第2章晶体结构习题及参考答案——材科基习题答案资料文档.docx

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1、第二章晶体结构习题及参考答案2J定性描述品体结构的参最有.哪些？定印.描述晶体结构的参吊乂仃哪些？2.2 依据结合力的本质不同，晶体中的键合作用分为哪几类？其特点是什么？23等径球最紧密堆枳的空隙有哪两种？ 一个球的周围仃多少个四面体空隙、多少个八面体 空隙？2.4 n个等径球作最紧密堆积时可膨成多少个四面体空隙、多少个八面体空隙？不等径球是 如何进行堆枳的？m2.5 硅酸盐晶体结构行何特点？怎样表征其化学式？2.6 硅酸盐晶体的分类依据是什么？可分为那儿类，每类的结构特点是什么？2.7 解释下列概念晶系、晶胞、晶胞参数、空间点阵、米勒指数(晶面指数)、离子晶体的晶格能、原子半径 与离子半处、

2、配位数、离子极化、同质多晶与类质同晶、正尖晶石与反正尖晶石、反萤石结 构、铁电效应、压电效应.2.8 (1) 一品面在x、y、z轴上的截距分别为2a、3b、6a求出该品面的米勒指数；(2)- 品ifti在x、y、z轴上的截距分别为a/3、b/2. c,求出该品面的米勒指数。2.9 在立方品系的晶胞中画出下列米勒指数的晶面和晶向：(001)与2/0, (111)与9-2. (I/O)与111, (-3-22)与236, (257)11-1, (123) 1-21, (102), (11-2), (-21-3),110, 11-1, 1-20、-321(负数指标由于无法输入将负号写在指标数字前面)

3、2.10 写出面心立方格子的单位平行六面体上所有结点的坐标。2.1 解答：晶体结构的定性描述主要仃晶胞参数、品系划分和空间点阵类型.定属描述则主 争要指品面指数和品向指数。2.2 解答：主要分为金属晶体、离子晶体、共价晶体和分子晶体四类。金属犍是失去最外层 电子(价电子)的实和自由电广11成的电子云之间的静电库仑力而产生的结合“金园晶 体最我著的物理性质是具仃良好的导电性和导热性。金属的结合能比离子晶体和原子晶体要 低一些，但过渡金属的结合能则比较大。离子键是正、负离子依靠静电库仑力向产生的键合. 禽子键的特点是没仃方向性和饱和性。质点之间主要依靠静电库仑力而结合。离了晶体因其 依值强键力静电

4、库仑力结合，故其结构非常稳定。反映在宏观性质上，晶体的熔点高，硬度 大,导电性能差，膨胀系数小。共价键是原子之间通过共川电子对或通过电子云市杼而产生2.22 解答：不同, CaO的晶格能较MgO的低，因此稳定性更差.更活泼。2.23 解答：(1)(2)如图所示0(100).500(100) .0(100).500(100) .0(100).500(100),(3)F填入Ca的四面体空隙内 三四面体高度=+，而四面体的边长为旦, 3.-2解答：解：CdL 晶体，Cd:l： CN=6, 1 与三个在同一边的3目连；r： CN=3,=1=|/|MCN电价饱和b CaT论晶体,Ctf*i CH=12

5、Ti *： CN=& 0*OTiCa Ji CN=6, v=2=|z|. 丁 CWo电价饱和.2.24 解答：(1)略；四面体空隙的位置八面体空隙的位置(2)四面体空隙数心数=2:1,八面体空隙数/O数=1:1；(3) (a)CN=4, z+/4x8=2t z+=h Na：O, LiiO： (b)CN-6, z+/6x6=2, z+=2, FeO, MnO； (c) CN-4,/4乂4-2, z+-4, ZnS, SiC： (d)CN-6, /6乂3=2, z+-4, MnO2，下列徒液盐矿物件属何种结构类型：MgdSiCh, KAIShOg, CaMgSijO6, Mg?Si40T(OH,

6、CazAlfAlSiOo根据MgdSiO”在(110)面的投影图回答：(1)结构中有几种配位多面体，各闻位多而体间的在接方式怎样？(2)02的电价是否饱和？(3)品胞的分子数是多少？(4) S产和Mg?，所占的四面体空隙和八面体空隙的分数是多少?2.28 石棉矿如透闪石Ca2MgsSiQ“(OH)2具有纤维状结晶习性,而滑石Mg2SWM(OHX 却具有片状结晶习性，试解释之。2.29 石墨、滑勺和高岭石具有层状结构,说明它们要加的区别及由此引起的性质上的差异.2.30 (1)在硅酸盐晶体中,A甲为什么能部分置换硅氧骨架中的sr；(2) Al置换Si后，对硅酸盐组成有何影响？(3)用电价规则说明

