光电技术第2讲.ppt

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1、主讲人:张建寰 教授单 位:机电工程学院-测控所2012.04.14光电技术第二讲辐射体分类及其温度表示热辐射体的分类灰体若辐射体的光谱辐射出射度与同温度黑体的光谱为辐射出射度之比是与波长无关的系数，则称其为灰体。系数称为灰体发射率。选择性辐射体不服从黑体辐射定律的辐射体，称为选择性辐射体。其光谱发射率为波长的函数，辐射分布曲线可能有几个最大值。热辐射体的温度表示辐射温度T当热辐射体的总辐射通量与黑体的总辐射通量相等时，以黑体的温度标度该热辐射体的温度，这种温度称为辐射温度Te。色温Tf当热辐射体在可见光区域发射的光谱辐射分布，具有与某罢休的可见光的光谱辐射分布相同的形状时，以黑体的温度来标度

2、该热辐射体的温度，称为热辐射体的色温。亮温度Tv当热辐射体在可见光区某一波长辐射亮度等于黑体在同一波长的辐射亮度时，以黑体的温度来标度该热辐射体的温度，称为亮温度Tv。以上热辐射体的三种温度标测中,色温与实际工资温度偏差最小,亮温度次之,辐射温度与实际温度的偏差最大.因此,通常以测量色温代表炽热物体的温度.辐射度参量与光度参数的关系 辐射度学参数与光度参数是从不同角度对光辐射进行度量的参数，在可见光区经常相互使用，它们间存在一定的转换关系，有些光电器件采用光度参数标定 其特性参数，而另一些器件采用辐射度参数标定其特性参数。因此，讨论它们之间的转换是很重要的，掌握了这些转换关系，就可以对用不同度

3、量参数标定的光电器件灵敏度等特性参数进行比较。人眼的视觉灵敏度人眼的视网膜上布满了大量的感官细胞，即杆状细胞和锥状细胞。杆状细胞灵敏度高，它能感受微弱光刺激，锥状细胞感光灵敏度低，但能很好地区别颜色和辨别被视物的细节。视觉神经对不同波长光的感光灵敏度是不一样的，对绿光最灵敏，而对红、蓝光灵敏度最低。国际照明委员会(CIE)根据实验结果，确定了人眼对各种波长光的相对灵敏度，称为“光谱光视效率或视见函数”，如图2-1所示。在明视情况，即光亮度大于3cd/M2时，人眼的敏感波长，即光谱光视效率峰值对应的波长在555nm处。在暗视情况下，即光亮度小于00Olcd/M2时，人眼的敏感波长在507nm处，

4、其光谱光视效率曲线如图中虚线所示。光谱光视效率 用单色辐射分别刺激正常人眼的锥状细胞时，当刺激程度相同时，波长555nm的光谱辐射亮度小于其它波长处的光谱辐射亮度。因此定义为正常人眼的明视觉光谱光视效率。还有暗视觉光谱光视效率。人眼的光谱光视效能无论是锥状细胞还是柱状细胞，单色辐射对其刺激程度与V()Le,成正比，如果用复色光刺激时，刺激程度符合叠加原理，且与成正比。Km为人眼的明视觉最灵敏波长的光度参量对辐射度参量的转换常数，人眼的暗视觉最灵敏波长的光度参量对辐射度参量的转换常数例题1、已知某He-Ne激光器的输出功率为3mW，试计算其发出的光通量。辐射体的光视效能一个热辐射体发出的总光通量

5、与总辐射通量之比K，称为该辐射体的光视效能，即对发射连续光谱的热辐射体，有则得到辐射体的光视效能V为辐射体的光视效率例题对色温为2856K的标准钨丝灯其光视效能为17lm/W,当钨丝灯的功率为100W时，求钨丝的光通量。半导体对光的吸收物质对光吸收的一般规律用透射法测定光通量的衰减时,得到以下结论:光能量变化与入射的光通量及路程的乘积成正比.称为吸收系数.利用边界条件解上面的微分方程,得到当光在物质中传播时,透过的能量衰减到原能量的 时所通过的路程的倒数等于物质的吸收系数.半导体对光吸收本征吸收、杂质吸收、激子吸收、自由载流子吸收和晶格吸收本征吸收不考虑热激发和杂质的作用时，半导体中的电子基本

