数字温度计显示设计.docx
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1、最好的沉淀整理数字温度计显示设计摘要:随着现代化信息技术的飞速发展,单片机技术已经十分普及,在实时检测和自动控制的单片机应用系统中,单片机往往是作为核心部件来使用。本论文介绍了一种以单片机 AT89S52 为主要控制器件,以 DS18B20 为温度传感器通过 LED 屏传送数据,实现温度显示的新型数字温度计。该数字温度计的测量围为-10120,显示分辨率为 0.1,误差0.10。由于采用了温度传感器 DS18B20 作为检测元件,与传统的温度计相比,本文设计的数字温度计减少了外部的硬件电路,具有读数方便,测温围广,测温精确,数字显示,适用围宽等特点。DS18B20 温度计还可以在高温报警、远距
2、离多点测温控制等方面进行应用开发。该系统结构简单,抗干扰能力强,适合于各种环境下进行现场温度测量,可广泛应用于工业控温系统、温度计、消费产品以及其它温度测控系统。关键词:单片机 AT89S52;温度传感器 DS18B20;LED 显示屏等。1 引言随着现代信息技术的飞速发展和传统工业改造的逐步实现,人们在生产过程中会 越来越关注精密而实用的仪器,能够独立工作的温度检测和显示系统应用于诸多 领域。其中数字温度计就是一个典型的例子,但人们对它的要求越来越高,要为 现代人工作、科研、生活等提供更好更方便快捷的设施就需要从单片机技术入手, 一切向着数字化控制,智能化控制方向发展。1.1 研究背景目前温
3、度计的发展很快,从原始的玻璃管温度计发展到了现在的热电阻温度计、热电偶温度计、数字温度计、电子温度计等等,温度计中传感器是它的重要组成部分,它的精度、灵敏度基本决定了温度计的精度、测量围、控制围和用途等。传感器应用极其广泛,目前已经研制出多种新型传感器。传统的温度检测以热敏电阻为温度敏感元件。热敏电阻的成本低,但需后续 信号处理电路,而且可靠性相对较差,测温准确度低,检测系统也有一定的误差。本设计所介绍的数字温度计与传统的温度计相比,具有读数方便,测温围广,测 温精确,数字显示,适用围宽等特点,主要用于对测温比较准确的场所或科研实验室使用,可广泛用用于工业控温系统、温度计、消费产品以及其它温度
4、测控系统。目前,该产品已在温控系统中得到了广泛使用。因此本设计就尝试通过编程与芯片的结合来解决传统数字温度计的弊端,设计出新型数字温度计。1.2 研究现状温度传感器的发展现状:温度传感器使用围广,数量多,居各种传感器之首, 其发展大致经历了以下 3 个阶段:1、传统的分立式温度传感器(含敏感元件)热电偶传感器,主要是能够进行非电量和电量之间转换。2、模拟集成温度传感器/控制器,集成传感器是采用硅半导体集成工艺制成的, 因此亦称硅传感器或单片集成温度传感器。3、智能温度传感器。它是微电子技术、计算机技术和自动测试技术(ATE_)的结晶。智能温度传感器部包含温度传感器、A/D 传感器、信号处理器、
5、存储器(或寄存器)和接口电路。2 总体设计方案2.1 设计思路本设计是一个基于单片机AT89S51 的数字温度计和温度传感器DS18B20 的设计,用来测量环境温度,测量围为-10120,显示分辨率为 0.1,误差0.5.整个设计系统主要包括硬件电路的设计和系统软件的设计。硬件电路主要包括主控制器,测温电路和显示电路等。主控制器采用单片机AT89S51,温度传感器采用美国 DALLAS 半导体公司生产的 DS18B20 来实现环境温度的采集和 A/D 转换,同时因其输出为数字形式,且为串行输出,这就方便了单片机进行数据处理,但同时也对编程提出了更高的要求。单片机把采集到的温度进行相应的转换后,
6、显示电路采用 LED 显示器以动态扫描法直读显示。系统程序主要包括主程序,读出温度子程序,写入温度子程序等。2.2 总体设计框图本系统采用单片机作为微控制器,如图 2.1。单片机用AT89S51、温度传感器用 DS18B20,采用 12MHZ 晶振,电源采用 5V。该电路经过设计分析、绘图、仿真调试、制板、焊接等工作后温度计成形。采用数字温度芯片 DS18B20 测量温度,输出信号全数字化。便于单片机处理及控制,省去传统的测温方法的很多外围电路。且该芯片的物理化学性很稳定, 它能用做工业测温元件,此元件线形较好。在 0100 摄氏度时,最大线形偏差小于 1 摄氏度。DS18B20 的最大特点之
