13门电路和组合逻辑电路.ppt
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1、13.1 分立元件门电路分立元件门电路13.3 CMOS 门电路门电路13.2 TTL 门电路门电路第第 13 章章 门电路和组合逻辑电路门电路和组合逻辑电路 13.4 组合逻辑电路的分析组合逻辑电路的分析13.5 加法器加法器13.6 编码器编码器13.7 译码器和数字显示译码器和数字显示13.8 半导体存储器和可编程逻辑器件半导体存储器和可编程逻辑器件13.9 应用举例应用举例一一类类称称为为模模拟拟信信号号,它它是是指指时时间间上上和和数数值值上上的的变变化化都都是是连连续续平平滑滑的的信信号号,如如图图(a)中中的的正正弦弦信信号号,处处理理模模拟拟信号的电路叫做模拟电路。信号的电路叫
2、做模拟电路。电子电路中的信号分为两大类电子电路中的信号分为两大类:一类称为数字信号,它一类称为数字信号,它是指时间上和数值上的变化是指时间上和数值上的变化都是不连续的,如图都是不连续的,如图(b)中中的信号,处理数字信号的电的信号,处理数字信号的电路称为数字电路。路称为数字电路。(b)(a)13.1.1 门电路的基本概念门电路的基本概念13.1 基本门电路及其组合基本门电路及其组合 逻辑门电路是数字电路中最基本的逻辑元件。逻辑门电路是数字电路中最基本的逻辑元件。逻辑门电路是数字电路中最基本的逻辑元件。逻辑门电路是数字电路中最基本的逻辑元件。所谓门就是一种开关,它能按照一定的条件去所谓门就是一种
3、开关,它能按照一定的条件去控制信号的通过或不通过。控制信号的通过或不通过。门电路的输入和输出之间存在一定的逻辑关系门电路的输入和输出之间存在一定的逻辑关系(因果关系因果关系),所以门电路又称为,所以门电路又称为逻辑门电路逻辑门电路。基本逻辑关系为基本逻辑关系为“与与与与”、“或或或或”、“非非非非”三种。三种。下面通过例子说明逻辑电路的概念及下面通过例子说明逻辑电路的概念及“与与与与”、“或或或或”、“非非非非”的意义。的意义。220V+-设:开关断开、灯不亮用逻辑设:开关断开、灯不亮用逻辑设:开关断开、灯不亮用逻辑设:开关断开、灯不亮用逻辑“0”0”表示,开关表示,开关表示,开关表示,开关闭
4、合、灯亮用闭合、灯亮用闭合、灯亮用闭合、灯亮用 逻辑逻辑逻辑逻辑“1”1”表示。表示。表示。表示。逻辑表达式逻辑表达式逻辑表达式逻辑表达式:Y=A B1.“1.“与与与与”逻辑关系逻辑关系逻辑关系逻辑关系 “与与与与”逻辑关系是指当决定某事件的条件全部逻辑关系是指当决定某事件的条件全部逻辑关系是指当决定某事件的条件全部逻辑关系是指当决定某事件的条件全部具备时,该事件才发生。具备时,该事件才发生。具备时,该事件才发生。具备时,该事件才发生。000101110100ABYBYA状态表状态表状态表状态表BY220VA+-2.“2.“或或或或”逻辑关系逻辑关系逻辑关系逻辑关系 “或或或或”逻辑关系是指
5、当决定某事件的条件之逻辑关系是指当决定某事件的条件之逻辑关系是指当决定某事件的条件之逻辑关系是指当决定某事件的条件之一具备时,该事件就发生。一具备时,该事件就发生。一具备时,该事件就发生。一具备时,该事件就发生。逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑表达式:Y=A+B状态表状态表状态表状态表000111110110ABY3.“3.“非非非非”逻辑关系逻辑关系逻辑关系逻辑关系 “非非”逻辑关系是否定或相反的意思。逻辑关系是否定或相反的意思。逻辑关系是否定或相反的意思。逻辑关系是否定或相反的意思。逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑表达式:Y=A状态表状态表状态表状态表101AY0Y220V
6、A+-R 由电子电路实现逻辑运算时,它的输入和输出由电子电路实现逻辑运算时,它的输入和输出由电子电路实现逻辑运算时,它的输入和输出由电子电路实现逻辑运算时,它的输入和输出信号都是用电位(或称电平)的高低表示的。高电信号都是用电位(或称电平)的高低表示的。高电信号都是用电位(或称电平)的高低表示的。高电信号都是用电位(或称电平)的高低表示的。高电平和低电平都不是一个固定的数值,而是有一定的平和低电平都不是一个固定的数值,而是有一定的平和低电平都不是一个固定的数值,而是有一定的平和低电平都不是一个固定的数值,而是有一定的变化范围。变化范围。变化范围。变化范围。电平的高低电平的高低一般用一般用“1”
