传感器原理 第四章 磁传感器.ppt
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1、传感器技术传感器技术主讲:吴秋宁主讲:吴秋宁第四章第四章 磁传感器磁传感器 根据电磁感应定律,在切割磁通的电路里,产根据电磁感应定律,在切割磁通的电路里,产生与磁通和变化速率成正比的感应电动势。因此最生与磁通和变化速率成正比的感应电动势。因此最简单的把磁转换成电的磁传感器就是线圈,随着科简单的把磁转换成电的磁传感器就是线圈,随着科学技术的发展,现代的磁传感器已向固体化发展,学技术的发展,现代的磁传感器已向固体化发展,它是利用磁场作用使物质的电性能发生变化的各种它是利用磁场作用使物质的电性能发生变化的各种物理效应制成的,从而使磁场强度转换为电信号。物理效应制成的,从而使磁场强度转换为电信号。磁传
2、感器的种类较多,制作的传感器的材料有半导磁传感器的种类较多,制作的传感器的材料有半导体、磁性体、超导体等不同材料制作的磁传感器其体、磁性体、超导体等不同材料制作的磁传感器其工作原理和特性也不相同。工作原理和特性也不相同。本章根据最近磁传感器的发展,重点介绍基于本章根据最近磁传感器的发展,重点介绍基于霍尔效应的霍尔磁敏传感器。霍尔效应的霍尔磁敏传感器。一、霍耳磁敏传感器一、霍耳磁敏传感器 (一)霍耳效应(一)霍耳效应 通电的导体或半导体,在垂直于电流和磁通电的导体或半导体,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势的现象。场的方向上将产生电动势的现象。+I+lwd霍耳效应原理图霍耳效应原理图UH-w
3、-fL-+-+fEBIUHdL(二)霍耳磁敏传感器工作原理(二)霍耳磁敏传感器工作原理 设霍耳片的长度为设霍耳片的长度为l,宽,宽度为度为w,厚度为,厚度为d。又设电子。又设电子以均匀的速度以均匀的速度v运动,则在垂运动,则在垂直方向施加的磁感应强度直方向施加的磁感应强度B的的作用下,它受到作用下,它受到洛仑兹力洛仑兹力洛仑兹力洛仑兹力q电子电量电子电量(1.6210-19C)v电于运动速度电于运动速度同时,作用于电子的同时,作用于电子的电场力电场力电场力电场力 当达到动态平衡时当达到动态平衡时霍霍耳耳电电势势UH与与 I、B的的乘乘积积成成正正比比,而而与与d成成反反比比。于于是可改写成:是
4、可改写成:电流密度电流密度j=nqvnN型半导体型半导体中的电子浓度中的电子浓度N型半导体型半导体P型半导体型半导体 霍耳系数霍耳系数,由载流材料物理性质决定。,由载流材料物理性质决定。材料电阻率材料电阻率pP型半导体型半导体中的空穴浓度中的空穴浓度 载流子迁移率载流子迁移率,=v/E,即单位电场强度作用下载流子的即单位电场强度作用下载流子的平均速度。平均速度。金属材料,电子金属材料,电子很高但很高但很小,绝缘材料,很小,绝缘材料,很高很高但但很小。因此霍尔系数很小,使输出霍尔电势很小,很小。因此霍尔系数很小,使输出霍尔电势很小,不宜做霍尔元件不宜做霍尔元件 故为获得较强霍耳效应,霍耳片全部采
5、用半导体材故为获得较强霍耳效应,霍耳片全部采用半导体材料制成。且多用型半导体材料霍尔元件越薄,灵敏料制成。且多用型半导体材料霍尔元件越薄,灵敏度系数越大度系数越大 当载流材料和几何尺寸确定后,霍尔电势的大小正当载流材料和几何尺寸确定后,霍尔电势的大小正比于控制电流和磁感应强度,因此霍尔元件可用于测量比于控制电流和磁感应强度,因此霍尔元件可用于测量磁场(电流恒定)和检测电流(磁场恒定)。磁场(电流恒定)和检测电流(磁场恒定)。设设 KH=RH /d KH霍耳器件的乘积灵敏度霍耳器件的乘积灵敏度。它与载流材料的物理它与载流材料的物理性质和几何尺寸有关性质和几何尺寸有关,表示在单位磁感应强度和单,表
