青岛碳化硅晶片项目招商引资报告范文参考.docx
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1、MACRO 泓域咨询 /青岛碳化硅晶片项目招商引资报告目录第一章 行业、市场分析8一、 行业发展前景8二、 行业进入壁垒9三、 行业竞争情况10第二章 背景及必要性12一、 行业发展现状12二、 影响行业发展的主要因素13第三章 绪论17一、 项目概述17二、 项目提出的理由19三、 项目总投资及资金构成22四、 资金筹措方案22五、 项目预期经济效益规划目标23六、 原辅材料及设备23七、 项目建设进度规划24八、 环境影响24九、 报告编制依据和原则24十、 研究范围26十一、 研究结论26十二、 主要经济指标一览表27主要经济指标一览表27第四章 建设内容与产品方案29一、 建设规模及主
2、要建设内容29二、 产品规划方案及生产纲领29产品规划方案一览表29第五章 项目选址31一、 项目选址原则31二、 建设区基本情况31三、 创新驱动发展34四、 社会经济发展目标35五、 产业发展方向36六、 项目选址综合评价39第六章 运营管理40一、 公司经营宗旨40二、 公司的目标、主要职责40三、 各部门职责及权限41四、 财务会计制度44第七章 法人治理51一、 股东权利及义务51二、 董事56三、 高级管理人员60四、 监事62第八章 SWOT分析65一、 优势分析(S)65二、 劣势分析(W)67三、 机会分析(O)67四、 威胁分析(T)68第九章 工艺技术说明72一、 企业技
3、术研发分析72二、 项目技术工艺分析74三、 质量管理75四、 项目技术流程76五、 设备选型方案77主要设备购置一览表77第十章 环境保护方案79一、 环境保护综述79二、 建设期大气环境影响分析79三、 建设期水环境影响分析82四、 建设期固体废弃物环境影响分析82五、 建设期声环境影响分析82六、 营运期环境影响83七、 环境影响综合评价84第十一章 节能分析85一、 项目节能概述85二、 能源消费种类和数量分析86能耗分析一览表86三、 项目节能措施87四、 节能综合评价88第十二章 组织机构及人力资源配置90一、 人力资源配置90劳动定员一览表90二、 员工技能培训90第十三章 投资
4、计划93一、 投资估算的依据和说明93二、 建设投资估算94建设投资估算表96三、 建设期利息96建设期利息估算表96四、 流动资金97流动资金估算表98五、 总投资99总投资及构成一览表99六、 资金筹措与投资计划100项目投资计划与资金筹措一览表100第十四章 经济收益分析102一、 基本假设及基础参数选取102二、 经济评价财务测算102营业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表104利润及利润分配表106三、 项目盈利能力分析106项目投资现金流量表108四、 财务生存能力分析109五、 偿债能力分析109借款还本付息计划表111六、 经济评价结论111第十五章 招标
5、及投资方案112一、 项目招标依据112二、 项目招标范围112三、 招标要求113四、 招标组织方式113五、 招标信息发布115第十六章 风险评估分析116一、 项目风险分析116二、 项目风险对策118第十七章 项目综合评价说明120第十八章 补充表格122建设投资估算表122建设期利息估算表122固定资产投资估算表123流动资金估算表124总投资及构成一览表125项目投资计划与资金筹措一览表126营业收入、税金及附加和增值税估算表127综合总成本费用估算表127固定资产折旧费估算表128无形资产和其他资产摊销估算表129利润及利润分配表129项目投资现金流量表130报告说明第一代元素半
6、导体材料Si晶体一直以来都在半导体领域占据统治地位。随着电子技术的发展,人们对超高频光电子器件的要求越来越高,但由于Si本身的性质导致了其很难在高频、高温、大功率和强辐射环境等极端条件下正常工作。以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料,是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代宽禁带半导体。与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比,SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有明显优势。目前,碳化硅产品已经成功应用在电力电子器件领域、微波通信领域、LED照明领域。如今,人们正在研究基于碳化硅单晶的石墨烯材料制备、非线性光学晶体开发,未来碳化硅晶体的应用领域将进一步扩大。根据谨慎财
