双极型三极管及其放大电路.ppt
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1、双极型三极管及其放大电路双极型三极管及其放大电路模拟电子技术基础1.三极管的结构三极管的结构2.三极管的放大原理三极管的放大原理3.三极管特性曲线(输入特性曲线,输出特性曲线)三极管特性曲线(输入特性曲线,输出特性曲线)4.共射极放大电路共射极放大电路5.图解分析法图解分析法6.小信号模型分析法小信号模型分析法7.放大电路的工作点稳定问题放大电路的工作点稳定问题8.共集电极电路和共基极电路共集电极电路和共基极电路9.放大电路的频率响应放大电路的频率响应模拟电子技术基础半导体三极管半导体三极管BJTBJTBJTBJT的结构简介的结构简介Bipolar Junction Transistor,BJ
2、T,双极结型晶体管双极结型晶体管BJTBJT是通过一定工艺,将是通过一定工艺,将两个两个PNPN结结结合在一起的器件。具有结合在一起的器件。具有电流放大电流放大作用。作用。小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管为什么有孔?为什么有孔?模拟电子技术基础三极管的结构三极管的结构NPN发射区发射区向基区发射多子向基区发射多子电子电子集电区集电区收集载流子收集载流子电子电子集电极集电极collector发射极发射极emitterCEB基区基区作用作用作用作用作用作用传输载流子传输载流子电子电子基极基极base由于是由于是N-P-N结构结构 称为称为NPN三极管。三极管。cbe箭头的方向是发射
3、结箭头的方向是发射结正偏时,电流的方向正偏时,电流的方向集电结集电结发射结发射结模拟电子技术基础三极管的结构三极管的结构同同样样将将半半导导体体材材料料另另行行组组合合,二二块块P,一一块块N,构构成成三三极极管管,它它也也有有两两个个PN结结(发发射射结结,集集电电结结),两两个个PN结结将将三三极极管管同同样样分分为为三三个个区区,发发射射区区、基基区区、集集电电区区,称称它它为为PNP三极管三极管.PNP发射区发射区向基区发射多子向基区发射多子空穴空穴集电区集电区收集载流子收集载流子空穴空穴CEB基区基区作用作用作用作用作用作用传输载流子传输载流子空穴空穴cbe模拟电子技术基础三极管的放
4、大原理三极管的放大原理1.放大的条件放大的条件为保证为保证BJT能放大需满足内部和外部条件能放大需满足内部和外部条件1).BJT放大的内部条件放大的内部条件a.发射区的掺杂浓度最高;发射区的掺杂浓度最高;b.基区掺杂很低,且基区很薄。基区掺杂很低,且基区很薄。c.集电区掺杂浓度低集电区掺杂浓度低,集电结面积很大集电结面积很大虽然发射区和集电区都虽然发射区和集电区都是是N型半导体,但发射型半导体,但发射区比集电区掺的杂质多,区比集电区掺的杂质多,因此它们并不是对称的因此它们并不是对称的。集电区集电区EBC发射区发射区基区基区模拟电子技术基础2)BJT放大的外部条件放大的外部条件发射结正偏,集电结
5、反偏,发射结正偏,集电结反偏,这是这是安排放大电路的基本原则安排放大电路的基本原则模拟电子技术基础2.载流子的传输过程载流子的传输过程 扩散运动形成发射极电流扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电,复合运动形成基极电流流IB,漂移运动形成集电极电流,漂移运动形成集电极电流IC。少数载流少数载流子的运动子的运动因发射区多子浓度高使大量因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低,使极少因基区薄且多子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大,在外电场作用下大因集电区面积大,在外电场作用下大部分扩散到基区
6、的电子漂移到集电区部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴基区空穴的扩散的扩散模拟电子技术基础v电流分配:电流分配:IEIBIC IE扩散运动形成的电流扩散运动形成的电流 IB复合运动形成的电流复合运动形成的电流 IC漂移运动形成的电流漂移运动形成的电流穿透电流穿透电流集电结反向电流集电结反向电流直流电流直流电流放大系数放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数为什么基极开路集电极回为什么基极开路集电极回路会有穿透电流?路会有穿透电流?3.电流分配关系电流分配关系模拟电子技术基础在载流子传输过程中,到达集电极电子与发射区注入基区的电在载流子传输过程中,到达集电极电子与发射区注入基区的电子的比例,