7、一采用了单总线的数据传输,由数字温度计DS18B20 和微控制器 AT89S51 构成的温度测量装置,它直接输出温度的数字信号,可直接与计算机连接。这样,测温系统的结构就比较简单,体积也不大。采用 52 单片机控制,软件编程的自由度大,可通过编程实现各种各样的算术算法和逻辑控制,而且体积小,硬件实现简单,安装方便。稳压电源电路主控制单元温度数字显示时钟芯片电路温度探测单元温度控制输出数据储存单元图 2.1总体设计框图2.3 所用主要元器件单片机 AT89S51 一个,温度传感器 DS18B20 一个,12MHz 晶振一个,LED 显示屏一个,电源一个,排阻一个,USB 一个,电阻电容及导线若干
8、。3 硬件设计3.1 单片机的选择AT89S51 作为温度测试系统设计的核心器件。该器件是 INTEL 公司生产的MCS 一 5l 系列单片机中的基础产品,采是一个低电压,高性能 CMOS 8 位单片机,片含 8k bytes 的可反复擦写的 Flash 只读程序存储器和 256 bytes 的随机存取数据存储器(RAM),器件采用 ATMEL 公司的高密度、非易失性存储技术生产,兼容标准 MCS-51 指令系统,片置通用 8 位中央处理器和 Flash 存储单元,AT89S51 单片机在电子行业中有着广泛的应用。单片机小系统的电路图如图 3-1-1 所示。图 3.1单片机小系统电路3.1.1
9、 AT89S51 单片机的主要特性:(1)兼容 MCS-51 指令系统,4K 字节可编程闪烁存储器;(2)8k 可反复擦写(大于 1000 次)Flash ROM;(3) 寿命为 1000 次写/擦周期,数据保留时间可 10 年以上;(4) 全静态工作模式:0Hz-33Hz;(5) 三级程序存储器锁定;(6)128*8 位部 RAM,32 可编程 I/O 线;(7) 两个 16 位定时器/计数器,6 个中断源;(8) 全双工串行 UART 通道,低功耗的闲置和掉电模式;(9) 低功耗空闲和掉电模式,软件设置睡眠和唤醒功能;(10)有 PDIP、PQFP、TQFP 及 PLCC 等几种封装形式,
10、以适应不同产品的需求。3.1.2 引脚功能及管脚电压AT89S51 为 8 位通用微处理器,采用工业标准的 C51 核,在部功能及管脚排布上与通用的 89S52 相同。如图 3.2 所示。图 3.2 AT89S51 引脚图(1) P0 口P0 口是一组 8 位漏极开路型双向 I/O 口,也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时,每位能吸收电流的方式驱动 8 个 TTL 逻辑门电路,对端口 P0 写“1” 时,可作为高阻抗输入端用。在访问外部数据存储器或程序存储器时,这组口线分时转换地址(低 8 位) 和数据总线复用,在访问期间激活部上拉电阻。在 Flash 编程时,P0 口接收指令字节,而在程
11、序校验时,输出指令字节,校验时,要求外接上拉电阻。(2) P1 口P1 是一个带部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口,P1 的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4 个 TTL 逻辑门电路。对端口写“1”,通过部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口。作输入口使用时,因为部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL)。与 AT89C51 不同之处是,P1.0 和 P1.1 还可分别作为定时/计数器 2 的外部计数输入(P1.0/T2)和输入(P1.1/T2EX),参见表 3.1。Flash 编程和程序校验期间,P1 接收低 8 位地址。表 3.1P1.0 和 P1.1 的第
12、二功能引脚号P1.0 P1.1功能特性 T2,时钟输出 T2EX(定时/计数器 2)(3) P2 口P2 是一个带有部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口,P2 的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4 个 TTL 逻辑门电路。对端口 P2 写“1”,通过部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口,作输入口使用时,因为部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL)。在访问外部程序存储器或 16 位地址的外部数据存储器(例如执行MOVXDPTR 指令) 时,P2 口送出高 8 位地址数据。在访问 8 位地址的外部数据存储器(如执行 MOVXRI 指令)时,P2 口输出 P2 锁存