7、务估算,项目总投资24385.64万元,其中:建设投资18886.31万元,占项目总投资的77.45%;建设期利息380.37万元,占项目总投资的1.56%;流动资金5118.96万元,占项目总投资的20.99%。项目正常运营每年营业收入50700.00万元,综合总成本费用43440.34万元,净利润5286.28万元,财务内部收益率13.37%,财务净现值-541.41万元,全部投资回收期6.99年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。综上所述,本项目能够充分利用现有设施,属于投资合理、见效快、回报高项目;拟建项目交通条件好;供电供水条件好,因而其建设条件有明显
8、优势。项目符合国家产业发展的战略思想,有利于行业结构调整。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 行业、市场分析一、 行业发展前景1、全球行业发展前景碳化硅半导体是近年来国际研究的热点。2013年日本政府将碳化硅纳入了“首相战略”,认为未来50%的节能要通过它来实现;2014年1月,美国总统奥巴马也亲自主导成立了由18家企业和6所大学共同组成的美国碳化硅产业联盟,协同美国联邦政府共同提升美国制造业。以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体获得联邦和地方政府的合力
9、支持,1.4亿美元的总支持额将用于提升美国在该新兴产业方面的国际竞争力。第一代元素半导体材料Si晶体一直以来都在半导体领域占据统治地位。随着电子技术的发展,人们对超高频光电子器件的要求越来越高,但由于Si本身的性质导致了其很难在高频、高温、大功率和强辐射环境等极端条件下正常工作。以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料,是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代宽禁带半导体。与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比,SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有明显优势。目前,碳化硅产品已经成功应用在电力电子器件领域、微波通信领域、LED照明领域。如今,人们正在研究基于碳化硅单晶的
10、石墨烯材料制备、非线性光学晶体开发,未来碳化硅晶体的应用领域将进一步扩大。2、国内行业发展前景我国在SiC单晶生长方面的研究起步较晚,但国内几家科研发力量很强的单位在SiC单晶材料制备研究已具有一定的基础,并取得了较大的突破。国内开展SiC晶体生长研究的单位有中国科学院物理研究所、上海硅酸盐研究所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有天科合达、山东天岳先进材料科技有限公司、河北同光晶体有限公司等。天科合达在国内首次建立了一条完整的从生长、切割、研磨到化学机械抛光(CMP)的SiC晶片中试加工线,建成了百级超净室,开发出SiC晶片表面处理、清洗封装工艺技术。目前,中国制造2
11、025以及“十三五规划”都明确将碳化硅行业定位为重点支持行业,国内的国家电网、中国中车、比亚迪、华为等公司都针对碳化硅在智能电网、轨道交通、电动汽车、手机通信芯片等领域的应用开始陆续加大投资,碳化硅行业在国内方兴未艾。二、 行业进入壁垒碳化硅晶体材料属于第三代半导体材料,属于资金密集型投资行业,具有一定的投资壁垒;同时行业属于新兴行业,技术积累较少,技术门槛很高,具有较高的技术壁垒。三、 行业竞争情况目前全球碳化硅行业企业主要有美国Cree公司、II-VI公司、Dow-Corning公司,德国SiCrystal公司(2009年被日本Rohm公司收购),日本NipponSteel(新日铁)公司。
12、目前国际碳化硅市场仍被美国Cree公司垄断,但其市场份额正在逐年下降,从2008年的75%下降到2015年的50%左右;包括II-VI公司、SiCrystal公司、天科合达和Dow-Corning公司的市场份额则逐年递增。国际碳化硅行业企业除美国Cree、II-VI公司、SiCrystal公司外,其他几家企业基本处于同一水平线上。行业龙头Cree公司的产品线涵盖了从SiC单晶晶片、外延以及器件制造整个产业链。Cree公司完整产业链布局的优势是在产品开发初期能够有效缩短产品研发周期,但如此布局也面临着在整条产业链与上、下游各公司激烈竞争的弊端。SiCrystal公司已经被日本Rohm公司收购,产
