到与 非门输出端非门输出端(反相输出反相输出)所延迟的时间。通常所延迟的时间。通常 将从输入波上沿中点到输出波下沿中点的将从输入波上沿中点到输出波下沿中点的 时间延迟称为导通延迟时间时间延迟称为导通延迟时间tpdL；从输入；从输入 波下沿中点到输出波上沿中点的时间延迟波下沿中点到输出波上沿中点的时间延迟 称为截止延迟时间称为截止延迟时间tpdH。平均延迟时间为平均延迟时间为：tpd=(tpdL+tpdH)/2(10)空载功耗空载功耗P：指与非门空载时电源总电流指与非门空载时电源总电流I ICCCC和电源电压和电源电压V VCCCC的乘积。的乘积。输出为低电平时的功

31、耗称为空载导通功耗输出为低电平时的功耗称为空载导通功耗P PONON，输出为，输出为 高电平时的功耗称为空载截止功耗高电平时的功耗称为空载截止功耗P POFFOFF 。平均功耗为：平均功耗为：P=(PON+POFF)/2 上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power 3.TTL与非门集成电路芯片与非门集成电路芯片TTL与非门集成电路芯片种类很多，常用的TTL与非门集成电路芯片有7400和7420等。7400的引脚分配图如图(a)所示；7420的引脚分配图如

32、图(b)所示。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power二、其他功能的二、其他功能的TTL门电路门电路 集成集成TTLTTL门电路还有门电路还有与门、或门、非门、或非门、与或非门、异或与门、或门、非门、或非门、与或非门、异或门门等不同功能的产品。此外，还有两种特殊门电路等不同功能的产品。此外，还有两种特殊门电路集电极开路门集电极开路门(OC(OC门门)和三和三 态门态门(TS(TS门门)。(1)非门非门 1.几种常用的几种常用的TTL门电路门电路上海电力

33、学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power(2)或非门或非门 常用的TTL或非门集成电路芯片有2输入4或非门7402等。7402的引脚分配图如下图所示。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power(3)与或非门与或非门 常用的常用的TTL与或非门集成电路芯片与或非门集成电路芯片7451的引脚排列图的引脚排列图如下图所示。如下

34、图所示。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power2.两种特殊的门电路两种特殊的门电路 (1)集电极开路门集电极开路门(OC门门)集电极开路门(Open Collector Gate）是一种输出端可以直接相互连接的特殊逻辑门，简称OC门。图给出了一个集电极开路与非门的电路结构图和逻辑符号。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electron

35、ic Power 注意！集电极开路与非门只有在外接负载电阻注意！集电极开路与非门只有在外接负载电阻RL和和电源电源UCC后才能正常工作。后才能正常工作。集电极开路与非门在计算机中应用很广泛，可以用它实现线与逻辑、电平转换以及直接驱动发光二极管、干簧继电器等。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power(2)三态输出门三态输出门(TS门门)三态输出门有三种输出状态：三态输出门有三种输出状态：输出高电平、输出低电输出高电平、输出低电平和高阻状态，前两种状态为工

36、作状态，后一种状态为禁平和高阻状态，前两种状态为工作状态，后一种状态为禁止状态止状态。简称三态门(Three state Gate)、TS门等。注意注意!三态门不是指具有三种逻辑值。三态门不是指具有三种逻辑值。如何使电路处在工作状态和禁止状态？如何使电路处在工作状态和禁止状态？通过外加控制信号！通过外加控制信号！上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power例如：例如：该电路逻辑功能如下：该电路逻辑功能如下：EN=0：二极管D反偏，此时电路功能与一般与非门无

37、区别，输出 ；EN=1：一方面因为T1有一个输入端为低，使T2、T5截止。另一方面由于二极管导通，迫使T3的基极电位变低，致使T3、T4也截止。输出F便被悬空，即处于高阻状态。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power三三态态门门常常用用于于总总线线传传输输控控制制。如如下下图图所所示示，用用两两种种不不同同控控制制输输入入的三态门可构成的双向总线。的三态门可构成的双向总线。图中：EN=1时时:G1工作，G2处于高阻状态，数据D1被取反后送至总线；EN=

38、0时时:G2工作，G1处于高阻状态，总线上的数据被取反后送到数据端D2。实现了数据的分时双向传送。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power3.3.2 CMOS3.3.2 CMOS集成逻辑门电路集成逻辑门电路MOS型集成门电路的主要优点：制造工艺简单、集成度优点：制造工艺简单、集成度高、功耗小、抗干扰能力强等；主要缺点：速度相对高、功耗小、抗干扰能力强等；主要缺点：速度相对TTL电电路较低路较低。MOS门电路有三种类型：门电路有三种类型：使用P沟道管的P

39、MOS电路；使用N沟道管的NMOS电路；同时使用PMOS管和NMOS管的CMOS电路。相比之下，CMOS电电路路性性能能更更优优，是当前应用较普遍的逻辑电路之一。下面，仅讨论CMOS集成逻辑门。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power一、一、CMOSCMOS反相器反相器 由一个N沟道增强型MOS管TN和一个P沟道增强型MOS管TP组成的CMOS反相器如下图所示。电路正常工作条件：电路正常工作条件：VDD大于大于TN管开启电压管开启电压VTN和和TP管开

40、启电压管开启电压VTP的绝的绝对值之和，即对值之和，即 VDDVTN+|VTP|。工作原理：工作原理：vi=0V，TN截止，截止，TP导通，导通，vOVDD为高电平；为高电平；vi=VDD，TN导导通，通，TP截止，截止，vO0V。实现了。实现了非非 的逻辑功能。的逻辑功能。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power二、二、CMOSCMOS与非门与非门由两个串联的NMOS管和两个并联的PMOS管构成的两输入端的CMOS与非门电路如下图所示。工作原理：工作

