实验一 存储器读写实验.ppt
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1、实验一实验一 存储器读写实验存储器读写实验 一、实验目的一、实验目的1、复习相关汇编程序及其调试2、熟悉掌握对RAM的操作二、预备知识二、预备知识1、SRAM6116引脚读写操作引脚读写操作2、SRAM 3、常用调试命令、常用调试命令1.HM6116 它是2K*8位的高速静态CMOS随机存取存储器,其基本特征是:(1)高速度-存取时间为100ns/120ns/150ns/200ns(分别以6116-10、6116-12、6116-15、6116-20为标志)。(2)低功耗运行时间为150mW,空载时为mW。(3)与TTL兼容。1.HM6116(4)管脚收出与标准的2K*8b的芯片(例如,271
2、6芯片兼容)。(5)完全静态无须时钟脉冲与定时选通脉冲。(6)HM6116有11条地址线、8条数据线、1条电源线、1条接地线GND和3条控制线片选信号/CE、写允许信号/WE和输出允许信号/OE。nA10A0(address inputs):地址线,可寻址2KB的存储空间。nD7D0(data bus):数据线,双向,三态。n/OE(output enable):读出允许信号,输入,低电平有效。n/WE(write enable):写允许信号,输入,低电平有效。n/CE(chip enable):片选信号,输入,低电平有效。nVCC:5V工作电压。nGND:信号地。6116的操作方式 6116
3、的操作方式由/WE、/OE、/CE 的共同作用决定 写入:当/WE和/CE 为低电平时,数据输入缓冲器打开,数据由数据线D7D0写入被选中的存储单元。读出:/OE当 和/CE 为低电平,且/WE为高电平时,数据输出缓冲器选通,被选中单元的数据送到数据线D7D0上。保持:当/CE为高电平、/OE 和/WE为任意时,芯片未被选中,处于保持状态,数据线呈现高阻状态。动态调试工具动态调试工具DEBUG 的常用命令的常用命令 1.U命令(反汇编)2.G命令(执行)3.T命令(跟踪执行)4.D命令(显示内存)5.R命令(修改寄存器)三、实验内容三、实验内容1、将字符A-Z逐个存入RAM中,然后再将这些内容
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