7、A产置换骨架中的Si时，通常不超过一半，否则将使结构不稳定。2.31 化学手册中给出NILC1的密度为L5g，cm3, X射线数据说明NlhCl有两种晶体结构， 一种为、aCI型结构,a=0.726nm：另一种为CsCl结构，a=0.387nmo上述率度值是哪一种 晶型的？(NH寓子作为一个单元占据晶体点阵)。2.32 MnS有三种多晶体，其中两种为NaCI型结构，一种为立方ZnS型结构，当有立方型ZnS结构转变为NaCI型结构时，体积变化的百分数是多少？已知CN=6时，八=0.08团， Ar*/= 0.184用,CN-4 时，小=O.O73ww, r,2. =0.167nm。 SA Ar3S

8、i和Al的原子量非常接近(分别为28.09和26.98),但 沁 及AhCh的密度相差很大 (分别为2.65及3.96)。运用晶体结构及鲍林规则说明这一差别。234钛酸钢是一种重要的铁电陶克，其晶型是钙钛矿结构，试问(a)属于什么点阵:(b)这个结构中离子的配位数位若干；(c)这个结构遵守鲍林规则吗？诗作充分讨论。2.33 解答：岛状：架状；单临层状(灵网)；组群(双四面体)。2.34 解答：(1)有两种配位多面体，SiO小MgOo，同层的MgCM八面体共棱,如59MgO力 和49MgO,拱枝7502和270匕 不同层的MgOJ八面体共顶,如和51MgO拱顶 是220%同层的MgO力与SiO”

9、共顶,如-lMgOd和7SiO$共顶223,不同层的MgO(J 与SiOJ共棱,lMgOq和 43SiO“共 280和 28O2:(2)0与 3 个MgOj和 1 个SiO 配位，yi=2=|zj 饱和；(3)z=4； UCN(4) Si-占四面体空隙=1/8, Mg=占八面体空隙=1/2。2.28 解答，透闪石双链结构，链内的Si0键要比链5的CaO、MgO键强很多.所以很容 易沿链间结合力较弱处劈裂成为纤维状：滑石发网层结构，”网层由两个SiCh层和中间的 水镁石层结构构成，灾网层与更网层之间靠教弱的分之间作用力联系，因分子间力弱,所以 易沿分子间力联系处解理成片状。2.29 解答：石思中

10、同层C原子进行SP杂化，形成大n键，每一层都是六边形网状结构。由 于间隙较大,电子可在同层中运动,可以导电,层间分子间力作用,所以石整比较软。滑 石:Mg3Si40io(OH)2复网层结构，Si-O层+水镁石层+Si-O层,层间分子间力结合,作用 力弱，具有片状解理旦有滑肮感。高岭石：ARSi40M(OHR.单网层结构,一层水铝石层+ Si-O层,层间氢键结合，具有片状微晶解.2.3。解答：(1) A1可与()2形成A104产;A甲与Si处于第二周期,性质类似,易于进入硅 酸盐晶体结构中与Sig发生同晶取代,由于鲍林规则,只能部分取代；(2) AH，置换S时是 部分取代,A伊取代S卢时结构单元

11、AlSiO静去了电中性,有过剩的负电荷,为了保持电 中性,将有一些半径较大而电荷较低的阳离子如K，Ca2 Ba进入结构中；(3)设A 置换了一半的Si,则8与一个Si一个AH-相连，阳离子静电健强度=3/4*1 4/4x 1=7/4, O2电俏数为2,二者相差为1/4,若取代超过一半，二者相差必然)1/4,造成结构不稳定。231解答:密度=Z x M NH /xN,所以当结构为Na。型时，密度Z x MNH4d(JxNaZ x MNH4d(JxNa=0.923g/cm=1.514g/cM4x(l4 + 4x1 + 35)g/7。/(0.726 x 1O-7 cm3 x 6.023 x 1023