6、示在单位磁感应强度和单位控制电流时霍耳电势的大小。位控制电流时霍耳电势的大小。若磁感应强度若磁感应强度B的方向与霍耳器件的平面法线的方向与霍耳器件的平面法线夹角为夹角为时,霍耳电势应为:时,霍耳电势应为:UH KH I B UH KH I B cos 注意:当控制电流的方向或磁场方向改变时,输出霍注意:当控制电流的方向或磁场方向改变时,输出霍耳电势的方向也改变。但当磁场与电流同时改变方向耳电势的方向也改变。但当磁场与电流同时改变方向时,霍耳电势并不改变方向。时,霍耳电势并不改变方向。霍耳器件片霍耳器件片(a)实际结构实际结构(mm);(b)简化结构;简化结构;(c)等效电路等效电路外形尺寸外形
7、尺寸:6.43.10.2;有效尺寸:有效尺寸:5.42.70.2(三)霍耳磁敏传感器(霍耳器件)(三)霍耳磁敏传感器(霍耳器件)dsl(b)2.15.42.7AB0.20.50.3CD(a)w电流极电流极霍耳电极霍耳电极R4ABCDR1R2R3R4(c)霍耳输出端的端子霍耳输出端的端子C、D相应相应地称为地称为霍耳端霍耳端或输出端。或输出端。若霍耳端子间连接负载若霍耳端子间连接负载,称为称为霍耳霍耳负载电阻负载电阻或霍耳负载。或霍耳负载。电流电极间的电阻,称为电流电极间的电阻,称为输输入电阻入电阻,或者控制内阻。,或者控制内阻。霍耳端子间的电阻,称为霍耳端子间的电阻,称为输输出电阻出电阻或霍耳
8、侧内部电阻。或霍耳侧内部电阻。器件电流器件电流(控制电流控制电流或输入电流或输入电流):流入到器件内的电流。流入到器件内的电流。电流端子电流端子A、B相应地称为器件相应地称为器件电流端电流端、控制电流端或输、控制电流端或输入电流端。入电流端。H 霍耳器件符号霍耳器件符号AAABBBCCCDDD关于霍耳器件符号,关于霍耳器件符号,名称及型号,国内外名称及型号,国内外尚无统一规定,为叙尚无统一规定,为叙述方便起见,暂规定述方便起见,暂规定下列名称的符号。下列名称的符号。控制电流控制电流I;霍耳电势霍耳电势UH;控制电压控制电压U;输出电阻输出电阻R2;输入电阻输入电阻R1;霍耳负载电阻霍耳负载电阻
9、R3;霍耳电流霍耳电流IH。图中控制电流图中控制电流I由电源由电源E供给供给,R为调节电阻为调节电阻,保证器件内所保证器件内所需控制电流需控制电流I。霍耳输出端接负载。霍耳输出端接负载R3,R3可是一般电阻或放可是一般电阻或放大器的输入电阻、或表头内阻等。磁场大器的输入电阻、或表头内阻等。磁场B垂直通过霍耳器垂直通过霍耳器件件,在磁场与控制电流作用下,由负载上获得电压。在磁场与控制电流作用下,由负载上获得电压。UHR3UBIEIH霍耳器件的基本电路霍耳器件的基本电路R实际使用时实际使用时,器件输入信号可以是器件输入信号可以是I或或B,或者,或者IB,而输出可而输出可以正比于以正比于I或或B,或
10、者正比于其乘积或者正比于其乘积IB。上两式是霍耳器件中的基本公式。即:输入电流或输上两式是霍耳器件中的基本公式。即:输入电流或输入电压和霍耳输出电势完全呈线性关系。如果输入电入电压和霍耳输出电势完全呈线性关系。如果输入电流或电压中任一项固定时,磁感应强度和输出电势之流或电压中任一项固定时,磁感应强度和输出电势之间也完全呈线性关系。间也完全呈线性关系。同样,若给出控制电压同样,若给出控制电压U,由于,由于U=R1I,可得控制电,可得控制电压和霍耳电势的关系式压和霍耳电势的关系式设霍耳片厚度设霍耳片厚度d均匀,电流均匀,电流I和霍耳电场的方向分别平和霍耳电场的方向分别平行于长、短边界,则控制电流行
