实验二存储器实验.ppt

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1、实验二实验二 存储器实验存储器实验实验目的、器材和内容实验目的、器材和内容一、实验目的一、实验目的 掌握半导体静态掌握半导体静态RAM 6116RAM 6116特性和使用方法。特性和使用方法。掌握掌握61166116存储器的读写方法和片选技术。存储器的读写方法和片选技术。二、实验器材二、实验器材FD-CES-BFD-CES-B实验仪一台，实验仪一台，FD-CES-BFD-CES-B存储器实验板一块，示波器存储器实验板一块，示波器一台。一台。三、实验内容三、实验内容 用两片用两片61166116构成一个构成一个4K84K8位的位的RAMRAM。对对RAMRAM进行单步读写测试（每次向进行单步读写

2、测试（每次向RAMRAM的某一个特定单元的某一个特定单元中写入一个数据或每次从中写入一个数据或每次从RAMRAM的某一个特定单元中读出一的某一个特定单元中读出一个数据）个数据）对对RAMRAM进行连续读写测试（从进行连续读写测试（从0 040954095对每一个单元进行对每一个单元进行读写测试）读写测试）测量测量RAMRAM的读写时间。的读写时间。四、实验原理四、实验原理 6116为2K 8bit的静态RAM，它为24线的双列直排式器件，其中有A0A10为11根地址线，D0D7为8根数据线，3个控制信号为片选、读写信号、数据选通信号，其工作方式选择见下表1。存储器实验模块的电路图存储器实验模块

3、的电路图 见单独的幻灯片五、验证五、验证 六、对六、对RAM进行单步读写测试进行单步读写测试 先向先向RAMRAM的某一个特定单元中写入一个数据，再从该特定单的某一个特定单元中写入一个数据，再从该特定单元中读出这个数据，将两者比较。元中读出这个数据，将两者比较。将拨动开关将拨动开关将拨动开关将拨动开关KW1KW1KW1KW1设置为置数状态（设置为置数状态（设置为置数状态（设置为置数状态（SENDSENDSENDSEND），将拨动开关），将拨动开关），将拨动开关），将拨动开关KW2KW2KW2KW2设置为单步状态（设置为单步状态（设置为单步状态（设置为单步状态（STEPSTEPSTEPSTEP）

4、。）。）。）。将将将将K14K14K14K14、K15K15K15K15设置为设置为设置为设置为1 11 11 11 1，使，使，使，使RAMRAMRAMRAM处于既不读也不写状态。处于既不读也不写状态。处于既不读也不写状态。处于既不读也不写状态。利用利用利用利用K16K16K16K16K23K23K23K23设置数据（设置数据（设置数据（设置数据（8 8 8 8位），寄存在位），寄存在位），寄存在位），寄存在74LS24474LS24474LS24474LS244。数据数据可以通过实验装置上的灯可以通过实验装置上的灯L16L16L23L23发亮（该位为发亮（该位为1 1）或熄）或熄灭（该位为

5、灭（该位为0 0）看到。）看到。将将将将K12K12K12K12、K13K13K13K13设置设置设置设置1 01 01 01 0，使计数器，使计数器，使计数器，使计数器74163741637416374163处于单步置数状态。处于单步置数状态。处于单步置数状态。处于单步置数状态。利用利用利用利用K0K0K0K0K11K11K11K11设置地址线设置地址线设置地址线设置地址线A0A0A0A0A11A11A11A11，按单脉冲开关，按单脉冲开关，按单脉冲开关，按单脉冲开关S1S1S1S1将地将地将地将地址送址送址送址送RAMRAMRAMRAM。将将将将K14K14K14K14、K15K15K15

6、K15设置为设置为设置为设置为1 01 01 01 0，发出写控制信号，完成写操作。，发出写控制信号，完成写操作。，发出写控制信号，完成写操作。，发出写控制信号，完成写操作。将将将将K14K14K14K14、K15K15K15K15设置为设置为设置为设置为0 10 10 10 1，发出读控制信号，完成读操作。，发出读控制信号，完成读操作。，发出读控制信号，完成读操作。，发出读控制信号，完成读操作。七、对七、对RAM进行连续读写测试（从进行连续读写测试（从04095对每一个单元进行读写测试）对每一个单元进行读写测试）将拨动开关将拨动开关将拨动开关将拨动开关KW1KW1KW1KW1设置为置数状态（

7、设置为置数状态（设置为置数状态（设置为置数状态（SENDSENDSENDSEND），将拨动开关），将拨动开关），将拨动开关），将拨动开关KW2KW2KW2KW2设置为连续状态（设置为连续状态（设置为连续状态（设置为连续状态（EXECEXECEXECEXEC）。）。）。）。将将将将K14K14K14K14、K15K15K15K15设置为设置为设置为设置为1 11 11 11 1，使，使，使，使RAMRAMRAMRAM处于既不读也不写状态。处于既不读也不写状态。处于既不读也不写状态。处于既不读也不写状态。利用利用利用利用K16K16K16K16K23K23K23K23设置数据（设置数据（设置数据（

8、设置数据（8 8 8 8位），寄存在位），寄存在位），寄存在位），寄存在74LS24474LS24474LS24474LS244。数据可数据可以通过实验装置上的灯以通过实验装置上的灯L16L16L23L23发亮（该位为发亮（该位为1 1）或熄灭）或熄灭（该位为（该位为0 0）看到。）看到。将将将将K12K12K12K12、K13K13K13K13设置设置设置设置1 11 11 11 1，使计数器，使计数器，使计数器，使计数器74163741637416374163处于计数状态。处于计数状态。处于计数状态。处于计数状态。将将将将K14K14K14K14、K15K15K15K15设置为设置为设置为

9、设置为1 01 01 01 0，发出写控制信号，完成写操作。，发出写控制信号，完成写操作。，发出写控制信号，完成写操作。，发出写控制信号，完成写操作。将将将将K14K14K14K14、K15K15K15K15设置为设置为设置为设置为0 10 10 10 1，发出读控制信号，完成读操作。，发出读控制信号，完成读操作。，发出读控制信号，完成读操作。，发出读控制信号，完成读操作。八、测量八、测量RAM的读写时间的读写时间 将拨动开关将拨动开关KW1设置为读写时间状态设置为读写时间状态（WRT），将拨动开关），将拨动开关KW2设置为连续状设置为连续状态（态（EXEC）。）。置置K15为为0，K14、K13、K12为为1，向，向6116偶偶数地址写入全数地址写入全0，奇数地址写入全，奇数地址写入全1。置置K15为为1，K14为为0，从，从6116中读数据中读数据。用示波器测用示波器测J33（地址线）和（地址线）和J34（数据线）（数据线）的波形，体会读出时间。的波形，体会读出时间。RAM的读写时间波形的读写时间波形