12、 /mold _ Z x Mnh/二(JxNa当结构为CsCl型时，格度lx(14 + 4xl + 35)g/mo/(0.387 x 1 O-7)tw5 x6.023 x 1025/mol所以是CsCI型结构的。2.32 解答配位数为6时,，仁= = 0.435 0.414所以阴窝子构成的八面体中.20.184阴离子不能相互接触。此时单胞的边长(M/C7 型)=2(% “ + r.) = 2(0.08 + 0.184) = 0.528(，)配位数为4时，工=2经= ().437 0.225所以阴离子构成的四面体中，阴离子也不 30.167能相互接触。此时，叫而体边长的2倍为HZS型)，而四面体

13、高度的三分之二为(7- 2f +/),依据这样的儿何关系仃o(ZS型)=0.554(加)所以体积变化一：554 =3.5%0.5542.33 解答：结构方面：负离子堆积：AI。中，氧为最密堆枳，SiO?中，氧为非最密堆积； 阳离子填隙：AIQ中，AP,填入八面体空隙，填隙率为2/3;SiCh中，Si则填入四面体空 隙中，填隙率为1/4；所以前者比后者密度大.多面体连接方面：按照Pauling规则：AbOi中 7中尸2即一个氧离子平均被4个八面体4共用，因此有共极和共面的趋势；SiCh中？X2 = 2即一个较离子被2个四面体共用，只共 4顶连接，所以前者比后者的密度大。2.34 解答：(a)为简

14、单立方点阵(b)钛离子的配位数为6,领离手的配位数为12氧离子周围的钛位位为2,钢配位为4(c)这个结构按照鲍林规则，电价是平衡的：4 r 2 4cz. = x2 + x4 = 20612的键合。共价键的特点是具有方向性和饱和性。原子晶体具有熔点高，硬及大，导电性能基 等特性。各种晶体之间性能差别也很大。分子晶体则是通过“分子力”或范德华力而产生的 犍含。由于分子间力相对比化学犍要小很多，通常分子晶体是透明的绝缘体，熔点极低。距2.3解答：等性球密堆枳时形成的空隙有四面体空隙和八面体空隙.一个球周围有8个四面 ,7体空隙和6个八面体空隙.2.4 解答：形成2n个四面体空隙和n个八面体空隙。不等

15、彳仝球通常是直径大的球先做最密雄 积（如面心立方堆枳或六方最密堆枳），直径小的球则填充在八面体或四ihj体空隙内。2.5 解答：硅酸盐晶体结构特征有：（1）构成任酸盐晶体的基本结构单元SiO“四If体.SiOSi 键是一条夹角不等的折线,一般在145。左右.（2） SiO四面体的每个顶点,即O2离子最 多只能为两个SiO/四面体所共用。（3）两个相邻的SiOWQ而体之间只能共顶而不能共棱 或共iffi连接。（4）SiOJ四血体中心的Si什离子可部分地被A卢所取代。在表征硅酸盐晶体 的化学式时.通常有两种方法：一种是所谓的舸化物方法，另一种是无机络盐表示法和结构 式写法氧化物方法：即把构成硅酸体

16、的所有氧化物按一定的比例和顺序全出, 先是I价的碱金属氧化物，其次是2价、3价的金旭较化物，最后是SiOm例如，钾长石的 化学式写为 K2OAI2Or6SiO2：无机络盐表示法：把构成徒般盐晶体的所有离子按照一定 比例和顺序全部写出来,先是1价、2价的金属离子,其次是A1和Sit最后是02或OH o 如钾长石为KAISiaOsc结构式表示法：先写联结些轴骨干的阳离子，按低价到高价的顺序, 然后写硅轧竹干，并用括起来，最后写水，水可以是0H形式的，也可以是H10分子 形式的。钾长石：KAIShOR高岭石：AhSi4Oio （OH）Mo解答：依据心酸盐晶体化学式中不同的Si/O比对其结构进行分类，

17、因为不同Si/O比对 应了基本结构单元之间的不同结合方式。硅酸盐晶体中SiO四面体的结合方式有岛状、组 群状、链状、层状和架状等五种方式，硅酸盐晶体也分为相应的五种类型，其对应的Si/O rtl 1/4变化到1/2。岛状结构的特点：SiOH四面体以孤岛状存在，各顶点之间并不互相连接， 每个O2- 一侧与1个Si连接，另一侧与其它金属离子相配位使电价平衡构中Si/O比为 1： 4。组群状结构的特点：纠群状结构是2个、3个、4个或6个SiO4四而体通过共用镇相 连接形成单独的硅领络阴窝子团，硅氧络阴离子团之间再通过其它金属离子连接起来,仃限 四面体群中连接两个S时离子的辄称为桥辄，由于这种氧的电价

