可编程逻辑器件简介.ppt


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1、第1章 可编程逻辑器件简介1.1可编程逻辑器件(PLD)的分类可编程逻辑器件PROMPLAPALGALEPLDCPLD FPGA低密度1000门逻辑符号说明(a)(b)FAB1FAB或门与门非门异或门;同或门 基本门电路的基本门电路的PLD表示法表示法 图 PLD输入缓冲器 图 与门表示法 图 PLD连接法 可编程连线可编程连线1.2可编程逻辑器件发展1.2.1可编程只读存储器PROMn n掩模ROM字线字线位线位线ROM的数据表的数据表0011W0W1W2W3D3D2D1D0VDD基于三级管的一次性可编程PROM单元字线WiUCC熔丝位线Di字线Wi熔丝位线DiEPROM用编程器烧录可擦除的
2、PROMn n可擦除的可编程只读只读存储器可擦除的可编程只读只读存储器(EPROM)EPROM)高电压编程,紫外线擦除高电压编程,紫外线擦除n n电可擦除的可编程只读只读存储器器(E2PROM)高电压编程,擦除高电压编程,擦除n n快闪存储器FLASHMEMORY高密度、大容量、低成本、使用方便(10年、100000次)EPROM的存储单元采用浮栅雪崩注入MOS管(FAMOS管)或叠栅注入MOS管(SIMOS)。图 是SIMOS管的结构示意图和符号,它是一个N沟道增强型的MOS管,有Gf和Gc两个栅极。Gf栅没有引出线,而是被包围在二氧化硅(SiO2)中,称之为浮栅,Gc为控制栅,它有引出线。
3、若在漏极D端加上约几十伏的脉冲电压,使得沟道中的电场足够强,则会造成雪崩,产生很多高能量的电子。此时若在Gc上加高压正脉冲,形成方向与沟道垂直的电场,便可以使沟道中的电子穿过氧化层面注入到Gf,于是Gf栅上积累了负电荷。由于Gf栅周围都是绝缘的二氧化硅,泄漏电流很小,所以一旦电子注入到浮栅之后,就能保存相当长时间(通常浮栅上的电荷10年才损失30%)。图 SIMOS管的结构和符号 浮栅浮栅控制栅控制栅几十伏高压脉冲几十伏高压脉冲 E2PROM的存储单元如图 所示,图中称为浮栅隧道氧化层MOS管(Flotox),其结构如图 9-10 所示。Flotox管的浮栅与漏极区(N+)之间有一小块面积极薄
4、的二氧化硅绝缘层(厚度在210-8m以下)的区域,称为隧道区。当隧道区的电场强度大到一定程度(107V/cm)时,漏区和浮栅之间出现导电隧道,电子可以双向通过,形成电流。这种现象称为隧道效应。图 Flotox管的结构和符号 图 E2PROM的存储单元 快闪存储器快闪存储器(Flash Memory)是新一代电信号擦除的可编程ROM。它既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点,又保留了E2PROM用隧道效应擦除快捷的特性,而且集成度可以做得很高。图是快闪存储器采用的叠栅MOS管示意图。其结构与EPROM中的SIMOS管相似,两者区别在于浮栅与衬底间氧化层的厚度不同。在EPROM中氧化层的厚度一
5、般为3040 nm,在快闪存储器中仅为 1015 nm,而且浮栅和源区重叠的部分是源区的横向扩散形成的,面积极小,因而浮栅-源区之间的电容很小,当Gc和S之间加电压时,大部分电压将降在浮栅-源区之间的电容上。快闪存储器的存储单元就是用这样一只单管组成的,如图 所示。图 快闪存储器(a)叠栅MOS管;(b)存储单元 PROM用于组合逻辑电路DAAA2A3PROM组合逻辑电路组合逻辑电路PROM电路电路10输入输入A3:0A3:0输出输出DD000000000 0000100010 0001000100 0001100110 0010001000 0010101010 0011001100 001
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- 可编程 逻辑 器件 简介
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