13、品将主要应用于Rohm公司的器件生产。其余几家公司包括美国II-VI公司、DowCorning公司以及日本NipponSteel公司的主营业务都不是SiC单晶晶片的生产与制造。我国SiC材料研发工作始于上世纪90年代末期,国内开展SiC晶体生长的研究单位主要有中科院物理所、上海硅酸盐研究所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有山东天岳先进材料科技有限公司、河北同光晶体有限公司等。第二章 背景及必要性一、 行业发展现状碳化硅(SiC)是继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)之后发展起来的第三代宽禁带半导体(即SiC、GaN、ZnO、AlN、金刚石
14、等)的代表,也是目前发展最成熟的第三代宽禁带半导体。相比于第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs,第三代半导体SiC具有更高的热导率(热导率约是Si的3倍、GaAs的10倍),更高的击穿电场(击穿电场约是Si的10倍、GaAs的5倍)、更高的饱和电子漂移速率(饱和电子漂移速率约是Si和GaAs的2倍)、更宽的带隙(禁带宽度约是Si的3倍、GaAs的2倍)以及更好的热稳定性和化学稳定性。由于SiC材料优异的物理电学性能,用SiC材料替代Si材料,将从根本上提升现有电力电子器件功率模块的工作效率、降低功率损耗、实现节能减排,减少散热装置、减小系统体积和重量,提高工作温度,实现集高功率、高温
15、、高效率和高可靠性于一身的电力电子器件:(1)SiC的击穿电场强度比Si大一个数量级,可减薄器件中耐压层的厚度,使得通态电阻小于Si器件,达到降低功率损耗,实现节能减排;与Si基器件相比,SiC基器件可降低能耗约70%;(2)SiC的热导率优于Si,可大幅度减少Si基器件的庞大散热系统;(3)SiC的禁带宽度约是Si的3倍,并且熔点高,可在600以下温度长时间工作,远高于Si材料的180工作温度。SiC材料被认为是制造高温、高频、大功率电子器件的理想半导体材料,在家用电器、风能光伏、汽车电子、智能电网、轨道交通、航天航空、石油勘探、微波通讯、军事等领域具有广阔应用前景。此外,SiC在制备高亮度
16、发光二极管(LED)方面具有显著的优势。首先,SiC与氮化镓(GaN)的晶格失配率仅为3.5,并且两者的热膨胀系数非常接近;其次,SiC良好的导热性可有效解决大功率、高亮度LED的散热问题;再次,导电型SiC单晶衬底(电阻率小于0.03cm)可制作低功耗电极,大大降低LED的功率损耗。二、 影响行业发展的主要因素1、有利因素针对碳化硅行业的终端应用,国际及国内市场投资及开发正在逐渐加大,碳化硅单晶材料行业的市场在快速增长,因此碳化硅单晶材料的市场将会在近5年有爆发式的增长。2012年5月30日,国务院通过了“十二五”国家战略性新兴产业发展规划,提出了节能环保、新一代信息技术、生物、高端装备制造
17、、新能源、新材料、新能源汽车等七大战略性新兴产业的重点发展方向和主要任务,指出新一代信息技术的突破方向是“超高速光纤与无线通信、先进半导体和新型显示等新一代信息技术”。由此先进半导体历史性纳入国家重点发展战略,成为战略新兴产业的重点发展方向。2012年7月,科技部出台半导体照明科技发展“十二五”专项规划中将“半导体照明用碳化硅衬底制备技术研究”明确列为“前沿技术研究”,并计划推出半导体照明应用产品中央财政补贴政策以及推进“十城万盏”试点示范工程应用。2012年7月,科技部出台智能电网重大科技产业化工程“十二五”专项规划中,将突破大规模间歇式新能源电源并网与储能、智能配用电、大电网智能调度与控制
18、、智能装备等智能电网核心关键技术列为总目标。要实现该总目标,关键之一就是电网设备制造产业升级,如新型电力电子器件等。SiC基电力电子器件具有低能耗、高转换效率特征,将成为新型电力电子器件优先发展方向。2012年7月,国务院出台节能与新能源汽车发展规划(2011年至2020年)指出:“到2020年,纯电动汽车和插电式混合动力汽车生产能力达200万辆、累计产销量超过500万辆”。规划要求加强新能源汽车关键零部件研发,重点支持驱动电机以及电动空调、电动转向、电动制动器等电动化附件的研发。由于SiC基功率器件(如整流器、转换器、逆变器等)在节能方面有着其他衬底材料不可比拟的优势,因此可以预见未来几年S