7、和和“0”两种两种状态区别,若状态区别,若规定规定高电平为高电平为“1”,低电,低电平为平为“0”则则称为称为正逻辑正逻辑。反之则称为反之则称为负负逻辑逻辑。若无特。若无特殊说明,均采殊说明,均采用正逻辑。用正逻辑。100VUCC高电平高电平低电平低电平1.二极管二极管“与与”门电路门电路 (1)(1)电路电路电路电路(2)(2)工作原理工作原理工作原理工作原理输入输入A、B、C全为高电平全为高电平“1”,输出输出 Y 为为“1”。输入输入A、B、C不全为不全为“1”,输出输出 Y 为为“0”。0V0V0V0V0V3V+U 12VRDADCABYDBC3V3V3V0V0000001010101
8、1001000011001001111ABYC“与与与与”门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表0V3V13.1.2 分立元件基本逻辑门电路分立元件基本逻辑门电路1.二极管二极管“与与”门电路门电路(3)(3)逻辑关系:逻辑关系:逻辑关系:逻辑关系:“与与与与”逻辑逻辑即:有即:有“0”出出“0”,全全“1”出出“1”Y=A B C逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑符号:逻辑符号:逻辑符号:逻辑符号:&ABYC00000010101011001000011001001111ABYC“与与与与”门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表2.二极管二极管“或或”门
9、电路门电路 (1)(1)电路电路电路电路0V0V0V0V0V3V3V3V3V0V00000011101111011001011101011111ABYC“或或或或”门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表3V3V-U 12VRDADCABYDBC(2)(2)工作原理工作原理工作原理工作原理输入输入A、B、C全为低电平全为低电平“0”,输出输出 Y 为为“0”。输入输入A、B、C有一个为有一个为“1”,输出输出 Y 为为“1”。2.二极管二极管“或或”门电路门电路(3)逻辑关系逻辑关系:“或或或或”逻辑逻辑即:有即:有“1”出出“1”,全全“0”出出“0”Y=A+B+C逻辑表达式:逻辑表
10、达式:逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑符号:逻辑符号:逻辑符号:逻辑符号:ABYC 100000011101111011001011101011111ABYC“或或或或”门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表3.晶体管晶体管“非非”门电路门电路+UCC-UBBARKRBRCYT 1 0截止截止截止截止饱和饱和(2)逻辑表达式:逻辑表达式:Y=A“0”10“1”(1)(1)电路电路电路电路“0”“1”AY“非非非非”门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表逻辑符号逻辑符号1AY1.1.与非门电路与非门电路与非门电路与非门电路有有“0”出出“1”,全,全“1”出出“0”“与与与与”门
11、门门门&ABCY&ABC“与非与非与非与非”门门门门00010011101111011001011101011110ABYC“与非与非与非与非”门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表Y=A B C逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑表达式:1Y“非非非非”门门门门13.1.3 基本逻辑门电路的组合基本逻辑门电路的组合2.2.或非门电路或非门电路或非门电路或非门电路1Y“或或或或”门门门门ABC 1有有“1”出出“0”,全,全“0”出出“1”00010010101011001000011001001110ABYC“或非或非或非或非”门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表门逻辑状态表Y
