三极管放大电路介绍.ppt

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1、1.BJT的高频小信号模型的高频小信号模型混合混合 型高频小信号模型型高频小信号模型1单级共射极放大电路的频率响应高频响应单级共射极放大电路的频率响应高频响应2单级共射极放大电路的频率响应高频响应单级共射极放大电路的频率响应高频响应32.低频响应低频响应低频等效电路低频等效电路42.低频响应低频响应低频等效电路低频等效电路Rb=（Rb1|Rb2）远大于）远大于R i，CeCb2 R i5则则2.低频响应低频响应低频响应低频响应中频区中频区(即通常内即通常内)源电压增益源电压增益(忽略基极偏置电忽略基极偏置电阻阻Rb）当当下限频率取决于下限频率取决于当当62.低频响应低频响应低频响应低频响应相频

2、响应相频响应 180 arctan(fL1/f)180 arctan(fL1/f)幅频响应幅频响应72.低频响应低频响应低频响应低频响应包含包含fL2的幅频响应的幅频响应*4.7.4 单级共集电极和共基极放大电路的高频响应单级共集电极和共基极放大电路的高频响应(自学）自学）81.多级放大电路的增益多级放大电路的增益 前级的开路电压是下级的信号源电压前级的开路电压是下级的信号源电压 前级的输出阻抗是下级的信号源阻抗前级的输出阻抗是下级的信号源阻抗 下级的输入阻抗是前级的负载下级的输入阻抗是前级的负载4.7.5 多级放大电路的频率响应多级放大电路的频率响应92.多级放大电路的频率响应多级放大电路的

3、频率响应 多级放大电路多级放大电路的通频带比它的通频带比它的任何一级都的任何一级都窄。窄。（以两级为例）（以两级为例）则单级的上下限频率处的增益为则单级的上下限频率处的增益为当两级增益和频带均相同时，当两级增益和频带均相同时，两级的增益为两级的增益为即两级的带宽小于单级带宽。即两级的带宽小于单级带宽。4.7.5 多级放大电路的频率响应多级放大电路的频率响应10 一、选择题、填空题和判断题一、选择题、填空题和判断题习题课习题课 1、电路如左图所示，晶体管、电路如左图所示，晶体管VBE=0.7 V，=50，则晶体管工作在，则晶体管工作在（）。）。(a)放大区放大区 (b)饱和区饱和区 (c)截止区

4、截止区 2、已知稳压管的稳压值、已知稳压管的稳压值UZ6V，稳定电流的最小值，稳定电流的最小值IZmin5mA。下图所示电路中。下图所示电路中UO1为（为（），），UO2为（为（）。）。6V5V113、分分别别判判断断下下图图所所示示各各电电路路中中晶晶体体管管是是否否有有可可能能工工作作在在放放大大状状态。态。解：解：（a）可能）可能（b）可能）可能（c）不能）不能（d）不能，）不能，T的发射结会因电的发射结会因电流过大而损坏。流过大而损坏。（e）可能）可能 124、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“”，否则打，否则打“”。（1）放大电路必须加上

5、合适的直流电源才能正常工作；（）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（2）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（任何放大电路的输出都毫无变化；（）（3）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）（4）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。()(5)阻容耦合多

6、级放大电路各级的阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，点相互独立，()它只能它只能放大交流信号。放大交流信号。()(6)直接耦合多级放大电路各级的直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，点相互影响，()它只能放它只能放大直流信号。大直流信号。()(7)只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。()13一、试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简一、试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。（c）不不能能。因因为为输输入入信信号号作

7、作用用于于基基极极与与地地之之间间，不不能驮载在静态电压之上，必然失真。能驮载在静态电压之上，必然失真。解：解：（a）不能。因为输入信号被）不能。因为输入信号被VBB短路。短路。（b）可能）可能。基本放大电路基本放大电路 14二、判断所示各两级二、判断所示各两级放大电路中，放大电路中，T1和和T2管分别组成哪种基本管分别组成哪种基本接法的放大电路。设接法的放大电路。设图中所有电容对于交图中所有电容对于交流信号均可视为短路。流信号均可视为短路。（a）共射，共基）共射，共基（b）共射，共射）共射，共射（c）共射，共射）共射，共射（d）共集，共基）共集，共基（f）共基，共集）共基，共集 15三三、若

