第2章 PLD硬件特性与编程技术5687875177.ppt
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1、VHDLVHDL与与EDAEDA图图2-1 基本基本PLD器件的原理结构图器件的原理结构图 2.1 PLD 2.1 PLD 概述概述 第第2 2章章PLDPLD硬件特性与编程技术硬件特性与编程技术 VHDLVHDL与与EDAEDA2.1.1 PLD2.1.1 PLD的发展历程的发展历程 熔丝编程的熔丝编程的PROM和和PLA器件器件 20世纪世纪70年代年代 AMD公公司推出司推出PAL器件器件 20世纪世纪70年代末年代末 GAL器件器件 20世纪世纪80年代初年代初 FPGA器器件件 EPLD器器件件 20世纪世纪80年代中期年代中期 CPLD器器件件 20世纪世纪80年代末年代末 内嵌复
2、杂内嵌复杂功能模块功能模块的的SoPC 进入进入20世纪世纪90年代后年代后 2.1 PLD 2.1 PLD 概述概述 VHDLVHDL与与EDAEDA2.1.2 PLD2.1.2 PLD的分类的分类 图图2-2 按集成度按集成度(PLD)分类分类 2.1 PLD 2.1 PLD 概述概述 VHDLVHDL与与EDAEDA2.1.2 PLD2.1.2 PLD的分类的分类 1熔丝熔丝(Fuse)型器件。型器件。2反熔丝反熔丝(Anti-fuse)型器件型器件。3EPROM型。称为紫外线擦除电可编程逻辑器件型。称为紫外线擦除电可编程逻辑器件。4EEPROM型型。5SRAM型型。6Flash型型。2
3、.1 PLD 2.1 PLD 概述概述 从编程工艺上划分从编程工艺上划分:VHDLVHDL与与EDAEDA2.2.1 2.2.1 电路符号表示电路符号表示 图图2-3 常用逻辑门符号与现有国标符号的对照常用逻辑门符号与现有国标符号的对照 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 VHDLVHDL与与EDAEDA2.2.1 2.2.1 电路符号表示电路符号表示 图图2-4 PLD的互补缓冲器的互补缓冲器 图图2-5 PLD的互补输入的互补输入 图图2-6 PLD中与阵列表示中与阵列表示 图图2-7 PLD中或阵列的表示中或阵列的表示 图图2-8 阵列线连接表示阵列线连接表示
4、2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 VHDLVHDL与与EDAEDA2.2.2 PROM 2.2.2 PROM 图图2-9 PROM基本结构基本结构 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 VHDLVHDL与与EDAEDA2.2.2 PROM 2.2.2 PROM PROM中的地址译码器是完成中的地址译码器是完成PROM存储阵列的行的选择,存储阵列的行的选择,其逻辑函数是:其逻辑函数是:2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 VHDLVHDL与与EDAEDA2.2.2 PROM 2.2.2 PROM.2.2 2.2 低密度低
5、密度PLDPLD可编程原理可编程原理 VHDLVHDL与与EDAEDA2.2.2 PROM 2.2.2 PROM 图图2-10 PROM的逻辑阵列结构的逻辑阵列结构 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 VHDLVHDL与与EDAEDA2.2.2 PROM 2.2.2 PROM 图图2-11 PROM表达的表达的PLD阵列图阵列图 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 VHDLVHDL与与EDAEDA2.2.2 PROM 2.2.2 PROM 图图2-12 用用PROM完成半加器逻辑阵列完成半加器逻辑阵列 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD
6、可编程原理可编程原理 VHDLVHDL与与EDAEDA2.2.3 PLA 2.2.3 PLA 图图2-13 PLA逻辑阵列示意图逻辑阵列示意图 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 VHDLVHDL与与EDAEDA2.2.3 PLA 2.2.3 PLA 图图2-14 PLA与与 PROM的比较的比较 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 VHDLVHDL与与EDAEDA2.2.4 PAL 2.2.4 PAL 图图2-15 PAL结构结构 图图2-16 PAL的常用表示的常用表示 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 VHD
7、LVHDL与与EDAEDA图图2-17 一种一种PAL16V8的部分结构图的部分结构图 VHDLVHDL与与EDAEDA2.2.5 GAL 2.2.5 GAL 2.2 2.2 低密度低密度PLDPLD可编程原理可编程原理 GALGAL即通用阵列逻辑器件,首次在即通用阵列逻辑器件,首次在PLDPLD上采用了上采用了EEPROMEEPROM工艺,使得工艺,使得GALGAL具有电可擦除重复编程的特点,具有电可擦除重复编程的特点,彻底解决了熔丝型可编程器件的一次可编程问题。彻底解决了熔丝型可编程器件的一次可编程问题。GALGAL在在“与与-或或”阵列结构上沿用了阵列结构上沿用了PALPAL的与阵列可编
8、程、或的与阵列可编程、或阵列固定的结构,但对阵列固定的结构,但对PALPAL的输出的输出I/OI/O结构进行了较大的结构进行了较大的改进,在改进,在GALGAL的输出部分增加了输出逻辑宏单元的输出部分增加了输出逻辑宏单元OLMC(Output Macro Cell)OLMC(Output Macro Cell)。VHDLVHDL与与EDAEDA2.3 CPLD2.3 CPLD的结构与可编程原理的结构与可编程原理 图图2-18 MAX7000系列的单个宏单元结构系列的单个宏单元结构 VHDLVHDL与与EDAEDA1 1逻辑阵列块逻辑阵列块(LAB)(LAB)图图2-19 MAX7128S的结构
9、的结构 2.3 CPLD2.3 CPLD的结构与可编程原理的结构与可编程原理 VHDLVHDL与与EDAEDA2 2宏单元宏单元 全局时钟信号全局时钟信号全局时钟信号由高电平有效的时钟信号使能全局时钟信号由高电平有效的时钟信号使能 用乘积项实现一个阵列时钟用乘积项实现一个阵列时钟2.3 CPLD2.3 CPLD的结构与可编程原理的结构与可编程原理逻辑阵列逻辑阵列MAX7000MAX7000系列中的宏单元系列中的宏单元 乘积项选择矩阵乘积项选择矩阵可编程寄存器可编程寄存器 VHDLVHDL与与EDAEDA3 3扩展乘积项扩展乘积项 2.3 CPLD2.3 CPLD的结构与可编程原理的结构与可编程
10、原理图图2-20 共享扩展乘积项结构共享扩展乘积项结构 共享扩展项共享扩展项 VHDLVHDL与与EDAEDA3 3扩展乘积项扩展乘积项 图图2-22 并联扩展项馈送方式并联扩展项馈送方式 并联扩展项并联扩展项 2.3 CPLD2.3 CPLD的结构与可编程原理的结构与可编程原理 VHDLVHDL与与EDAEDA4 4可编程连线阵列可编程连线阵列(PIA)(PIA)图图2-22 PIA信号布线到信号布线到LAB的方式的方式 2.3 CPLD2.3 CPLD的结构与可编程原理的结构与可编程原理VHDLVHDL与与EDAEDA5 5I/OI/O控制块控制块 图图2-23 EPM7128S器器件的件
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