6、上处于价带中，导带中的电子数很少。当光入射到半导体表面时，原子外层价电子吸收足够的光子能量，越过禁带，进入导带，成为可以自由运动的自由电子，同时在价带中留一个自由空穴，即产生电子-空穴对。半导体价带电子吸收光子能量迁入导带，产生电子-空穴对的现象称为本征吸收。本征吸收产生的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度，这样才能使价带上的电子吸收足够能量跃入导带低能级之上，发生本征吸收的光波长波限为：只有波长小于长波限的入射辐射才能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。杂质吸收N型半导体中未电离的杂质原子（施主原子）吸收光子能量，若光子能量大于施主电离能，杂质原子的外层电子将从杂质能级（施主能

7、级）跃入导带，成为自由电子。P型半导体中价带上的电子吸收大于受主电离能的光子能量后，价电子跃入受主能级，价带上留下空穴。相当于受主能级上的空穴吸收光子能量跃入价带。杂质半导体吸收足够能量的光子，产生电离的过程称为吸收。杂质吸收的长波限为由于禁带宽度大于施主或受主电离能，杂质吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限，杂质吸收会改变半导体的导电特性，会引起光电效应。激子吸收当入射到本征半导体上的光子能量小于禁带宽度，或入射到杂质半导体上的光子能量小于杂质电离能时，电子不产生能带间的跃迁成为自由载流子，仍受原来束缚电荷的约束而处于受激状态。这种处于受激状态的电子称为激子。吸收光子能量产生激子的现象，称为

8、激子吸收。激子吸收不会改变半导体的导电特性。自由载流子吸收对于一般半导体材料，当入射光子的频率不够高，不足以引起电子产生能带间的跃迁或形成激子时，仍然存在着吸收，而且其强度随波长增大增强。这是由自由载流子在同一能带内的能级跃迁所引起的，称为自由载流子吸收。自由载流子吸收不会改变半导体的导电特性。晶格吸收晶格原子对远红外谱区的光子能量的吸收，直接转变为晶格振动动能的增加，在宏观上表现为物体温度升高，引起物质的热敏效应。这五种吸收，只有本征吸收和杂质吸收能够直接产生非平衡载流子，引起光电效应。其他吸收都程度不同地把辐射能转换为热能，使器件温度升高，使热激发载流子运动的速度加快，而不会改变半导体的导

9、电特性。光电效应光与物质作用产生的光电效应分为内光电效应和外光电效应两种。被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特现象称为内光电效应。被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象，称为外光电效应。内光电效应是半导体光电器件的核心技术，外光电效应是真空光电倍增管、摄像管、变像管和像增强器的核心技术。内光电效应光电导效应：本征光电导效应和杂质光电导效应本征半导体或杂质半导体价带中的电子吸收光子能量跃入导带,产生本征吸收,导带中产生光生自由电子,价带中产生光生自由空穴.从而导致半导体的电导率发生变化.这种在光的作用下由本征吸收引起的半导

10、体电导率发生变化的现象,称为本征光电导效应.在弱辐射作用下,半导体材料的光电导与入射辐射通量成线性关系.弱辐射条件下半导体材料的光电导灵敏度:lbd强辐射作用下:半导体材料的光电导与入射辐射通量间的关系为半导体材料的光电导灵敏度:半导体的光电导效应与入射辐射通量关系:在弱辐射条件下,光电导与入射辐射通量成线性关系;随着辐射的增强,线性关系变坏,当辐射很强时,关系曲线变为抛物线.光生伏特效应是基于半导体PN结的一种将光能转换成电能的效应.当射辐射作用在半导体PN结上产生本征吸收时,价带中的光生空穴与导带中的光生电子在PN结内建电场作用下分开,并分别向两个方向运动,形成光生伏特电压或光生电流.入射