18、己经饱和，一般不再与其它 正离子再配位.故孙、称为II活性虬 相时地只仃一侧与SL离子相连接的轲称为II桥氧 或活性氧。链状结构的特点：硅氧,四而体通过共用的领离子相连接，形成向一维方向无限延 伸的链a依照硅氧四面体共用顶点数目的不同,分为旭链和双链两类0层状结构的特点：层 状结构是每个硅氧四面体通过3个桥转连接，构成向二维方向伸展的六节环状的徒氧层（无 限四面体群工在六节环状的层中，可取出一个矩形单元SiQii产，于是硅氧层的化学式可 写为SiQio。按照硅氧层中活性氧的空间取向不同,硅氧层分为单网层和红网层。单网层 结构中硅氧层的所仃活性氧均指向同一个方向。复网层结构中,两层后丫.层中的活

19、叫 交替地指向相反方向。架状结构的特点：架状结构中硅氧四面体的每个顶点均为桥氧，硅氧 四面体之间以共顶方式连接，形成三维“骨架”结构。结构的重复单元为SiOz,作为骨架 的硅氧结构单元的化学式为竽0必 其中Si/O为1： 2。2.6 解答：品系：把品胞按照对称性的不同，或说按照品胞参数之间的关系的不同进行的分类。 品胞：品胞是从晶体结构中取出来的反映晶体周期性和对称性的最小重复单元。晶胞参数：在用平行六山I体表示一个品体结构的最小重复单元时，平行六间体的三个边长及 三个夹角。空间点际：把晶体中质点的中心用口线联起来构成的空间格架，简称品格。点阵是组无限 的点，在空间按一定规则周期性排列，连接其

20、中任意两点可得一矢量，将各点按 此矢鱼在空间平移可使点阵发原。点固中的点代表了晶体中相同的位置，任一点 周围的环境都与其他点相同米勒指数：用于表示空间点阵中某一纠相互平行的晶面的一套互质的数值，常写作(hkl),数 字hkl是晶面在三个坐标轴(晶轴)上截距的倒数的互质整数比。离子晶体的品格能：1摩尔离子晶体中的正负离子，由相互远离的气态结合成离子晶体时所 释放出的能量。原子半径与离子半径：原子处于孤立态时原子半径定义：从原子核中心到核外电子的几率密 度趋向于零处的距离，亦称为范德华半径。原子处于结合时，根据x射纹衍射可 以测出相邻原手面间的距离。如果是金属晶体，则定义金属原子半径为:相邻两 原

21、子面间距离的一半。如果是离子晶体，则定义正、负离子半径之和等于相邻两 原子面向的距离.每个离子周围存在的球形力场的半径即是离子半径。配位数：一个原子(或离子)周围同种原子(或异号高子)的数目称为原子(或禽子)的配 位数。离子极化：离子晶体中，带电荷的离子所产生的电场，必然要对另一个禽子的电子云产生吸 引或排斥作用，使之发生变形，这种现象称为极化。同质多晶与类质同晶：化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下形成结构不同的晶体的 现象，称为同质多品现象。化学组成相似或相近的物质，在相同的热力学条件下, 形成的晶体具有相同的结构,这种现象称为类质同品现象。正尖晶石与反尖晶小 正尖晶石结构指AB。型晶

22、体(如MgALO.,中的氧离子O2,作血心 立方最紧密堆枳，B离子(如Mg?)填充在四面体空隙，A离子(如A自)离子 占据八面体空隙.反之，如果半数的B离子占据四面体空隙，A离子和另外半数 的B离子占据八面体空隙，则称为反尖晶石。反萤石结构：正常的萤石结构是指AXz型离子晶体中，A尚子作面心立方雄枳，X离子则 填充于四面体空隙内。反萤石结构则指AzX型离子晶体中，离子占位与正常萤石 结构的相反,即X离子作面心立方堆积而A离子则填充于四面体空隙内。铁电效应：在一些电介质晶体中，品胞的结构使正负电荷重心不重合而出现电偶极矩，产生 不等于零的电极化强度，使晶体具有自发极化，品体的这种性质叫铁电性 (

