射频微波电路导论 课件(西电版)第9章教学提纲.ppt
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1、射频微波电路导论 课件(西电版)第9章射频/微波振荡器是用来产生射频/微波信号的器件。固体振荡器核心是一个有源非线性器件(如而二极管和晶体管)和一个谐振电路。基本的晶体管振荡器电路在低频下使用,包括著名的哈特莱(Hartley)和考毕兹(Colpitts)结构和晶体控制振荡器在较高频率处可以使用偏置于负阻工作点的二极管或晶体管以及腔体、传输线或者介质振荡器以达到高达100GHz的基频振荡,另外采用频率倍增器也可以获得较高的频率输出写出上原理图的四个节点的基尔霍夫方程,得出下面的矩阵方程对于该矩阵方程,若电路第i节点接地,则矩阵方程可以消去第i行和列,使矩阵阶数减1。若两个节点连接在一起,则矩阵
2、相应行和列相加对于共发射极的双极型晶体管振荡器,V20,并从集电极反馈以使V3V4V,这矩阵方程可以简化为对于非零的V1和V,上式成立的条件是矩阵行列式为零若反馈网络仅包含无耗电容和电感,则有Y1jB1,Y2jB2和Y3jB3分别使用行列式的实部和虚部等于零的到两方程把电纳转为电抗,取X1=1/B1,X2=1/B2和X3=1/B3,则可将上两式改写为因为 和 是正值,所以X1和X2是相同符号,因而两者都是电容或都是电感,而X3必须与X1和X2的符号相反,是相反电抗的元件若X1和X2是电容,X3是电感,就得到考毕兹振荡器可以解出振荡器的频率为振荡的必要条件若X1和X2是电感,X3是电容,就得到哈
3、莱特振荡器可以解出振荡器的频率为振荡的必要条件晶体振荡器晶体振荡器 石英晶体有安装在两个金属板之间的石英切片构成,通过压电效应可以在晶体中激励机械振荡,其等效电路为 石英晶体的Q值可以高达100,000,并且频率漂移小于0.001%/,因而石英晶体振荡器可以获得更好的频率稳定性和温度稳定性由等效电路可知串联和并联谐振频率s和p,分别为晶体谐振器的输入阻抗为 可以看出在串联和并联谐振之间的频率范围内电抗石感性的,这就是晶体使用的工作点,可以用晶体代替哈莱特或考毕兹振荡器的电感微波振荡器单端口微波振荡器单端口RF负阻振荡器负阻振荡器ZinRinjXin是有源器件(比如偏置二极管)的输入阻抗,通常这
4、一阻抗与电流(或电压)有关,也与频率有关,可表示为Zin(i,j)=Rin(i,j)+jXin(i,j)应用基尔霍夫电压定律可得若振荡产生,使得RF电流I不为零,则下述条件必须满足因为负载是无源得,RL0,则Rin0,其中正电阻表示能量消耗,负电阻表示提供能量的源,而电抗等式条件控制频率。对于稳态振荡有ZL-Zin,则反射系数有下述关系振荡过程依赖于Zin的非线性特性。开始,整个电路必须在某一频率下出现不稳定,即 ,然后任意的激励或者噪声将在频率引起振荡当I增加时 应变成较小的负值,直到电流达到I0,使得 和振荡过程振荡过程满足上述条件后,振荡器在稳态下运行,最后形成振荡频率0通常不同于起振频
5、率,因为Xin与电流有关,因此例如:单端口振荡器使用负阻二极管,对于f6GHz,在要求的工作点处具有 ,为50欧的负载阻抗设计匹配电路解:从Smith圆图或者直接计算的输入阻抗为由稳态振荡的阻抗关系式可得负载阻抗必须是用并联短截线或串联传输线将50欧转换为ZL得晶体管振荡器晶体管振荡器在放大器设计时,希望器件具有高度稳定性(无条件稳定)。而对于振荡器,我们需要具有高度不稳定性,把潜在不稳定的晶体管终端连接一个阻抗,选择它的数值使得在不稳定区内驱动器件,就可以有效建立负阻单端网络对于共源或共栅FET电路(共发射极或共基双极晶体管电路)常常引入正反馈的方式增加晶体管的不稳定性选定晶体管电路结构以后
6、,在 平面画出输出稳定性圆,并且选择 使在晶体管的输入处产生大的负阻抗,然后选择负载阻抗ZL和Zin匹配由于设计使用了小信号S参量,由于振荡功率建立起来后Rin将变得不够负,这就需要选择RLRin0的点时振荡将停止,实际上常取当振荡发生在负载网络和晶体管之间时,输出端口能否也产生振荡?对于输入端的稳态振荡,必须由 ,则可得其中求解出可以证明 ,满足了终端网络的振荡条件 例如:应用共栅电路结构的GaAs FET设计一个工作于4GHz的晶体管振荡器,其中与栅极串联一个5nH的电感以增加不稳定性。选择一个与50欧匹配的终端网络和适当的调谐网络。共源电路结构的晶体管S参量为(Z050欧):解:解:首先
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