8、电容、若电容Ce开路，则将引起开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？如何变化？输入电阻增大，电压增益减小，频带变宽输入电阻增大，电压增益减小，频带变宽16四、四、放大电路如图放大电路如图1所示，所示，已知晶体管的已知晶体管的 ，要，要求：求：(1)试求放大电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻；试求放大电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻；(2)设输出电压的波形出现如图设输出电压的波形出现如图2的失真情况，的失真情况，试问改变偏流电试问改变偏流电阻阻 的大小能否消除失真？为什么？若负载电阻和输入信号的大小能否消除失真？为什么？若负载电阻和输入信号均不变

9、，怎样才能消除上述失真。均不变，怎样才能消除上述失真。解：（解：（1）AU=-(RC/RL)/rbe=-44 Ri=RB/rbe1k Ro=RC=3.3k（2）不能。因不能。因为现在同时出为现在同时出现饱和失真和现饱和失真和截止失真。改截止失真。改变变RB，只能使，只能使饱和失真或截饱和失真或截止失真更厉害。止失真更厉害。增大电源的值或选用增大电源的值或选用小小的管子的管子 17五、五、设下图所示各电路的静态工设下图所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的交作点均合适，分别画出它们的交流等效电路，并写出流等效电路，并写出Au、Ri和和Ro的表达式。的表达式。解：解：电压增益：电压增益：输入

10、电阻：输入电阻：输出电阻：输出电阻：18六、三级放大电路如图所示。各晶体管的参数六、三级放大电路如图所示。各晶体管的参数，试求试求(1)画出微变等效电路；画出微变等效电路；（2）求出此电路的输入电阻）求出此电路的输入电阻 Ri与输出电阻与输出电阻Ro。19微微变变等等效效电电路路uo+rbe1ib1 ib1rbe215k 18k 62k ib2rbe36.2k 220k 4.3k 560 ib3ib2ib3ui-+-750k 20Ri=？ri2=18/62/3=2.74 kRE=15/ri2=2.12 kRi=750/(rbe1+(1+50)*RE)=98 k ri2REuo+rbe1ib1

11、ib1rbe215k 18k 62k ib2rbe36.2k 220k 4.3k 560 ib3ib2ib3ui-+-750k 放大电放大电路的增路的增益？益？RiR0=4.3/(rbe3+220/6.2)/51=14521放大电路的频率响应放大电路的频率响应 一、选择正确答案填入空内。一、选择正确答案填入空内。1、对对于于单单管管共共射射放放大大电电路路，当当f fL时时，与与 相相位位关关系系是是 。A.45 B.90 C.135 当当f fH时，时，与与 的相位关系是的相位关系是 。A.45 B.135 C.225 CC2、某共射放大电路的波特图如右图所某共射放大电路的波特图如右图所示，

12、其增益的表达式：示，其增益的表达式：225.1 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应管半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET,MOS）*5.3 结型场效应管结型场效应管(Junction Field Effect Transistor,JFET）*5.4 砷化镓金属砷化镓金属-半导体场效应管半导体场效应管*5.5 各种放大器件电路性能比较各种放大器件电路性能比较5.2 MOSFET放大电路放大电路235.1 金属金属-氧化物氧化物-半导体半导体（MOS）场效应管）场效应管5.1.1 N沟道增强型沟道增强型

13、MOSFET5.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数5.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET5.1.3 P沟道沟道MOSFET5.1.4 沟道长度调制效应沟道长度调制效应24P沟道沟道耗尽型耗尽型P沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道增强型增强型N沟道沟道N沟道沟道（耗尽型）（耗尽型）FET场效应管场效应管JFET结型结型MOSFET绝缘栅型绝缘栅型(IGFET)耗尽型耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道场效应管的分类：场效应管的分类：255.

14、1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET1.结构结构（N沟道）沟道）L：沟道长度：沟道长度W：沟道宽度：沟道宽度tox：绝缘层厚度：绝缘层厚度通常通常 W L 1、杂浓度、杂浓度低、电阻率低、电阻率高。高。2、扩散的方法，参杂浓、扩散的方法，参杂浓度高度高34265.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET剖面图剖面图1.结构结构（N沟道）沟道）符号符号漏极漏极d:Drain 栅极栅极g:Gate源极源极s:source275.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET2.工作原理工作原理（1）栅源电压栅源电压vGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用V V V VT T T T 称为开启电压称为开启电压称为开启电压称为开启电压28