7、称为子的比例,称为共基极电流放大系数共基极电流放大系数。(。(由三极管的制作工艺由三极管的制作工艺决定决定)直流共基电直流共基电流放大系数流放大系数交流共基电流放大系数交流共基电流放大系数重点记忆重点记忆模拟电子技术基础4.三极管放大电路的三种组态三极管放大电路的三种组态共基极组态(CB:common base)输入是发射极,输出是集电极,基极是输入输出回路的共同端;共射极组态(CE)输入是基极,输出是集电极,发射极是输入输出回路的共同端;共集电极组态(CC)输入是基极,输出是发射极,集电极是输入输出回路的共同端。模拟电子技术基础输入端输入端输出端输出端公共端公共端共射组态共射组态共射放大电路
8、共射放大电路基极基极集电极集电极发射极发射极共集组态共集组态共集放大电路共集放大电路基极基极发射极发射极集电极集电极共基组态共基组态共基放大电路共基放大电路发射极发射极集电极集电极基极基极三极管放大电路的三种组态三极管放大电路的三种组态模拟电子技术基础BJT的特性曲线的特性曲线v三极管和二极管一样是非线性元件,常用三极管和二极管一样是非线性元件,常用伏安特性伏安特性(电流(电流-电压关系)描述电压关系)描述v三极管的电流三极管的电流-电压方程组是超越方程,求解非常复杂。电压方程组是超越方程,求解非常复杂。只需掌握伏安特性的直观表示法只需掌握伏安特性的直观表示法伏安特性曲线伏安特性曲线。v三极管
9、有三个电极,其伏安特性不像二极管那么简单,三极管有三个电极,其伏安特性不像二极管那么简单,在工程上要表示一个三极管的的伏安特性曲线,要用在工程上要表示一个三极管的的伏安特性曲线,要用两张图结合起来,才能全面地表达清楚两张图结合起来,才能全面地表达清楚 1.三极管的输入特性(输入回路的伏安特性)三极管的输入特性(输入回路的伏安特性)2.三极管的输出特性(输出回路的伏安特性)三极管的输出特性(输出回路的伏安特性)模拟电子技术基础共射极特性曲线共射极特性曲线为什么为什么UCE增大曲线右移?增大曲线右移?对于小功率晶体管,对于小功率晶体管,UCE大于大于1V的任何一条输入特性的任何一条输入特性曲线可以
10、取代曲线可以取代UCE大于大于1V的所有输入特性曲线。的所有输入特性曲线。为什么像为什么像PN结的伏安特性?结的伏安特性?为什么为什么UCE增大到一定值曲线右增大到一定值曲线右移就不明显了?移就不明显了?1.输入特性基区宽度调制效应:将基区宽度调制效应:将UCE变化引起基区有效宽度变化,致使基变化引起基区有效宽度变化,致使基极电流极电流iB变化的效应变化的效应模拟电子技术基础共射极特性曲线共射极特性曲线2.2.输出特性输出特性是常数吗?什么是理想晶体管?什么情况下是常数吗?什么是理想晶体管?什么情况下?对应于一个对应于一个IB就有一条就有一条iC随随uCE变化的曲线。变化的曲线。为什么为什么u
11、CE较小时较小时iC随随uCE变变化很大?为什么进入放大状态化很大?为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线?曲线几乎是横轴的平行线?饱和区饱和区放大区放大区截止区截止区模拟电子技术基础晶体管的三个工作区域晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流 iC几乎仅仅几乎仅仅决定于输入回路的电流决定于输入回路的电流 iB,即可将输出回路等效为电流,即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源控制的电流源iC。状态状态uBEiCuCE放大放大 UoniB uBE饱和饱和 UoniB uBE截止截止UonICEOVCC模拟电子技术基础温度对晶体管特
12、性的影响温度对晶体管特性的影响模拟电子技术基础主要参数主要参数 直流参数直流参数:、ICBO、ICEOc-e间击穿电压间击穿电压最大集电最大集电极电流极电流最大集电极耗散功最大集电极耗散功率,率,PCMiCuCE安全工作区安全工作区 交流参数:交流参数:、极限参数极限参数:ICM、PCM、U(BR)CEO模拟电子技术基础三极管的选型三极管的选型v半导体三极管(半导体三极管(BJT、晶体管)分类:、晶体管)分类:按频率分:按频率分:高频管、低频管;高频管、低频管;按功率分:按功率分:小、中、大功率管;小、中、大功率管;按半导体材料分:按半导体材料分:硅管、锗管等;硅管、锗管等;按结构分:按结构分