12、=A+B+C逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑表达式:Y1ABC“或非或非或非或非”门门门门13.1.3 基本逻辑门电路的组合基本逻辑门电路的组合例:根据输入波形画出输出波形例:根据输入波形画出输出波形例:根据输入波形画出输出波形例:根据输入波形画出输出波形ABY1有有“0”出出“0”,全全“1”出出“1”有有“1”出出“1”,全全“0”出出“0”&ABY1 1ABY2Y2ABC&1&D1Y3.3.与或非门电路与或非门电路与或非门电路与或非门电路1&YABCD逻辑符号逻辑符号13.1.3 基本逻辑门电路的组合基本逻辑门电路的组合Y=A B+C D逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑表达式:逻辑表
13、达式:漏极漏极D 栅极和其栅极和其栅极和其栅极和其它电极及硅它电极及硅它电极及硅它电极及硅片之间是绝片之间是绝片之间是绝片之间是绝缘的,称绝缘的,称绝缘的,称绝缘的,称绝缘栅型场效缘栅型场效缘栅型场效缘栅型场效应管。应管。应管。应管。金属电极金属电极(1)(1)N N沟道增强型管的结构沟道增强型管的结构沟道增强型管的结构沟道增强型管的结构栅极栅极G源极源极S增强型绝缘栅场效应管增强型绝缘栅场效应管增强型绝缘栅场效应管增强型绝缘栅场效应管SiO2绝缘层绝缘层P P型硅衬底型硅衬底 高掺杂高掺杂N区区13.3 CMOS 门电路门电路GSD符号:符号:符号:符号:由于栅极是绝缘的,栅极电流几乎为零,
14、输入由于栅极是绝缘的,栅极电流几乎为零,输入电阻很高,最高可达电阻很高,最高可达1014 。漏极漏极D金属电极金属电极栅极栅极G源极源极SSiO2绝缘层绝缘层P P型硅衬底型硅衬底 高掺杂高掺杂N区区 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅,故又称金属二氧化硅,故又称金属-氧化物氧化物-半导体场效应管,半导体场效应管,简称简称MOS场效应管。场效应管。(2)N(2)N沟道增强型管的沟道增强型管的沟道增强型管的沟道增强型管的工作原理工作原理工作原理工作原理EGP型硅衬底型硅衬底N+N+GSD+UGSED+由结构图可见由结构图可见,N+型漏区和型漏
15、区和N+型源区之间被型源区之间被P型衬底隔开,漏极和源极之间是两个背靠背的型衬底隔开,漏极和源极之间是两个背靠背的PN结结。当栅源电压当栅源电压UGS=0 时时,不管漏极和源极之间所不管漏极和源极之间所加电压的极性如何,其加电压的极性如何,其中总有一个中总有一个PN结是反向结是反向偏置的,反向电阻很高,偏置的,反向电阻很高,漏极电流近似为零漏极电流近似为零。SDEGP型硅衬底型硅衬底N+N+GSD+UGSED+当当UGS 0 时,时,P P型衬底中的电子受到电场力的吸型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层,填补空穴形成负离子的耗尽层;引到达表层,填补空穴形成负离子的耗尽层;N型导电沟道型导电沟
16、道 在漏极电源的作在漏极电源的作在漏极电源的作在漏极电源的作用下将产生漏极电流用下将产生漏极电流用下将产生漏极电流用下将产生漏极电流I ID D,管子导通。管子导通。管子导通。管子导通。当当当当U UGS GS U UGSGS(thth)时,时,时,时,将将将将出现出现出现出现N N型导电沟型导电沟型导电沟型导电沟道,将道,将道,将道,将D-SD-S连接起连接起连接起连接起来。来。来。来。U UGSGS愈高,导愈高,导愈高,导愈高,导电沟道愈宽。电沟道愈宽。电沟道愈宽。电沟道愈宽。(2)N(2)N沟道增强型管的沟道增强型管的沟道增强型管的沟道增强型管的工作原理工作原理工作原理工作原理EGP型硅
17、衬底型硅衬底N+N+GSD+UGSED+N型导电沟道型导电沟道当当UGS UGS(th(th)后,场效后,场效应管才形成导电沟道,应管才形成导电沟道,开始导通,开始导通,若漏若漏源之源之间加上一定的电压间加上一定的电压UDS,则有漏极电流则有漏极电流ID产生。产生。在一定的在一定的UDS下下漏极电流漏极电流ID的大小与栅源电压的大小与栅源电压UGS有关。所以,场效应管有关。所以,场效应管是一种电压控制电流的是一种电压控制电流的器件。器件。在一定的漏在一定的漏源电压源电压UDS下,使管子由不导通下,使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(thth
