光电检测3-1 (2011)(探测器的性能参数.光电子器件)ppt.ppt
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1、第二章 光辐射探测器光电探测器的分类光电探测器的分类:基于光电效应原理的光子探测器基于光电效应原理的光子探测器光电子发射探测器光电子发射探测器光伏探测器、光伏探测器、光电导探测器光电导探测器特点:特点:探测灵敏度高(探测能力,响应波长探测灵敏度高(探测能力,响应波长范围,响应速度)范围,响应速度)对波长探测选择敏感;对波长探测选择敏感;多数工作在低温环境下多数工作在低温环境下光电探测器的分类光电探测器的分类基于光热热电效应原理的探测器基于光热热电效应原理的探测器热电偶探测器热电偶探测器热敏电阻探测器热敏电阻探测器热释电探测器热释电探测器特点:特点:探测灵敏度较低探测灵敏度较低(探测能力,响应波
2、长范围,响应速度)(探测能力,响应波长范围,响应速度)对波长探测选择不敏感;对波长探测选择不敏感;多数工作在室温环境下多数工作在室温环境下一一)探测器的灵敏度特性探测器的灵敏度特性 探测器的量子效率探测器的量子效率2.1 2.1 探测器的性能参数探测器的性能参数响应度响应度在入射辐射在入射辐射垂直投射垂直投射到探测器响应平面时到探测器响应平面时Rbb(Tb,f,f)黑体辐射黑体辐射R(,f,f)单色光辐射单色光辐射3)噪声等效功率)噪声等效功率4)探测度探测度D和归一化探测度和归一化探测度D*A:探测器面积,:探测器面积,f:放大器带宽放大器带宽5)探测器的光谱响应探测器的光谱响应探测器的光谱
3、响应是指探测器灵敏度探测器的光谱响应是指探测器灵敏度与波长间的关系,与波长间的关系,如:如:R(f,);D*(;D*(,f)等等6)探测器的频率响应)探测器的频率响应fcfR(f)0.707R(0)RV()/mR(0):无调制时的直流相应:无调制时的直流相应7)探测器的响应时间探测器的响应时间当t=当t=二)二)噪声的统计描述和探测器噪声噪声的统计描述和探测器噪声 1)噪声的概念和分类)噪声的概念和分类 噪声是有用信号以外的噪声是有用信号以外的无用信号无用信号,噪声是一种,噪声是一种随机信号随机信号,不可预知它的精确大小,但有其统计规,不可预知它的精确大小,但有其统计规律,只能用律,只能用统计
4、的理论和方法统计的理论和方法处理。处理。系统外部噪声系统外部噪声 由系统外部产生由系统外部产生系统内部噪声系统内部噪声 由系统内部元件、电路产生由系统内部元件、电路产生 按噪声的波形特征及变化规律分按噪声的波形特征及变化规律分脉冲噪声和连续性脉冲噪声和连续性噪声,周期性噪声噪声,周期性噪声和和非周期性噪声,平稳性噪声非周期性噪声,平稳性噪声和和非非平稳性噪声;平稳性噪声;按噪声的幅度和频谱分布状况分有按噪声的幅度和频谱分布状况分有高斯噪声和白噪高斯噪声和白噪声。声。二)探测器的噪声二)探测器的噪声(1)散粒噪声(散弹噪声)散粒噪声(散弹噪声)半导体中的产生复合噪声半导体中的产生复合噪声噪声带宽
5、:噪声带宽:fR(f)R(0)f f0.707R(0)探测器或电路的电流的微粒流随机起伏引起的噪声(2)热噪声(过剩噪声)热噪声(过剩噪声)(3)温度噪声(热探测器)温度噪声(热探测器)(4)闪烁噪声(电流噪声、低频噪声)闪烁噪声(电流噪声、低频噪声,1/f噪声)噪声)2,0.81.5由于导体中电子的无规则热运动,产生的电流随机起伏引起的噪声由于环境或器件温度的随机起伏引起的噪声与光辐射的调制频率有关,与f成反比热导热导3 3)高斯噪声和白噪声)高斯噪声和白噪声高斯噪声高斯噪声 噪声强度具有高斯分布的噪声强度具有高斯分布的噪声噪声白噪声白噪声P(x)x m噪声功率谱按频率均匀噪声功率谱按频率均
