半导体物理第2章课件.ppt

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1、第一章第一章 半导体中的电子状态半导体中的电子状态思考题与练习题思考题与练习题1、实际半导体与理想半导体的区别是什么？2、以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。3、以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。4、以Si在GaAs中的行为为例，说明族元素在族化合物中可能出现的双性行为。1第三章第三章 半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布思考题思考题5、举例说明杂质补偿的作用。6、说明类氢模型的优点和不足7、InSb的Eg0.18eV，r=17，电子有效质量0.015m0，求（1）施主杂质电离能；（2）施主的弱束缚电子基态轨

2、道半径；（3）施主杂质相互作用时的浓度。2第三章第三章 半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布思考题思考题8.GaP的Eg2.26eV，r=11.1，空穴有效质量0.86m0，求（1）受主杂质电离能；（2）受主的弱束缚电子基态轨道半径；（3）受主杂质相互作用时的浓度。9.说明类氢杂质能级以及电离能的物理意义为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下，而且电离能的数值较小？10.分析化合物半导休PbS中S的问隙原子和缺陷在理论上各形成施主还是受主？根据你的回咎，说明半导体材料自补偿效应的物理意义？11.纯Ge、Si中挂入3族或5族元素后，为什么使半导体导电性能有很大的改变？杂质半导

3、体p型或n型应用很广，但为什么我们很强调对半导体材料的提纯？3第三章第三章 半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布思考题思考题12.现有两块外观完全相同的硅单晶其中一块是高纯度的本征硅，另一块是含有深、浅施主和受主能级完全补偿的半导体举出两种能识别它们的实验方法，并说明实验原理13.说明掺杂对半导体导电性能的影响。14.说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？15.什么叫杂质补偿？什么叫高度补偿的半导体？杂质补偿有何实际应用？4第三章第三章 半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布思考题思考题16.杂质能级为什么位于禁带之中？能带图上如何表示中性和电离杂质？杂质电离后在半导体中产生些什么？17.把不同种类的施主杂质掺入同一种半导体材料中，杂质的电离能和轨道半径是否不同？把同一种杂质掺入到不同的半导体材料中（例如Ge或Si）杂质的电离能和轨道半径又是否都相同？5第三章第三章 半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布思考题思考题18.何谓深能级杂质？它们电离以后有什么特点？19.为什么金元素在Ge或Si中电离后可以引入多个施主或受主能级？20.现有两块外观完全相同的硅单晶其中一块是高纯度的本征硅，另一块是含有深、浅施主和受主能级完全补偿的半导体举出两种能识别它们的实验方法，井说明实验原理6