11、辐射P内建电场+-电子N空穴光生伏特效应当将PN结两端接入适当的负载电阻RL,入射辐射通量如为 ,则有电流通过负载,在负责两端产生压降U,流过负载电流为:把PN结短路,得到的短路电流即为光生电流开路电压:在图像传感器中常用具有光生伏特效应的光电二极管作为像敏单元,此时的光电二极管采用反向偏置,此时光电二极管的电流为:一般暗电流远小于光电流,因此常将其略去.则光电二极管的电流与入射辐射成线关系.丹倍效应(Dember)光生载流子扩散运动产生的伏特现象半导体材料一部分被遮挡,一部分接受光照.受光面产生光生电子和空穴浓度大于小遮光区,载流子浓度差引起载流子向遮光区的扩散运动,电子的迁移率大于空穴迁移

12、率.这样在受光面积累空穴,而遮光区积累电子,产生光生伏特现象.这种由于载流子迁移率的差别产生的伏特现象,称为N0p0分别为热平衡载流子浓度;n0半导体表面处的光生载流子的浓度,np分别为电子和空穴的迁移率.当以适当频率的单色辐射照射到厚度为d的半导体样品上时,如果材料的吸收系数大于1/d,则背光面相当于遮光面,迎光面产生的载流子远比背光面高.在扩散力的作用下,形成双极性扩散运动,结果半导体的迎光面带正电,背光面带负电.产生光生伏特现象.光磁电效应半导体上外加磁场,磁场的方向与光照方向垂直,当半导体受光照产生丹倍效应时,由于电子和空穴在磁场中的运动会受到洛伦兹力的作用,使它们的运动轨迹发生偏转,

13、空穴向半导体上方偏转,电子偏向下方.因此在垂直于光照方向和磁场方向的半导体上下表面上产生伏特电压,称为光磁电场.称为半导体的光磁电效应.光电牵引效应当光子与半导体中的自由载流子作用时,光子把动量传递给自由载流子,自由载流子将顺着光线的传播方向做相对于晶格的运动,结果,在开路的情况下,半导体样品将产生电场,它阻止 载流子运动,称为光子牵引效应.利用光子牵引效应可以检测低频大功率的CO2激光器输出功率,CO2激光器输出光的波长远远超过激光器锗窗材料的本征吸收长波限,不可能产生光电子发射,但激光器锗窗的两端会产生伏特电压,迎光面带正电,出光面带负电.室温下,P型锗光子牵引探测器的光电灵敏度为光电发射

14、效应当物质中的电子吸收足够高的光子能量,电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子,这种现象称为光电发射效应或外光电效应.只有光子能量大于光电发射材料的光电发射阈值,才有电子飞出光电发射材料进入真空.导带禁带价带对于金属材料有:对于半导体材料,导带中的电子对于半导体材料,价带中的电子对于半导体材料,光电发射长波限为:光电发射器件具有不同于内光电效应的特点:1、光电发射器件中的导电电子可以在真空中运动，因此，可以通过电场加速电子运动的动能或通过电子的内倍增系统提高光电探测灵敏度，使它能够快速探测极其微弱的光信号，成为像增强器与变像器技术的基本单元。2、易制作大面积均匀的大面积光电发射器件，使其在光电成像器件方面有利于，一般真空光电成像器件的空间分辨率要高于半导体光电图像传感器；3、光电发射器件需要高稳定的高压直流电源设备，使整个探测器体积庞大，功率损失大，不适于野外操作，造价高；4、光电发射器件的光谱响应范围一般不如半导体器件宽。作业：1、试计算100W标准钨丝灯在0.2sr范围内的光通量；2、若甲乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为：比较两厂的光电器件的灵敏度高低。3、已知本征硅材料的禁带宽度1.2eV，求本征吸收波长。