11、于长、短边界,则控制电流I和霍耳电势和霍耳电势UH的关系式的关系式(四)基本特性(四)基本特性 1、直线性、直线性:指霍耳器件的输出电势:指霍耳器件的输出电势UH分别和基本参分别和基本参数数I、V、B之间呈线性关系。之间呈线性关系。UH=KHBI 2、灵敏度、灵敏度:可以用乘积灵敏度或磁场灵敏度以及电流:可以用乘积灵敏度或磁场灵敏度以及电流灵敏度、电势灵敏度表示:灵敏度、电势灵敏度表示:KH乘积灵敏度,表示霍耳电势乘积灵敏度,表示霍耳电势VH与磁感应强度与磁感应强度B和控制电流和控制电流I乘积之间的比值,通常以乘积之间的比值,通常以mV/(mA0.1T)。因为霍耳元件的输出电压要由两个输入量的
12、乘积来确因为霍耳元件的输出电压要由两个输入量的乘积来确定定,故称为故称为乘积灵敏度乘积灵敏度。KB磁场灵敏度,通常以额定电流为标准。磁场灵敏磁场灵敏度,通常以额定电流为标准。磁场灵敏度等于霍耳元件通以额定电流时每单位磁感应强度对应度等于霍耳元件通以额定电流时每单位磁感应强度对应的霍耳电势值。常用于磁场测量等情况。的霍耳电势值。常用于磁场测量等情况。KI电流灵敏度,电流灵敏度等于霍耳元件在单位磁电流灵敏度,电流灵敏度等于霍耳元件在单位磁感应强度下电流对应的霍耳电势值。感应强度下电流对应的霍耳电势值。若若控制电流值固定控制电流值固定,则:,则:UHKBB若若磁场值固定磁场值固定,则:,则:UHKI
13、 I3、额定电流、额定电流:霍耳元件的允许温升规定着一个最大控制电流。霍耳元件的允许温升规定着一个最大控制电流。4、最最大大输输出出功功率率 在在霍霍耳耳电电极极间间接接入入负负载载后后,元元件件的的功功率率输输出出与与负负载载的的大大小小有有关关,当当霍霍耳耳电电极极间间的的内内阻阻R2等于霍耳负载电阻等于霍耳负载电阻R3时,霍耳输出功率为最大。时,霍耳输出功率为最大。5、最大效率、最大效率 霍耳器件的输出与输入功率之比,称为效霍耳器件的输出与输入功率之比,称为效率,和最大输出对应的效率,称为最大效率,即:率,和最大输出对应的效率,称为最大效率,即:6、负载特性、负载特性 当霍耳电极间串接有
14、负载时,因为流过霍当霍耳电极间串接有负载时,因为流过霍耳电流,在其内阻上将产生压降,故实际霍耳电势比理耳电流,在其内阻上将产生压降,故实际霍耳电势比理论值小。由于霍耳电极间内阻和磁阻效应的影响,霍耳论值小。由于霍耳电极间内阻和磁阻效应的影响,霍耳电势和磁感应强度之间便失去了线性关系。如图所示。电势和磁感应强度之间便失去了线性关系。如图所示。8060402000.20.40.60.81.0UH/mV=7.0=1.5=3.0B/T理论值理论值实际值实际值UHR3I霍耳电势的负载特性霍耳电势的负载特性=R3/R2 霍耳电势随负载电阻值而改变的情况霍耳电势随负载电阻值而改变的情况7、温温度度特特性性:
15、指指霍霍耳耳电电势势或或灵灵敏敏度度的的温温度度特特性性,以以及及输输入入阻阻抗抗和和输输出出阻阻抗抗的的温温度度特特性性。它它们们可可归归结结为为霍霍耳耳系数和电阻率(或电导率)与温度的关系。系数和电阻率(或电导率)与温度的关系。霍耳材料的温度特征霍耳材料的温度特征(a)RH与温度的关系;(与温度的关系;(b)与温度的关系与温度的关系RH/cm2/A-1250200150100504080120160200LnSbLnAsT/0246/710-3cmLnAs20015010050LnSbT/0双重影响双重影响:元件电阻,采用恒流供电;载流子迁移率,:元件电阻,采用恒流供电;载流子迁移率,影响
