2023年片式化：衡量电子元件技术水平的重要标志-电子元件市场.docx

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1、2023年片式化：衡量电子元件技术水平的重要标志|电子元件市场 电子元器件无处不在，不论是日常的消费电子产品还是工业用电子设备，都是由基本的电子元器件构成的。电子元器件是元件和器件的总称。器件是指电子管和晶体管，现在泛指用半导体材料制造的基本电子产品，如：二极管、三极管、场效应管、集成电路等。其他制造电子整机用的基本零件称为元件，如：电阻、电容、电感等。 电子元器件属于电子信息产业的中间产品，介于电子整机行业和原材料行业之间，其特点是所生产的产品与最终产品之间无干脆的对应关系，参加多个价值链的形成。电子元器件制造业发展的快慢、所达到的技术水平和生产规模，不仅干脆影响着整个电子信息产业的发展，而

2、且对发展信息技术，改造传统产业，提高现代扮装备水平，促进科技进步都具有重要意义。 我国电子元器件行业近年来发展稳定，位居世界前列，已成为拉动整个产业增长的重要力气。从整个国际市场上来看，是整个产业发展的基础，属于高增殖率环节。但是，目前我国电子元器件制造业在整个产业链中的地位和作用并非如此，存在诸多问题。如，我国的电子元器件产品与发达国家的技术差异比较明显，整个生产以低附加值的低端产品为主，而高附加值的高端产品少；电子元器件制造业的技术状况降低了我国电子信息产品在世界产业内贸易格局中的地位，制约了产业国际竞争力的提高等因素成为了我国电子元器件发展的瓶劲。但整机系统的快速发展，也为电子元器件行业

3、供应了新的契机，整机系统进一步向小型化、集成化方向发展的趋势，为电子元器件带来了新的发展机遇。 从世界电子元件的技术发展趋势来看，总体来看，片式化已经成为衡量电子元件技术发展水平的重要标记之一。电子元器件由原来只为适应整机的小型化及其新工艺要求为主的改进，变成以满意数字技术、微电子技术发展所提出的特性要求为主，而且是成套满意产业化发展阶段。新型电子元器件体现了当代和今后电子元器件向高频化、片式化、微型化、薄型化，低功耗，响应速率快、高辨别率、高精度、高功率、多功能、组件化、复合化、模块化和智能化等的发展趋势。同时，产品的平安性和绿色化也是影响其发展前途和市场的重要因素。 简化流程的AMOLED

4、基板 简介：采纳无需开诱导口的MIC晶化技术，可削减光刻次数，免除因温度处理使衬底形变而引入的对版精度下降问题；采纳有源岛、金属栅、接触孔、源漏电极和外接引线、ITO象素电极和有机爱护层等只要六块光刻MASK即完成全部TFT基板制备的工艺流程；显示器基板的整体结构为单边扫描电极、单边功率电极、双边数据电极结构的简洁结构，能降低信号传输的频率要求。 意义：该成果采纳溶液法大尺寸碟形晶粒MIC多晶硅为TFT的有源层，结合金属栅技术，有机绝缘层技术，使整个制备流程得到简化，仅包括有源岛、金属栅、接触孔、源漏电极和外接引线、ITO象素电极和有机爱护层六个光刻MASK过程，与常规的非晶硅AMOLED基板

5、五至七MASK过程简易程度相当。 TDMOIP实时传输专用芯片 简介：该项目在国内首次开发出TDM时分信号基于IP网和以太网的电路仿真业务服务的集成电路ASIC芯片，拥有自己的核心设计电路与产品白皮书，E1定时复原机制采纳统计预料方法，可以有效的克服由于分组交换引入的延时抖动，同时可以供应自适应的延时优化机制，依据网络状态动态优化系统延时，满意E1的实时性要求，达到时钟同步性能。 意义：该项目已胜利的完成了试验室内的测试，并起先投入商业化的运作，转化为实际的集成电路ASIC芯片产品。TDM信号在IP或以太网为基础的光网络中传输可以省略光端机，而改用成本低廉的光纤收发器或环网网桥，市场前景广袤。

6、 DB930型电子管 简介：DB930是参照法国Thomson公司生产的超大功率金属陶瓷四极管TH537研制的。该管为同轴型电极结构，采纳网状钍钨阴极、热解石墨栅极、超蒸发冷却阳极，可用作CW振荡器和AF或RF功率放大器，在30MHz时能供应300kw输出功率，工作频率最高可达110MHz。由于栅极采纳热解石墨材料，该管不仅能输出高功率，而且有很高的稳定性、牢靠性和很长的运用寿命。 意义：DB930管主要在国内输出功率150kw的PDM、PSM短波广播放射机中作末级功率放大，是150kw300kw短波广播放射机的首选管。 氮化镓基发光二极管外延片 和器件的研制及产业化 简介：其基础关键技术包括

7、，缓冲层生长；GaN、AlGaNP-type的实现；高质量InGaN及多量子阱（MQW）生长；GaN刻蚀；器件减薄工艺；器件切割工艺；器件结构设计与工艺探讨；器件寿命探讨。其批生产技术包括，外延片匀称性探讨；run to run重复性探讨；芯片减薄工艺量产化24片/批；芯片切割工艺成品率90%；芯片自动测试及分检设备30台；芯片封装抗静电防护；器件环境测试。 意义：我国在电子信息产业高速发展的带动下，高亮度LED市场近几年始终保持稳步增长的发展态势。经过该项目技术攻关，驾驭材料生长、器件制备关键技术，使我国GaN基蓝、绿光LED外延片及器件生产达到规模化生产水平，在器件结构设计等方面拥有自己的