18、)。(2)N(2)N沟道增强型管的沟道增强型管的沟道增强型管的沟道增强型管的工作原理工作原理工作原理工作原理(3)(3)特性曲线特性曲线特性曲线特性曲线有导电沟道有导电沟道转移特性曲线转移特性曲线转移特性曲线转移特性曲线无导电无导电沟道沟道开启电压开启电压开启电压开启电压U UGSGS(th(th(th(th)UDSUGS/ID/mAUDS/Vo oUGS=1VUGS=2VUGS=3VUGS=4V 漏极特性曲线漏极特性曲线漏极特性曲线漏极特性曲线恒流区恒流区恒流区恒流区可变电阻区可变电阻区可变电阻区可变电阻区截止区截止区截止区截止区N型衬底型衬底P+P+GSD符号:符号:结构结构(4)(4)P
19、 P P P沟道增强型沟道增强型沟道增强型沟道增强型 SiO2绝缘层绝缘层加电压才形成加电压才形成 P型导电沟道型导电沟道 增强型场效应管只有当增强型场效应管只有当U UGSGS U UGSGS(th(th(th(th)时才形成导时才形成导电沟道。电沟道。AYT2+UDDT1N 沟道沟道P 沟道沟道GGDSS13.3 CMOS 13.3 CMOS 门电路门电路PMOSPMOS管管管管NMOSNMOS管管管管CMOS CMOS 管管管管负载管负载管负载管负载管驱动管驱动管驱动管驱动管(互补对称管互补对称管互补对称管互补对称管)A A=“1”=“1”时,时,时,时,T T1 1导导通,通,通,通,
20、T T2 2截止,截止,截止,截止,Y Y=“0”=“0”A A=“0”=“0”时,时,时,时,T T1 1截止,截止,截止,截止,T T2 2导导通,通,通,通,Y Y=“1”=“1”Y=AY=A13.3.1 CMOS 非门电路非门电路T4 与与 T3 并联,并联,T1 与与 T2 串联;串联;当当 AB 都是高电平时都是高电平时,T1 与与 T2 同同时时导导通通,T4 与与 T3 同同时时截截止止;输输出出 Y 为为低电平。低电平。当当AB中中有有一一个个是是低低电电平平时时,T1与与T2中中有有一一个个截截止止,T4与与T3中中有有一一个导通个导通,输出输出Y 为高电平。为高电平。AB
21、T4T3T1T2+UDDY1.1.电路电路电路电路2.2.工作原理工作原理工作原理工作原理13.3.2 CMOS 与非门电路与非门电路BT4T3T1T2AY 当当 AB 中中有有一一个个是是高高电电平平时时,T1 与与 T2 中中有有一一个个导导通通,T4 与与 T3 中中有有一一个个截截止止,输输出出 Y 为低电平。为低电平。当当AB都都是是低低电电平平时时,T1 与与 T2 同同时时截截止止,T4 与与 T3 同同时时导导通通;输输出出 Y 为高电平。为高电平。1.1.电路电路电路电路2.2.工作原理工作原理工作原理工作原理13.3.3 CMOS 或非门电路或非门电路13.4 13.4 组
22、合逻辑电路的分析组合逻辑电路的分析13.4.1 逻辑代数逻辑代数逻辑代数:按一定逻辑规律进行运算的代数。逻辑代数:按一定逻辑规律进行运算的代数。逻辑代数不代表数,而是代表两种相互对立的状态。逻辑代数不代表数,而是代表两种相互对立的状态。逻辑代数中的变量称为逻辑变量。它只能取逻辑代数中的变量称为逻辑变量。它只能取“0”或或“1”。1.1.逻辑代数运算法则逻辑代数运算法则基本运算法则:基本运算法则:交换率:交换率:结合率:结合率:分配率:分配率:证明:证明:吸收率:吸收率:证:证:证:证:反演率:反演率:2.2.逻辑函数的表示方法逻辑函数的表示方法(1)逻辑状态表逻辑状态表ABCY00000100
23、000111100001111010101011(2)逻辑式逻辑式(1)常采用与常采用与或表达式的形式;或表达式的形式;(2)在状态表中选出使函数值为在状态表中选出使函数值为 1的变量组合;的变量组合;(3)变量变量值为值为 1 的写成原变量,为的写成原变量,为 0 的写成反变量,得到其值的写成反变量,得到其值 为为 1 的乘积项组合。的乘积项组合。(4)将这些乘积项加起来将这些乘积项加起来(逻辑或逻辑或)得到得到“与与或或”逻辑函数式。逻辑函数式。(3)逻辑图逻辑图由由逻辑式得到逻辑图逻辑式得到逻辑图ABC&111Y&例例1:化简化简(1 1)并项法)并项法)并项法)并项法例例2:化简化简(
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- 13 门电路 组合 逻辑电路
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