13、:NPN型、型、PNP型型;v选型原则选型原则在同型号的三极管中,应选用反向电流小的管子在同型号的三极管中,应选用反向电流小的管子小功率管小功率管选值范围应在选值范围应在7070150150之间;之间;大功率管大功率管选值选值范围应在范围应在30307070之间之间硅管的反向电流小;锗管的正向导通电压低硅管的反向电流小;锗管的正向导通电压低注意三级管反向击穿电压和功耗的选型注意三级管反向击穿电压和功耗的选型模拟电子技术基础讨论讨论由图示特性求出由图示特性求出PCM、ICM、U(BR)CEO、。2.7uCE=1V时的时的iC就是就是ICMU(BR)CEO模拟电子技术基础放大电路放大电路放大的概念
14、放大的概念u放大的对象:变化量放大的对象:变化量u放大的本质:能量的控制放大的本质:能量的控制u放大的特征:功率放大放大的特征:功率放大u放大的基本要求:不失真放大的基本要求:不失真放大的前提放大的前提判断电路能否放判断电路能否放大的基本出发点大的基本出发点VCC至少一路直流至少一路直流电源供电电源供电模拟电子技术基础放大电路放大电路性能指标性能指标1.1.放大倍数放大倍数:输出量与输入量之比电压放大倍数是最常被研究和测试的参数电压放大倍数是最常被研究和测试的参数信号源信号源信号源信号源内阻内阻输入电压输入电压输入电流输入电流输出电压输出电压输出电流输出电流对信号而言,任何放大电路均可看成二端
15、口网络。对信号而言,任何放大电路均可看成二端口网络。模拟电子技术基础放大电路放大电路2.2.输入电阻和输出电阻输入电阻和输出电阻 将输出等效将输出等效成有内阻的电成有内阻的电压源,内阻就压源,内阻就是输出电阻。是输出电阻。空载时输出空载时输出电压有效值电压有效值带带RL时的输出电时的输出电压有效值压有效值输入电压与输入电压与输入电流有输入电流有效值之比。效值之比。从输入端看进去的从输入端看进去的等效电阻等效电阻模拟电子技术基础放大电路放大电路3.3.通频带通频带 由于电容、电感及放大管由于电容、电感及放大管PN结的电容效应,使放大电路在信结的电容效应,使放大电路在信号频率较低和较高时电压放大倍
16、数数值下降,并产生相移。号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降,并产生相移。衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。下限频率下限频率上限频率上限频率模拟电子技术基础共射放大电路的组成共射放大电路的组成VBB、RB:使:使UBE Uon,且有,且有合适的合适的IB。VCC:使:使UCEUBE,同时作为,同时作为负载的能源。负载的能源。RC:将:将iC转换成转换成uCE(uo)。隔离放大电路对信号源和负载的直隔离放大电路对信号源和负载的直流影响。流影响。沟通信号源、放大电路、负载之间沟通信号源、放大电路、负载之间的信号传递通道。的信号传递通道。耦合电容耦合电容C
17、b1、Cb2iBiCiE动态信号作用时:动态信号作用时:模拟电子技术基础iBiCiEiBiEiC不画电源符号,不画电源符号,只写出电源正只写出电源正极对地的电位极对地的电位模拟电子技术基础放大电路的两放大电路的两种工作状态种工作状态静态静态 当输入信号为零时电路的工作状态当输入信号为零时电路的工作状态静态时放大电路中只有直流分量。静态时放大电路中只有直流分量。输入电压输入电压ui为零时,晶体管各极的电流、为零时,晶体管各极的电流、b-e间的电压、管压降间的电压、管压降称为静态工作点称为静态工作点Q,记作,记作IBQ、ICQ(IEQ)、)、UBEQ、UCEQ。动态动态 有输入信号时电路的工作状态
18、有输入信号时电路的工作状态 动态时电路中的信号为交、直流混合信号。动态时电路中的信号为交、直流混合信号。iBiEiC模拟电子技术基础设置静态工作点的必要性设置静态工作点的必要性 输出电压必然失真!输出电压必然失真!为什么放大的对象是动态信号,却要晶体管在信号为零为什么放大的对象是动态信号,却要晶体管在信号为零时有合适的直流电流和极间电压?时有合适的直流电流和极间电压?模拟电子技术基础放大电路的静态分析放大电路的静态分析静态分析静态分析就是通过放大就是通过放大电路的直流通路求解静态工电路的直流通路求解静态工作点值作点值IBQ、ICQ(IEQ)、)、UBEQ、UCEQ。iBiEiC直流通路直流通路
19、求解静态工求解静态工作点的常用作点的常用方法方法估算法估算法图解法图解法模拟电子技术基础1、静态工作点估算法、静态工作点估算法UCEQ=VCCICQRC式中,式中,|UBEQ|凡硅管可取为凡硅管可取为0.7 V、锗管锗管0.2 V。由输入回路方程由输入回路方程VCC=IBQRB+UBEQ得得由输出回路方程由输出回路方程模拟电子技术基础v例:共射极电路如图,三极管的例:共射极电路如图,三极管的=38=38,VCC=12VVCC=12V,R RB B=300k=300k,R RC C=4k=4k,求该电路的静态工作点,求该电路的静态工作点QiBiEiCUCEQ=VCCICQRC=12 1.5mA*