19、iC基器件产业在国内也将迅速发展。2013年,科技部正式启动“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项,将“SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化”作为专项的主要任务之一。科技部在“国家高技术研究发展计划(863计划)、国家科技支撑计划制造领域2014年度备选项目征集指南”中也提出要加强高端装备和关键技术的研制,完成面向高压电力电子器件的大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究,以及针对电网、机车、风电等领域的需求,开展高压SiC电力电子器件制造所需的4-6寸SiC单晶生长炉、外延炉等关键装备研制,并开展1200、1700、3300和8000V的相关器件制造工艺技术验证,
20、2015年达到中试水平。2016年3月,第十二届全国人民代表大会表决通过了关于国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要,提出国家将大力支持新一代信息技术、新能源汽车、生物技术、绿色低碳、高端装备与材料、数字创意等领域的产业发展壮大,并大力推进先进半导体、机器人、增材制造、智能系统、新一代航空装备、空间技术综合服务系统、智能交通、精准医疗、高效储能与分布式能源系统、智能材料、高效节能环保、虚拟现实与互动影视等新兴前沿领域创新和产业化,形成一批新增长点。2、不利因素目前全球具备量产碳化硅晶体能力的只有Cree、Rohm、新日铁等少数几家公司,同时由于Cree在SiC领域注册了大量的专利,因此上述少数
21、几家公司占据了SiC单晶市场较大份额,这在一定程度上会抑制国内相关行业的发展速度。另外,GaN与SiC材料都属于第三代半导体材料,两者在性能上各有千秋,处于竞争态势。目前,碳化硅单晶材料发展比GaN材料成熟,已正式实现产业化,GaN单晶材料处于研究开发阶段,未来GaN单晶材料行业的发展也会在一定程度上制约碳化硅单晶材料行业的发展。第三章 绪论一、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:青岛碳化硅晶片项目2、承办单位名称:xxx投资管理公司3、项目性质:新建4、项目建设地点:xxx(以选址意见书为准)5、项目联系人:罗xx(二)主办单位基本情况企业履行社会责任,既是实现经济、环境、社会可持续发
22、展的必由之路,也是实现企业自身可持续发展的必然选择;既是顺应经济社会发展趋势的外在要求,也是提升企业可持续发展能力的内在需求;既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径,也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨,公司积极履行社会责任,依法经营、诚实守信,节约资源、保护环境,以人为本、构建和谐企业,回馈社会、实现价值共享,致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础,从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手,建立了一套较为完善的社会责任管理机制。公司在发展中始终坚持以创新为源动力,不断投入巨资引入先进研发设
23、备,更新思想观念,依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势,不断加大新产品的研发力度,以实现公司的永续经营和品牌发展。公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念,遵循“以客户需求为中心,坚持高端精品战略,提高最高的服务价值”的服务理念,奉行“唯才是用,唯德重用”的人才理念,致力于为客户量身定制出完美解决方案,满足高端市场高品质的需求。公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上,坚持优化结构,提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式,补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板,
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