23、ferroelectricity)。铁电体在循环电场作用下具仃电极化强度的滞后即有电滞回线 的效应，即铁电效应。压电效应:正压电效应：某些晶体在机械力作用下发生变形,使晶体内正负电荷中心相对位 移而极化，致使晶体两端表而出现符号相反的束缚电荷，其电荷密度与应力成比 例。这种由“压力,产生电的现象称为正压电效应(direct piezoelectric effect)。逆 争压电效应：如果具有压电效应的晶体置于外电场中，电场使晶体内部正负电荷中 心位移，导致晶体产生形变。这种由“电，产生叶儿械形变”的现象称为逆压电效应 (converse piezoelectric eflEcl)。正压电效应和

24、逆压电效应统称为压电效应。2.7 解答:(1) h:k:l=l/2:l/3:1/6=3:2:l,，该晶面的米勒指数为(321)； (2) (321)2.9解答：各晶面和晶向如下图所示学生作业1.点评，这份作业的品囿的这样来取的，以晶面(257)为切：写出晶面指数的二，个数字的 倒数得到(1/24/5,1/7);把这二个倒散乘以晶面指散的公倍数2X5X7.得到的三个救 值即品面在其轴上的我距，它们是(35,MJO);按照次得的二个轴上的或jft响出二角形根 示的品血“晶向则是直排卜3系中取乩小引向的二个数字所在的坐标点，连原点与坐标Q 作矢量而得，如236),可大概解读出表示这个晶向的矢带终点在

25、二个坐标轴上的读数分别是 2, 3和6.4的1ft晶面和晶句的工则上并无错误，但小圻今月即.的晶胞中画出晶面和晶向的要求.同时，坐标上的单位有时有标识,有时无标识，所以晶面和晶向的同达不 是特别清楚.学牛作业2点用 这份作业中的储郁和品向衣达在形式上符合点目的要求.伊同向的图中坐标系的11邦 可以咯去（就如晶面袤达中小J出坐标系糜杆）,这样表达公史准确，因为随着晶面成品附 的不同,以点是相川变化的.Si和3两个曷小 W果这杼取坐标痴 磨失;，；的起 点不力出点L,对 些摘数较高的品面或繇向,女晶胞的三个轴上还明确林火出截距的坐标. 这样的我达足双感的.恍如以3用同向.a 个立方单i内夫队终点在

26、三个坐标上的法敢分 为足1/MA和1.个单胞内用 个矢表示晶向，矢盘的终点是这杼褥到的，招三个做 字除以共中鼠大的那个效即展,叫236晶向,与三个敏字搐除以6,则将到终点在三个坐标 箱上的读数为1/3,1/2和1注意到这份作业里晶面（我2）妣城2方（由晶而在单胞J.的猿施可见）伊石 个立方 晶用内,这两个晶面是相才干行的,对称性L是等舱的,止确的结果如F如所示:2.10 解答：注意而心立考单胞内只有四个点阵点,写出这四个点阵点的坐标即可: （0.0,0）: （，0,0）： （0,0）: （0.0, ;）解答：MgO 为 Na。型,O2,做密堆积,Mg升填充空隙。rO2. =0.l40nm, r

27、Ng=0.072nm, z=4,晶胞中质点体积：（4/3）xw5/H4/3）xMMaJ）x4, a=2（r4+rj,晶胞体积=a堆积系数=晶胞中MgO体积/品胞体积=6&5%,密度=晶胞中MgO质量/晶胞体积=3.49g/cm工2JI已知Mg?，半彳仝为0.072nm,。久半径为0.140nm,计算MgO晶体结构的雄积系数与密度。2J2计弊体心立方、面心立方、密排六方品胞中的原子数、配位数、堆枳系数。2.13 从理论计算公式计算NaCl与MgO的品格能MgO的熔点为2800r,NaCl为801c.请 说明这种差别的原因。2.14 根据最精堆枳原理，空间利用率越高，结构越稳定，金钢石结构的空间利

28、用率偏低（只 有34.01 %）,为什么它也很稳定？2.15 证明等径回球面心立方最密堆积的空隙率为25.9%；金属镁原了作六方密堆积，测得它的密度为L74gkm*求它的品胞体枳。2.12解答：体心：原子数2.配位数8,堆积系数68.02%；面心：原子数4,配位数12,堆积系数74.04%；六方：原子数6 （六方柱单胞，如果是平行六面体单胞则原子数为2）,配位数 12,堆积系数74.04%,N/w上1、 12出解答七）砥N/w上1、 12出解答七）砥e=1.602x10-19, &产8.854“0凡 M)=6.022x 102NaCl： zi=l zj=1 , A=1.748,门加=7, n=