20、4k=12-6=6V模拟电子技术基础2、静态工作点图解法、静态工作点图解法1)输入回路输入回路列写输入回路方程列写输入回路方程VCC=IBRB+UBE 直流负载线与晶体管输入特性曲线直流负载线与晶体管输入特性曲线的交点,即为放大电路的输入静态的交点,即为放大电路的输入静态工作点工作点Qi。在在iB uBE坐标系中表示是一条直线坐标系中表示是一条直线称为输入回路的直流负载线称为输入回路的直流负载线VCC/RBVCC输入回路直输入回路直流负载线流负载线QIBQUBEQ模拟电子技术基础2)输出回路)输出回路VCC=ICRC+UCE输出回路方程输出回路方程称为输出回路的直流负载线。称为输出回路的直流负
21、载线。直流负载线与晶体管输出特性曲直流负载线与晶体管输出特性曲线的交点,即为放大电路的输出线的交点,即为放大电路的输出静态工作点静态工作点Qo。在在iC uCE坐标系中也是一条直线,坐标系中也是一条直线,IBQ=40uAIB=20uAIB=60uAQICQUCEQ直流负载线直流负载线模拟电子技术基础模拟电子技术基础用用PNP型三极管设计一个放大电路型三极管设计一个放大电路模拟电子技术基础放大电路的动态分析放大电路的动态分析放大电路的动态分析是放大电路的动态分析是在静态分析的基础上,分析电在静态分析的基础上,分析电路中的信号的传输情况,考虑的只是电压和电流的交路中的信号的传输情况,考虑的只是电压
22、和电流的交流分量(信号分量)。流分量(信号分量)。常用的分析方法常用的分析方法图解法图解法小信号模型分析法小信号模型分析法模拟电子技术基础1、图解法在放大电路动态分析中的应用、图解法在放大电路动态分析中的应用设输入信号设输入信号ui=Uimsinw w t ViBiEiC+uBE-模拟电子技术基础1当当RL=时时在输入回路在输入回路uBE=UBEQ+uitOuBE波形图波形图iBiEiC+uBE-模拟电子技术基础放大电路的交流通路放大电路的交流通路交流通路画法交流通路画法耦合电容短路耦合电容短路直流电压源短路直流电压源短路iBiEiC+uBE-模拟电子技术基础iEiB+uBE-iCiBiEiC
23、+uBE-由于由于故故模拟电子技术基础iB的波形图的波形图工作点的移动工作点的移动uBE波形图波形图(1)信号的传递信号的传递已知已知QabtOOtOa.iB的形成过程的形成过程模拟电子技术基础输出信号输出信号abtMNOOtiB1iB2已知已知Q已知已知 iBuCE波形图波形图iC波形图波形图输出电压输出电压uoO模拟电子技术基础已知输入信号已知输入信号小结小结输出信号波形输出信号波形输出电压输出电压uo与输入电压与输入电压ui相位相反相位相反为什么为什么OtOtuimuom模拟电子技术基础静态工作点与失真静态工作点与失真 失真的类型失真的类型饱和失真:动态工作轨迹进入饱和区饱和失真:动态工
24、作轨迹进入饱和区截止失真:动态工作轨迹进入截止区截止失真:动态工作轨迹进入截止区放大电路产生失真的原因:放大电路产生失真的原因:1)1)静态工作点选择不合适静态工作点选择不合适 2)2)输入信号幅度过大输入信号幅度过大模拟电子技术基础1、如果静态工作点、如果静态工作点Q太低太低uBE波形图波形图ab已知已知QiB1iB2iB的波形图的波形图a.输输入入波波形形OttOO模拟电子技术基础abiB1iB2已知已知Q已知已知 iBuCE波形图波形图iC波形图波形图b.输出波形输出波形截止截止失真失真tMNOOtO如何消除截止失真?如何消除截止失真?减小减小Rb或者提高或者提高Vcc模拟电子技术基础O
25、tOtOuBE波形图波形图ab已知已知QiB1iB2iB的波形图的波形图a.输输入入波波形形2、如果静态工作点如果静态工作点Q太高太高模拟电子技术基础abiB1iB2已知已知Q已知已知 iBuCE波形图波形图iC波波形图形图b.输出波形输出波形输出输出电压电压饱和饱和失真失真tMNOOtO如何消除饱和失真?如何消除饱和失真?增大增大Rb,减小,减小Rc,减小,减小模拟电子技术基础OtOtOuBE波形波形ab已知已知QiB1iB2iB的波形的波形a.输输入入波波形形3、如果输入信号太大、如果输入信号太大模拟电子技术基础abiB1iB2已知已知Q已知已知 iBuCE波形波形iC波形波形b.输出波形
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- 双极型 三极管 及其 放大 电路
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