41、原理：当输入A、B均为高电平时，TN1和TN2导通，TP1和TP2截止，输出端F为低电平；当输入A、B中至少有一个为低电平时，对应的TN1 和TN2中至少有一个截止，TP1和TP2中至少有一个导通，输出F为高电平。该电路实现了该电路实现了“与非与非”逻辑功能逻辑功能。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power三、三、CMOSCMOS或非门或非门由两个并联的NMOS管和两个串联的PMOS管构成一个两个输入端的CMOS或非门电路如下图所示。每个输入端连接到一

42、个NMOS管和一个PMOS管的栅极。工作原理：工作原理：当输入A、B均为低电平时，TN1和TN2截止，TP1和TP2导通，输出F为高电平；当输入端A、B 中至少有一个为高电平时，则对应的TN1、TN2中便至少有一个导通，TP1、TP2中便至少有一个截止，使输出F为低电平。该电路实现了该电路实现了“或非或非”逻辑功能。逻辑功能。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power四、四、CMOS三态门三态门EN=1：TN和和TP同时截止，输出同时截止，输出F呈高阻状

43、态；呈高阻状态；EN=0：TN和和TP同时导通，非门同时导通，非门正常工作，实现的功能。正常工作，实现的功能。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power 3.3.3 正逻辑和负逻辑正逻辑和负逻辑前面讨论各种逻辑门电路的逻辑功能时，约定用高电平表示逻辑1、低电平表示逻辑0。事实上，既可以规定用高电平表示逻辑1、低电平表示逻辑0，也可以规定用高电平表示逻辑0，低电平表示逻辑1。这就引出了正逻辑和负逻辑的概念。正逻辑：正逻辑：用高电平表示逻辑用高电平表示逻辑1

44、，低电平表示逻辑，低电平表示逻辑0。负逻辑：负逻辑：用高电平表示逻辑用高电平表示逻辑0，低电平表示逻辑，低电平表示逻辑1。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power前面讨论各种逻辑门电路时，都是按照正逻辑规定来定义其逻辑功能的。在在本本课课程程中中，若若无无特特殊殊说说明明，约约定定按按正正逻逻辑辑讨讨论论问问题，所有门电路的符号均按正逻辑表示。题，所有门电路的符号均按正逻辑表示。上海电力学院 Shanghai University of Electro

45、nic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power3.4触发器触发器在数字系统中，为了构造实现各种功能的逻辑电路，除了需要实现逻辑运算的逻辑门之外，还需要有能够保存信息的逻辑器件。触触发发器器是是一一种种具具有有记忆功能的电子器件。记忆功能的电子器件。触发器能用来存储一位二进制信息。集成触发器的种类很多，分类方法也各不相同，但就其结构而言，都是由逻都是由逻辑门加上适当的反馈线耦合而成。辑门加上适当的反馈线耦合而成。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai

46、 University of Electronic Power触发器的特点：触发器的特点：有两个互补的输出端 Q 和 。在一定输入信号作用下，触发器可以从一个稳定状态转移到另一个稳定状态。有两个稳定状态。通常将 Q=1和 =0 称为“1”状状态态，而把Q=0和 =1称为“0”状状态态。当输入信号不发生变化时，触发器状态稳定不变。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power现态现态:输入信号作用前的状态，记作 Qn 和 ,一般简记 为 Q和；次态次态:输入信

47、号作用后的状态，记作 Qn+1和。显然，次态是现态和输入的函数。现态与次态的概念：现态与次态的概念：上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power3.4.1 3.4.1 基本基本R-SR-S触发器触发器基本基本R-S触发器是直接复位置位触发器的简称，由于触发器是直接复位置位触发器的简称，由于它是构成各种功能触发器的基本部件，故称为基本它是构成各种功能触发器的基本部件，故称为基本R-S触触发器。发器。一、一、用与非门构成的基本用与非门构成的基本R-S触发器触发

48、器1.组组成成：由由两两个个与与非非门门交交叉叉耦耦合合构构成成，其其逻逻辑辑图图和和逻逻辑辑符符号号分分别别如下图如下图 (a)(a)和和(b)(b)所示。所示。图中，R称为称为置置0端或者复位端，端或者复位端，S称为置称为置1端或置位端或置位端；端；逻辑符号输入端加的小圆圈表示低电平或负脉冲有效。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power 2.工作原理工作原理 (1)若若R=1,S=1，则触发器保持原来状态不变；，则触发器保持原来状态不变；(2)若若

49、R=1,S=0,则触发器置为则触发器置为1状态；状态；(3)若若R=0,S=1,则触发器置为则触发器置为0状态；状态；(4)不允许出现不允许出现R=0,S=0。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power表中d表示触发器次态不确定。该表又称为次态真次态真值表值表。RSQn+1功能说明功能说明0 00 11 01 1d01Q不定不定置置 0置置 1不变不变基本基本R-S触发器功能表触发器功能表3.逻辑功能及其描述逻辑功能及其描述 由与非门构成的R-S触发器的

50、逻辑功能如下表所示。上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power因为R、S不允许同时为0，所以输入必须满足约束条约束条件：件：R+S=1 (约束方程约束方程)若把触发器次态 Qn+1表示成现态 Q和输入R、S的函数，则卡诺图如下：用卡诺图化简后，可得到该触发器的次态方程次态方程：上海电力学院 Shanghai University of Electronic Power上海电力学院 Shanghai University of Electronic Pow