13、器的容。Flash 编程或校验时,P2 亦接收高位地址和一些控制信号。(4) P3 口P3 口是一组带有部上拉电阻的 8 位双向 I/O 口。P3 口输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4 个 TTL 逻辑门电路。对P3 口写入“1”时,它们被部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时,被外部拉低的 P3 口将用上拉电阻输出电流(IIL)。P3 口除了作为一般的 I/O 口线外,更重要的用途是它的第二功能。P3 口还接收一些用于 Flash 闪速存储器编程和程序校验的控制信号。(5) RST复位输入。当振荡器工作时,RST 引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。(6) ALE/PROG当访问外
14、部程序存储器或数据存储器时,ALE(地址锁存允许)输出脉冲用于锁存地址的低 8 位字节。一般情况下,ALE 仍以时钟振荡频率的 1/6 输出固定的脉冲信号,因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是:每当访问外部数据存储器时将跳过一个 ALE 脉冲。对 Flash 存储器编程期间,该引脚还用于输入编程脉冲(PROG)。如有必要,可通过对特殊功能寄存器(SFR)区中的 8EH 单元的 D0 位置位, 可禁止 ALE 操作。该位置位后,只有一条 MOVX 和 MOVC 指令才能将 ALE 激活。此外,该引脚会被微弱拉高,单片机执行外部程序时,应设置 ALE 禁止位无效。(7) PSEN程序储存
15、允许(PSEN)输出是外部程序存储器的读选通信号,当 AT89C52 由外部程序存储器取指令(或数据)时,每个机器周期两次PSEN 有效,即输出两个脉冲。在此期间,当访问外部数据存储器,将跳过两次 PSEN 信号。(8) EA/VPP外部访问允许。欲使CPU 仅访问外部程序存储器(地址为0000HFFFFH),EA端必须保持低电平(接地)。需注意的是:如果加密位 LB1 被编程,复位时部会锁存 EA 端状态。如 EA 端为高电平(接 VCC 端),CPU 则执行部程序存储器中的指令。Flash 存储器编程时,该引脚加上+12V 的编程允许电源 VPP,当然这必须是该器件是使用 12V 编程电压
16、 VPP。(9) XTAL1振荡器反相放大器的及部时钟发生器的输入端。(10) XTAL2振荡器反相放大器的输出端。3.2 温度传感器的选择DS18B20温度传感器是美国DALLAS公司推出的一种改进型智能温度传感器,与传统的热敏电阻等测温元件相比,它能直接读出被测温度,并且具有耐磨耐碰, 体积小,使用方便,封装形式多样等特点,适用于各种狭小空间设备数字测温和控制领域。3.2.1 DS18B20 的主要特性(1) 适应电压围更宽,电压围:3.05.5V,在寄生电源方式下可由数据线供电;(2) 独特的单线接口方式,DS18B20 在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与 DS18B20
17、 的双向通讯;(3) DS18B20 支持多点组网功能,多个 DS18B20 可以并联在唯一的三线上,实现组网多点测温;(4) DS18B20 在使用中不需要任何外围元件,全部传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路;(5)温围55125,在-10+85时精度为0.5;(6) 可编程的分辨率为912 位,对应的可分辨温度分别为0.5、0.25、0.125和 0.0625,可实现高精度测温;(7) 在 9 位分辨率时最多在 93.75ms 把温度转换为数字,12 位分辨率时最多在750ms 把温度值转换为数字,速度更快;(8) 测量结果直接输出数字温度信号,以“一线总线”串行传送给 CP