6、匀分布在整个频率区间的分布在整个频率区间的噪声,其功率谱记为:噪声,其功率谱记为:1 1)几何参数)几何参数视场角和立体角视场角和立体角(致冷探测器和具有浸没透镜探测器)致冷探测器和具有浸没透镜探测器)定义权重立体角(定义权重立体角(是入射角):响应元的中心对光阑的是入射角):响应元的中心对光阑的张角的余弦张角的余弦标称面积标称面积AnAn:厂商提供面积厂商提供面积选用面积选用面积AsAs:转换能量的实际面积转换能量的实际面积有效面积有效面积AeAe:整体响应灵敏度与其最大值之比整体响应灵敏度与其最大值之比三)探测器的几何参数和使用参数三)探测器的几何参数和使用参数2 2)探测器的电参数)探测
7、器的电参数阻抗阻抗 偏置工作电压:必须加偏压;无偏压(按偏置工作电压:必须加偏压;无偏压(按工作原理不同)工作原理不同)3)使用条件使用条件工作温度:为提高灵敏度,减低噪声,工作温度:为提高灵敏度,减低噪声,室温;低温室温;低温不同的探测器阻抗不同,要和放大器匹配不同的探测器阻抗不同,要和放大器匹配 光电子发射探测器光电子发射探测器真空光电二极管真空光电二极管光电倍增管光电倍增管电子倍增器和微通道板电子倍增器和微通道板2.2 2.2 光电子发射探测器光电子发射探测器1)金属光电子发射)金属光电子发射在某热平衡温度下,金属中在某热平衡温度下,金属中处在费米能级处在费米能级E=EE=EF F上的电
8、子,上的电子,吸收光子能量吸收光子能量h h后,后,除去散射能量损失除去散射能量损失E E,还克服表面还克服表面势垒势垒E EA A 的能量,逸出金属表面的现象的能量,逸出金属表面的现象光电子所具有的最大动能光电子所具有的最大动能 ,光电子发射的辐射极限频率光电子发射的辐射极限频率如果如果 EF=0,2 2)半导体的光电子发射)半导体的光电子发射本征半导体的能带结构本征半导体的能带结构W W0 0=h=h0 0=E Eg g+E+EA AE0Eg-EF价带价带导带导带W0EAE0EVEC禁带禁带杂质半导体的能带结构杂质半导体的能带结构N半导体半导体Wn0=EA+EnEnP半导体半导体Wp0=E
9、A+Eg-EpEp-EFpWn0EgE0价带价带导带导带Wp0EAE0EVEC禁带禁带-EFnEpEnEn受主能级施主能级杂质半导体的能带结构杂质半导体的能带结构-EFpWn0EgE0价带价带导带导带Wp0EAE0EVEC禁带禁带-EFnEpEnEnEA 材料的亲和势材料的亲和势负亲合势复合半导体负亲合势复合半导体CsGaAsEvEcEFE0Cs2OEcEfEvEFEvEcE0EcEvGaAsCsCs2O体内导带底体内导带底-EA两种材料未接触前的能带结构两种材料未接触前的能带结构两种材料接触后的能带结构两种材料接触后的能带结构形成了负电子亲合势形成了负电子亲合势(-EA)价带价带光电阴极的性
10、能参数光电阴极的性能参数(1)光照灵敏度)光照灵敏度阴极输出光电流与输阴极输出光电流与输入光通量之比入光通量之比光谱灵敏度光谱灵敏度(2 2)量子效率量子效率常用光电发射材料光谱响应编号光电发射阴极材料光电管窗口材料工作方式半透式T反射式R峰值响应波长(nm)光电积分灵敏度(A/Lm)峰值波长光谱灵敏度mA/W峰值波长量子效率%25时暗电流A/cm2S-1S-3S-4S-5S-8S-9S-10S-11S-13S-14S-16S-20S-25Ag-O-CsAg-O-RbCs-SbCs-SbCs-BiCs-SbAg-BiO-CsCs-SbCs-SbGeCdSeSb-K-Na-CsSb-Na-K-C
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