第7章_ARM7系列芯片的外围电路设计.ppt
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1、1.嵌入式硬件系统模块2.存储器电路与设计3.键盘输入模块4.显示输出模块5.串行通信模块 第第7章章 ARM7系列芯片的系列芯片的 外围电路设计外围电路设计2021/9/2117.1 嵌入式硬件系统模块l7.1.1最小系统结构l7.1.2电源电路l7.1.3时钟电路l7.1.4复位电路l7.1.5存储器系统2021/9/2127.1.1 最小系统结构 嵌入式微控制器是整个系统的核心,负嵌入式微控制器是整个系统的核心,负责整个系统的运作,但是它不能独立工责整个系统的运作,但是它不能独立工作,必须配置额外的外围电路为其提供作,必须配置额外的外围电路为其提供必要的基本条件。必要的基本条件。所谓最小
2、系统结构,是指在嵌入式微控所谓最小系统结构,是指在嵌入式微控制器外部增加尽可能少的电路模块,达制器外部增加尽可能少的电路模块,达到一个可以让嵌入式微控制器独立工作到一个可以让嵌入式微控制器独立工作的状态的状态。2021/9/2137.1.2 电源电路电源是电子设备不可缺少的重要组成部分,良好的电源设计是系统稳定运行的保障,在进行硬件系统设计之前要估算整个系统的整体功率,然后在进行电源芯片的选型,其性能的优劣直接关系到硬件系统的稳定性和可靠性,以及电磁兼容性。2021/9/214电源设计的思路使用变压器将220v交流市电降到7v20v的交流电,然后通过整流电路把交流电整流成直流电,通过滤波采用线
3、性稳压器件,实现电压调节和稳压的作用,将较高的直流电压转变为系统所需的系统工作电源。2021/9/2157.1.3 时钟电路 基于时序电路的微控制器依靠时钟才能正常工作。晶体振荡器也分为无源晶振(也可称为晶体,crystal)和有源晶振(也可称为振荡器,oscillator)2种类型。2021/9/2167.1.4 复位电路 复位电路是微控制器系统最基本的组成部分,可靠的复位设计是保证系统可靠运行的前提条件。因为数字系统一上电时,其内部状态是不可预知的,所以复位电路的功能就是负责将微控制器内部初始化为某个确定的状态。复位功能 上电复位 按键复位 2021/9/2177.1.5 存储器系统存储器
4、是计算机系统中用来存放程序和数据的记忆设备。在进行扩展嵌入式存储器时,一般采用存储密度较大的存储器芯片,使其存储容量与应用软件的大小相匹配。另外,对于没有总线接口的微处理器,需要通过I/O口模拟总线时序来访问片外存储器,或者使用I2C、SPI等串行接口连接片外存储器。2021/9/2187.2 存储器电路与设计l7.2.1嵌入式系统中存储器的分类l7.2.2SRAM接口l7.2.3SDRAM接口l7.2.4PSRAM接口l7.2.5NAND FLASH接口l7.2.6 NOR FALSH接口l7.2.7存储器与ARM的连接2021/9/2197.2.1 嵌入式系统中 存储器的分类 嵌入式领域中
5、存储器一般可分为两大类:随机访问存储器(Random Access Memory,RAM)和只读存储器(Read Only Memory,ROM)。2021/9/2110RAM(随机访问存储器)lRAM也可称为读写存储器,其存储单元中的内容在机器运行期间可按需随意读/写,且访问速度与存储单元的位置无关,无需经过中间电路的驱动。因为RAM在断电时将丢失其存储内容,所以主要用于存储短时间使用的程序。l根据存储信息原理的不同,RAM又可以分为SRAM(Static RAM,静态随机存储器)、SDRAM(Synchronous Dynamic RAM,同步的动态随机存储器)和PSRAM(Pseudo
6、Static RAM,假静态随机存储器)。2021/9/2111ROM(只读存储器)lROM是一种只能读出预先存储数据的固态半导体存储器,其特性是ROM所存的数据稳定,断电后数据不会改变;其结构较简单,读出较方便,因而常用于存储各种固定程序和数据。lROM可以分为掩膜式只读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程序只读存储器(EPROM)、电可擦可编程只读存储器(E2PROM)和闪速存储器(FLASH Memory)。2021/9/2112FLASH存储器 lFLASH是在EPROM和E2PROM 基础上发展起来的,兼有RAM和ROM两者的优点,是一种可在系统(In-Sys
7、tem)进行电擦写,掉电后信息不丢失的存储器。其具有高集成度、大容量、高速度、低成本的特点。l根据不同的应用场合,FLASH的实现技术分为 NOR型FLASH 和NAND型FLASH。2021/9/21137.2.2 SRAM接口1.SRAM特点l具有极高的读写速度lSRAM属于易失性存储器,电源掉电后SRAM中的数据将会丢失2.逻辑结构2021/9/2114静态RAM的逻辑结构1.存储矩阵2.存储器读/写控制逻辑3.双向数据缓冲器4.地址译码器l主要有两种实现方式:单译码方式,双译码方式。2021/9/2115举例:IS61LV25616AL芯片 美国ISSI公司的IS61LV25616AL
8、芯片是采用高性能CMOS技术、高速16位 512KB的SRAM。IS61LV25616AL芯片内部逻辑结构IS61LV25616AL芯片的引脚描述 IS61LV25616AL芯片与LPC2100/2200系列的连接示意图 2021/9/21167.2.3 SDRAM接口1.SDRAM特点l数据的读写需要时钟来同步,并且需要不断的刷新电路来保证数据的不丢失 l可以自由指定地址进行数据的读写2.逻辑结构2021/9/2117动态RAM的逻辑结构1.存储阵列BANK 2.BANK控制逻辑 2021/9/2118举例:HY57V561620芯片 韩国现代HY57V561620芯片是支持自动刷新(Aut
9、o-Refresh)和自刷新(Self-Refresh)功能 的 4M4bank16位(32M字节)的SDRAM。HY57V561620芯片引脚描述 HY57V561620芯片与LPC2100/2200系列的连接示意图 2021/9/21197.2.4 PSRAM接口1.PSRAM特点l内部结构跟SDRAM相似,外部接口却跟SRAM相似 lPSRAM容量没有SDRAM密度高,但是比SRAM高很多,支持突发模式;l价格上比相同容量的SDRAM稍贵,却比SRAM便宜很多;l比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多 2021/9/2120举例:MT45W4Mx16PFA芯片 MT45W4Mx16P
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- _ARM7 系列 芯片 外围 电路设计
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