18、U,同时可传送 CRC 校验码,具有极强的抗干扰纠错能力;(9) 负压特性:电源极性接反时,芯片不会因发热而烧毁,但不能正常工作。3.2.2 DS18B20 的实物图如图3.3图 3.3 DS18B20 实物图3.2.3 DS18B20 使用中注意事项DS18B20 虽然具有测温系统简单、测温精度高、连接方便、占用口线少等优点, 但在实际应用中也应注意以下几方面的问题:(1) 较小的硬件开销需要相对复杂的软件进行补偿,由于DS18B20 与微处理器间采用串行数据传送,因此 ,在对DS18B20 进行读写编程时,必须严格的保证读写时序,否则将无法读取测温结果。在使用 PL/M、C 等高级语言进行
19、系统程序设计时,对 DS18B20 操作部分最好采用汇编语言实现。(2) 在DS18B20 的有关资料中均未提及单总线上所挂 DS18B20 数量问题,容易使人误认为可以挂任意多个 DS18B20,在实际应用中并非如此。当单总线上所挂 DS18B20 超过 8 个时,就需要解决微处理器的总线驱动问题,这一点在进行多点测温系统设计时 要加以注意。(3) 连接DS18B20 的总线电缆是有长度限制的。试验中,当采用普通信号电缆传输长度超过 50m 时,读取的 测温数据将发生错误。当将总线电缆改为双绞线带屏蔽电缆时,正常通讯距离可达 150m,当采用每米绞合次数更多的双绞线带屏蔽电缆时,正 常通讯距
20、离进一步加长。这种情况主要是由总线分布电容使信号波形产生畸变造成的。因此,在用DS18B20 进行长距离测温系统设计时要充分考 虑总线分布电容和阻抗匹配问题。(4) 在DS18B20 测温程序设计中,向DS18B20 发出温度转换命令后,程序总要等待 DS1820 的返回信号,一旦 某个 DS18B20 接触不好或断线,当程序读该DS18B20 时,将没有返回信号,程序进入死循环。这一点在进行DS18B20 硬件连接和软件设计时也要给予 一定的重视。 测温电缆线建议采用屏蔽 4 芯双绞线,其中一对线接地线与信号线,另一组接 VCC 和地线,屏蔽层在源端单点接地。3.3 温度检测电路DS18B2
21、0 最大的特点是单总线数据传输方式,DS18B20 的数据 I/O 均由同一条线来完成。DS18B20 的电源供电方式有 2 种:外部供电方式和寄生电源方式。工作于寄生电源方式时,VDD 和 GND 均接地,他在需要远程温度探测和空间受限的场合特别有用,原理是当 1Wire 总线的信号线 DQ 为高电平时,窃取信号能量给DS18B20 供电,同时一部分能量给部电容充电,当DQ 为低电平时释放能量为DS18B20 供电。但寄生电源方式需要强上拉电路,软件控制变得复杂(特别是在完成温度转换和拷贝数据到 E2PROM 时),同时芯片的性能也有所降低。因此,在条件允许的场合,尽量采用外供电方式。无论是
22、部寄生电源还是外部供电,I/O 口线要接 5K 左右的上拉电。在这里采用前者方式供电。DS18B20 与芯片连接电路如图 3.4 所示:图 3.4 DS18B20 和单片机的接口连接外部电源供电方式是 DS18B20 最佳的工作方式,工作稳定可靠,抗干扰能力强,而且电路也比较简单,可以开发出稳定可靠的多点温度监控系统。在开发中使用外部电源供电方式,毕竟比寄生电源方式只多接一根 VCC 引线。在外接电源方式下,可以充分发挥 DS18B20 宽电源电压围的优点,即使电源电压 VCC 降到 3V 时,依然能够保证温度量精度。由于 DS18B20 只有一根数据线,因此它和主机(单片机)通信是需要串行通
23、信,而 AT89S51 有两个串行端口,所以可以不用软件来模拟实现。经过单线接口访问 DS18B20 必须遵循如下协议:初始化、ROM 操作命令、存储器操作命令和控制操作。要使传感器工作,一切处理均严格按照时序。3.4 复位电路如图 3.5 所示。上电复位用 RC 电路,电容用 10uF,电阻用 10K。根据 DS18B20 的通讯协议,主机(单片机)控制 DS18B20 完成温度转换必须经过三个步骤:每一次读写之前都要对 DS18B20 进行复位操作,复位成功后发送一条 ROM 指令,最后发送 RAM 指令,这样才能对 DS18B20 进行预定的操作。复位要求主 CPU 将数据线下拉 500
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