16、灵敏度。二者相反。影响灵敏度。二者相反。8、频率特性、频率特性u磁磁场场恒恒定定,而而通通过过传传感感器器的的电电流流是是交交变变的的。器器件件的的频频率率特特性性很很好好,到到10kHz时时交交流流输输出出还还与与直直流流情情况况相相同同。因此因此,霍耳器件可用于微波范围霍耳器件可用于微波范围,其输出不受频率影响。其输出不受频率影响。u磁磁场场交交变变。霍霍耳耳输输出出不不仅仅与与频频率率有有关关,而而且且还还与与器器件件的的电电导导率率、周周围围介介质质的的磁磁导导率率及及磁磁路路参参数数(特特别别是是气气隙隙宽宽度度)等等有有关关。这这是是由由于于在在交交变变磁磁场场作作用用下下,元元件
17、件与与导导体体一一样会在其内部产生涡流的缘故。样会在其内部产生涡流的缘故。总之,在交变磁场下,当频率为数十总之,在交变磁场下,当频率为数十kHz时,可以时,可以不考虑频率对器件输出的影响,即使在数不考虑频率对器件输出的影响,即使在数MHz时,如时,如果能仔细设计气隙宽度,选用合适的元件和导磁材料,果能仔细设计气隙宽度,选用合适的元件和导磁材料,仍然可以保证器件有良好的频率特性的。仍然可以保证器件有良好的频率特性的。9、不等位电势、不等位电势 定义定义:当霍尔元件通以控制电流而不加外磁场时当霍尔元件通以控制电流而不加外磁场时,它的霍尔输出端之间仍有空载电势存在它的霍尔输出端之间仍有空载电势存在,
18、该电势就称该电势就称为不等电势为不等电势.产生原因:产生原因:霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上;半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀尺寸不均匀;激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。两电极不在两电极不在同一等电位面上同一等电位面上等电位面歪斜等电位面歪斜 霍霍耳耳开开关关集集成成传传感感器器是是利利用用霍霍耳耳效效应应与与集集成成电电路路技技术术结结合合而而制制成成的的一一种种磁磁敏敏传传感感器器,它它能能感感知知一一切切与与磁信息有关的物
19、理量,并以磁信息有关的物理量,并以开关信号形式输出开关信号形式输出。霍霍耳耳开开关关集集成成传传感感器器具具有有使使用用寿寿命命长长、无无触触点点磨磨损损、无无火火花花干干扰扰、无无转转换换抖抖动动、工工作作频频率率高高、温温度度特特性好、能适应恶劣环境等优点。性好、能适应恶劣环境等优点。霍霍尔尔开开关关集集成成传传感感器器是是以以硅硅为为材材料料,利利用用硅硅平平面面工工艺艺制制造造的的。硅硅材材料料制制作作霍霍尔尔元元件件是是不不够够理理想想的的,但但在在霍霍尔尔开开关关集集成成传传感感器器上上,由由于于N型型硅硅的的外外延延层层材材料料很很薄薄,可可以以提提高高霍霍尔尔电电压压。如如果果
20、应应用用硅硅平平面面工工艺艺技技术术将将差差分分放放大大器器、施施密密特特触触发发器器及及霍霍尔尔元元件件集集成成在在一一起起,可以大大提高传感器的灵敏度。可以大大提高传感器的灵敏度。(五)霍耳开关集成传感器(五)霍耳开关集成传感器由稳压电路、霍耳元件、放大器、整形电路、开路由稳压电路、霍耳元件、放大器、整形电路、开路输出五部分组成。输出五部分组成。稳压电路稳压电路可使传感器在较宽的电可使传感器在较宽的电源电压范围内工作;源电压范围内工作;开路输出开路输出可使传感器方便地与可使传感器方便地与各种逻辑电路接口。各种逻辑电路接口。1 1霍耳开关集成传感器的结构及工作原理霍耳开关集成传感器的结构及工
