半导体材料硅和锗的化学制备讲解学习.ppt
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《半导体材料硅和锗的化学制备讲解学习.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《半导体材料硅和锗的化学制备讲解学习.ppt(71页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、半导体材料硅和锗的化学半导体材料硅和锗的化学制备制备23SiGe室温Eg 1.106 0.67本征电阻率 2.3 105 46.0迁移率 n 1350 3900 p 480 K3,并且随着分解温度的升高,K2、K3相差越大。(2)在高温、低氢浓度下,有 1,即 1。(5)式可简化为:一级反应35(3)在低温、加大氢浓度情况下有:反应不是一级反应,反应速度要下降很多。以上分析得出的结论:(1)热分解反应温度不能太低。(2)热分解产物之一氢气必须随时排除,以保证H2不大的条件。(3)只有在一级反应条件下,才能保证分解速度快,即硅烷的热分解效率高。36 1.3 锗的富集与提纯 1.3.1 锗的资源与
2、富集锗在地壳中含量约为210-4%,比金5 10-7%、银110-5%还要丰富它分布极其分散而金是以单质存在,所以只是在近几十年发现它有半 导体性质,才得到人们重视,常被归类于稀有元素。Ge原子价有二价和四价两种 GeO:黑色、易挥发;GeO2:稳定、白色37一、锗资源(来源)锗资源总的可分为三大类:(1)在煤及烟灰中,分散的锗常被植物根部吸收,后在形成 的煤中锗含量为10-3%10-2%,在烟灰中可达10-2%10-1%。(2)与金属硫化物共生,如:ZnS、CuS等矿物中常含有10-2%10-1%的锗。(3)锗矿石,如:硫银锗矿(4Ag2S GeS)含锗可达6.93%;锗石 (7CuSFeS
3、 GeS2)含锗6%10%等,主要产自非洲及美国。二、锗的富集 富集:简单的说,就是除去矿物中的杂质提高矿物中有用成分的含量。38锗富集主要采用两种方法:(1)火法:将某些含锗矿物在焙烧炉中加热,将部分砷、铅、锑、镉等 挥发掉,锗以氧化物形式残留在矿渣中,成为锗富矿(锗精矿)。(2)水法:以ZnS矿为原料,先用稀H2SO4溶解,制成ZnSO4溶液,调整 PH=2.3-2.5之间,将ZnSO4沉淀滤掉,向残液中加入丹宁络合沉淀 锗,再过滤、焙烧,最后获得含锗3%-5%的锗精矿。由于锗的资源稀少,所以废料要进行二次利用。经过富集后的锗精矿含锗量大约在10以内,所以还需要进一步的提纯。39第一章 硅
4、和锗的化学制备 1.3 锗的富集与提纯 1.3.2 高纯锗的制取一、GeCl4的制备原料:盐酸和锗精矿(主要成分是GeO2)反应方程式:GeO24HCI GeCl4+2H2O过程:制取GeCl4 精馏(或萃取)提纯 水解生成GeO2 氢还原成Ge 进一步区熔提纯成高纯Ge该反应为可逆反应几点要求:1反应时HCl的浓度必须大于6mol/L,否则GeCl4水解。2由于蒸馏时有大量的HCl随GeCl4一起蒸出,再加上其他杂质也消耗 HCl,所以蒸馏时加入的HCl浓度要大一些,一般在10mol/L以上。3可加入硫酸来保持酸度。40杂质也会和盐酸反应生成相应的氯化物,其中最重要的杂质As反应后会生成As
5、Cl3(沸点130)与GeCl4(沸点83)相近而被蒸出。有效除As方法:在氯化时加入氧化剂(MnO2),使AsCl3变成难挥发的砷酸(H3AsO4)留在蒸馏釜中。MnO2+4HCl MnCl2+2H2O+Cl2AsCl3+Cl2+4H2O H3AsO4+5HCl41二、GeCl4的提纯目前主要有两种方法:萃取法与精馏法萃取法主要除砷,方法:利用AsCl3与GeCl4在盐酸溶液中溶解度的差异,萃取分离。GeCl4在较浓的盐酸中几乎不溶解AsCl3的溶解度达200300g/L萃取法也可除去一大部分其它杂质,Al,B,Sb,Sn等粗GeCl4中含有As、Si、Fe、Al等的氯化物杂质,其中AsCl
6、3最难除去。经过萃取和精馏后,砷的含量可降至210-9以下42三、四氯化锗水解GeCl4+(2+n)H2O GeO2nH2O+4HCl+Q1、该反应也是可逆反应,主要取决于酸度,若酸度大于6mol/L,反应 将向左进行,又因为盐酸浓度在5mol/L时,氧化锗的溶解度最 小,所以水解时加入水量要控制在GeCl4:H2O=1:6.5(体积比)。2、水解要用超纯水,用冰盐冷却容器以防止GeCl4受热挥发。3、过滤得到的GeO2经洗涤后在石英器皿中150200 下脱水,这样 制得的GeO2纯度可达5个”9”以上。44中间产物氧化锗在700以上易挥发,所以还原温度一般控制在650左右。二氧化锗完全被还原
7、的标志是尾气中无水雾。完全还原成锗后,逐渐将温度升至1000-1100,将锗粉熔化铸成锗锭。GeO2+2H2=Ge+2H2O 实际反应可能分两个阶段进行 GeO2+H2=GeO+H2O GeO+H2=Ge+H2O 650 四、二氧化锗氢还原45二 化学性质室温下 稳定,与空气,水,硫酸(H2SO4),硝酸(HNO3)不反应但是,与氟,氢氟酸,强碱 反应高温下 活性大,与O2,水,卤族(第七族),卤化氢,碳.反应与酸的反应与酸的反应(对多数酸来说硅比锗更稳定对多数酸来说硅比锗更稳定)与碱的反应(硅比锗更容易与碱起反应)与碱的反应(硅比锗更容易与碱起反应)Si+O2 =SiO2Si+H2O=SiO
8、2+H2 Si+2CL2=SiCL4Si+3HCL=SiHCL3H2Ge+2CL2=GeCL4GeO2+4HCL=GeCL4+2H2O熟悉吗?可逆反应三 二氧化硅的物理化学性质 坚硬,脆性,难熔,无色固体 晶体(石英,水晶)存在形式 无定形(硅石,石英砂)物理性质常温下 不与水反应 只与HF,强碱反应 化学性质化学性质:十分稳定十分稳定SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiO2+2NaOH=Na2SiO3+2H2O除去硅片上的SiO2四 硅烷(SiH4)锗烷(GeH4)活性高,空气中能自燃,-190下可发生爆炸 硅烷的制备硅烷的制备 硅(锗)镁合金+无机酸(卤铵盐)Mg2Si+4HCLSiH
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 半导体材料 化学 制备 讲解 学习
![提示](https://www.taowenge.com/images/bang_tan.gif)
限制150内