29、9, n=8 ro=2.81910-IOm, u NaCl=752KJ/mol； MgO： zi=2 zj=2 A= 1.748, n UNaCb ： MgO的熔点高口2.14 解答:最密城积原理主要适用于金属单质和寓子晶体，当把原子或离子视作刚性球体时, 堆积越密集空间利用率越高则物质越稳定。但金刚石为共价晶体，碳原子之间的相互作用力 为共价键.键能高，共价键具有.饱和性和方向性，因此金刚石不是最密堆枳但也很稳定。2.15 解答：设球半径为a,则球的体积为（4/3）必） z=4,则球的总体积（晶胞）4/（4/3湎, 立方体晶胞体积：（26a=16V5a%空间利用率=球所占体积/空间体积=74

30、.1%,空隙率 =h74.1%=25.9%o解答：p=m/V = 1.74g,cm1 V=4.638a IO2cm - o2.16 根据半径比关系，说明卜.列离子与CP配位时的配位数各是多？符=0.132小上=0.039叫 n6： Mg6 2.I8解答：因为不同系列之间的秒化为何构型转化,包含了旧键断裂新键形成的过程,从而 需要较高的能敏，转变温度就看 同系列之间的转化则为位移型转化，无需旧键断裂与新 键形成,只需较低能盘，转变温度就低.219 解答：MgS + a=5.20 A ,阴离了相互接触，a=2V5r., /.rs2-=L84 j ； CaS + a=5.67 A .阴-阳离子相互接

31、feta-2(r.+r),仁2 -095/；CaO 中 a-4.80 A , a-2(r+r.)t /.rO2.=1.40 J ；MgO 中 a=4.20 A， a=2(r+r.) .,、心=0.70 A 02.20 版化锂(LiF)为NaCI型结构，测得其密度为2.6g/cm*根据此数据汁经品胞参数，并将 此值与你从离子半径计算得到数值进行比较。2.21 LLO的结构是O作而心立方堆积，Li，占据所有四面体空隙位置。求：计算四而体空隙所能容纳的最大阳离子半径,并与书末附表Li，半径比较，说明 此时O2能否互相接触(2)根据离子半径数据求晶胞参数。(3)求Li2O的密度。2.22 MgO和Ca

32、O同属NaCI型结构，而它们与水作用时则C,aO要比MgO活泼，试解粒之.2.23 CaF?的点阵常数为0.547nmo(I)根据CaFz晶胞立体图画出CaF?晶胞在(001)面上的投影图。(2)画出CaFz (110)面上的离子排列简图.(3)正负离子半径之和为多少？2.24 算一算Cdh晶体中的I-及CaTiCh晶体中O?的电价是否饱和。2.25 (1)画出作而心立方堆积时，备四面体空隙和八面体空隙的所在位置(以一个晶胞为结 构基元表示出来)。(2)计算四面体空隙数、八面休空隙数与O2数之比。(3)根据电价规则,在下面情况卜，空隙内备而填入何种价数的阳离子，并对每一 种结构举出一个例子。(

33、a)所有四面体空隙位置均填满；(b)所有八面体空隙位置均填满；(c)填满一半四而体空隙位皆；(d)填满一半八面休空隙位置。2.26 )解答：LiF 为 NaCI 型结构，z=4, V=a p=m/V=2.6g,cm1, a=4.05 A ,根据离子半径由离子半径计算得的品胞参数为a=2r+rj=4.14% ,符合得较好.2.27 解答，(1)如图是一个四面体空隙，O为四面体中心位置。AO=r*+r, BC=2r, CE=V3r, CG=2/3CE=2r/3, AG=2JS r/3, AOGCAEFC, OG/CG=EF/CF. OG=EF/CFxCG=JS r/6,互相接触；AO-AG-OG-J? r/2, r-AO-f-(J5 /2-l)r-0.301 A ,查表知 n.-0.68 A 0.301 A ,二。二-不能2.22解答：rv产与rg+不同，公2、侬+, CaO的品格能较MgO的低，因此稳定性更差。 史活泼。