21、作原理霍耳开关集成传感器内部结构框图霍耳开关集成传感器内部结构框图23输出输出+稳压稳压VCC1霍耳元件霍耳元件放大放大BT整形整形地地H 3020T输出输出VoutR=2k+12V123(b)应用电路)应用电路 (a)外型)外型 霍耳开关集成传感器的外型及应用电路霍耳开关集成传感器的外型及应用电路1232 2霍耳开关集成传感器的工作特性曲线霍耳开关集成传感器的工作特性曲线 从从工工作作特特性性曲曲线线上上可可以以看看出出,工工作作特特性性有有一一定定的的磁磁滞滞BH,这这对对开开关关动动作作的的可可靠靠性性非非常常有有利利。图图中中的的BOP为为工工作作点点“开开”的的磁磁感感应应强强度度,
22、BRP为为释释放放点点“关关”的的磁磁感应强度。感应强度。霍耳开关集成传感器的工作特性曲线霍耳开关集成传感器的工作特性曲线VOUT/V12ONOFFBRPBOPBHB霍耳开关集成传感器的技术参数:工作电压霍耳开关集成传感器的技术参数:工作电压、磁感应强度、输出、磁感应强度、输出截止电压、输出导通电流、工作温度、工作点。截止电压、输出导通电流、工作温度、工作点。0 该曲线反映了外加磁场与该曲线反映了外加磁场与传感器输出电平的关系。当传感器输出电平的关系。当外加磁感强度高于外加磁感强度高于BOP时,时,输出电平由高变低,传感器输出电平由高变低,传感器处于开状态。当外加磁感强处于开状态。当外加磁感强
23、度低于度低于BRP时,输出电平由时,输出电平由低变高,传感器处于关状态。低变高,传感器处于关状态。表表 霍尔开关集成传感器的技术参数霍尔开关集成传感器的技术参数双稳态霍尔开关集成传感器工作特性曲线双稳态霍尔开关集成传感器工作特性曲线3 3霍耳开关集成传感器的应用霍耳开关集成传感器的应用(1 1)霍耳开关集成传感器的接口)霍耳开关集成传感器的接口电路电路 传传感感器器输输出出半半导导体体管管V是是发发射射极极接接地地而而集集电电极极开开路路的的电电路路结结构构。这这样样的的电电路路结结构构可可以以很很容容易易地地与与半半导体管、晶闸管、一般的逻辑电路相耦合。导体管、晶闸管、一般的逻辑电路相耦合。
24、RLVACVccVccVACVccVACKVccKVccVACVccMOSVOUTVAC霍耳开关集成传感器的一般接口电路霍耳开关集成传感器的一般接口电路VACRL磁铁轴心接近式磁铁轴心接近式 在磁铁的轴心方向垂直于传感器并同传感器轴心重合的在磁铁的轴心方向垂直于传感器并同传感器轴心重合的条件下,条件下,霍耳开关集成传感器的霍耳开关集成传感器的L1-B关系曲线关系曲线NSAlNiCo 磁铁磁铁6.4320.100.080.060.040.0202.557.51012.51517.520距离距离L1/mmB/TL1随磁铁与传感器的间随磁铁与传感器的间隔距离的增加隔距离的增加,作用在作用在传感器表面
25、的磁感强传感器表面的磁感强度衰减很快。当磁铁度衰减很快。当磁铁向传感器接近到一定向传感器接近到一定位置时位置时,传感器开关接传感器开关接通通,而磁铁移开到一定而磁铁移开到一定距离时开关关断。应距离时开关关断。应用时用时,如果磁铁已选定如果磁铁已选定,则应按具体的应用场则应按具体的应用场合合,对作用距离作合适对作用距离作合适的选择。的选择。(2 2)给传感器施加磁场的方式)给传感器施加磁场的方式 磁铁侧向滑近式磁铁侧向滑近式 要要求求磁磁铁铁平平面面与与传传感感器器平平面面的的距距离离不不变变,而而磁磁铁铁的的轴轴线线与与传传感感器器的的平平面面垂垂直直。磁磁铁铁以以滑滑近近移移动动的的方方式式
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