8、学问产权，产品质量达到国际一流水平。实现我国GaN基蓝、绿光LED产业化目的。 3DK935型硅大功率开关晶体管 简介：该产品为NPN型硅大功率开关晶体管，主要工作在截止区和饱和区，并在两个区之间转换，因为有比较快的开关速度，可以在较高的频率下工作，能保证在转换过程中有比较小的能量损耗。3DK935在技术上具有肯定优势，并完全替代进口产品2T935。3DK935的研制期间首先解决了特别管壳的封装问题。 意义：该产品由于研制过程中采纳了掺氧多晶硅、高温氮化硅复合钝化膜技术；浓、淡基区双扩散技术；充氮空封水气含量限制技术，使产品技术性能提高。 光纤输出100W大功率激光 二极管列阵模块 简介：该产

9、品主要技术指标达到输出功率大于100W，光纤孔径小于2.45mm，数值孔径（NA）0.22，中心波长8083nm，谱线宽度小于5nm。该产品是随着半导体激光器市场的不断成熟，对功率需求不断上升，以及不断开发新的应用而发展起来的，具有体积小、重量轻、冷却便利等优点，在激光医疗、激光加工、激光印刷、激光陀螺等军事和民用的众多领域有着广泛应用。 意义：该成果研制出了好用化的连续光纤输出达100W以上的激光二极管列阵模块，采纳完全自主的MOCVD外延生长技术，实现了大光腔高亮度的列阵器件结构及工艺，采纳特殊适合产业化生产的低成本、高效耦合技术，研制出了与国际领先公司技术指标相当的光纤耦合器件，达到国际

10、商用器件先进水平，并实现了小批量生产。 砷化镓基半磁半导体 及锰砷纳米粒子制备探讨 简介：该项目通过不同注入和退火条件的组合，实现了对GaAs:MnAs磁性半导体中MnAs粒子生长过程、尺度、密度和分布的限制，制备出铁磁居里温度在320K左右，室温矫顽力在200600Oe范围的GaAs:MnAs磁性半导体，其磁特性可依据限制MnAs粒子生长过程、尺度、密度进行调整；发觉依退火温度不同，注入的Mn发生不同程度的外扩散和内扩散，利用不同注入条件和条件的组合，可抑制Mn的扩散；提出了范德堡方法与电化学C-V法相结合测定磁性半导体载流子浓度和迁移率的新方法；发觉制备的GaAs:MnAs 磁性半导体电特

11、性与注入剂量和退火温度有关。 意义：磁性MnAs粒子限制、载流子迁移率测量方法、样品电特性与制备条件的关系探讨具有国际先进水平。 新型微片激光材料与器件探讨 简介：该产品是半导体激光（LD）泵浦的紧凑型固体激光器件。厚度一般在1mm以下激光介质薄片端面镀膜是该器件的基本构型，可以实现单纵模和TEM00横模激光运转，将空间和光谱模式都很差的LD转变成低噪音、光谱和空间模式都很单纯的激光输出；介质厚度小还有利于发散角大的LD泵光与基波激光的有效重合，有效提高LD的泵浦效率；可以将激光介质与其他光电功能材料相互紧密接触干脆耦合形成振荡微腔结构，进而实现可调谐、变频、被动Q开关、光参量振荡器和光纤Ra

12、man激光等功能，可以在很紧凑的光学系统中实现宽波段范围的高质量激光输出。 意义：该项目提出了利用解理晶体实现微片激光介质免加工新技术，可大大简化生产流程。 白色大尺寸GaN 基LED器件探讨 简介：该项目通过创新的三步生长，缺陷阻挡及GaN重新成核方法得到了低位错密度的外延薄膜。由综合调整InGaN量子阱的组分、厚度、势垒高度以及掺杂水平的方法，使量子阱发光强度达到最高；采纳表面微腐蚀方法，改善GaN表面和优化工艺条件将P电极欧姆接触影响降到最低；结合电镀及厚胶工艺，解决了电极形态、散热方式与封装匹配的技术问题；采纳低熔点大面积凸点制作及倒装焊技术，解决了大尺寸管芯电流扩展效应；合理设计版图

13、解决大尺寸器件电流匀称性问题。器件电极划分采纳环形设计，n电极包围p电极，保证了电流在整个芯片范围匀称流淌。 意义：该器件的探讨提高器件发光效率，解决了局部过热的问题，使器件性能和运用寿命大大提高。 高效率热电转换材料 与器件开发及好用化探讨 意义：该项目以开发高性能热电材料与器件为主要探讨内容，通过对材料器件转换系统的各个层面相关技术的深化探讨，开发高效率、低成本的热电发电及致冷系统，为热电技术的进一步大规模应用奠定坚实的技术基础。主要内容包括高强碲化铋基热电材料制备；纳米复合热电材料及其工艺；AlN/Cu干脆结合的关键技术；Mo/Ti新型电极材料及其焊接技术；赛贝克系数测试装置和方法；热电

14、元件输出特性和转换效率测试装置。 意义：该器件的开发与应用有望取代目前的PbTe发电组件，将在空间电源技术或国防工业中获得应用。 SY25KP32型齐纳二极管 简介：该项目研制的25KW齐纳二极管主要应用于抑制感应电势、静电放电，以及模拟通讯、数字通讯、信号处理系统和电子限制系统中产生的瞬间干扰电压。当齐纳二极管承受一个高能量的瞬间高压脉冲时，其工作阻抗马上降低至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压嵌位到预定的水平，从而有效地爱护电子线路中的元器件免受损坏。该项目产品主要技术指标是：反向瞬间浪涌功率25KW；正向电流50A；反向工作电压28V；击穿电压小于32V；反向漏电流小于25mA；嵌位电压小于52V。 意义：齐纳二极管浪涌功率大，响应时间快，具有正向整流和反向瞬态抑制的双重功能，连续爱护功能最大温差68，参数稳定性和重复性好。