半导体塑工艺介绍.ppt

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1、封装 工艺 教 育Mold Process Education-保护已经完成的保护已经完成的保护已经完成的保护已经完成的 Bonding Bonding Bonding Bonding 制品制品制品制品 保护对象保护对象保护对象保护对象:制品的制品的制品的制品的CHIPCHIPCHIPCHIP，WIRE WIRE WIRE WIRE，PADPADPADPAD，INNER LEAD INNER LEAD INNER LEAD INNER LEAD 等等等等 保护方法保护方法保护方法保护方法:用用用用 EMC(EPOXY MOLDING COMPOUND )EMC(EPOXY MOLDING CO

2、MPOUND )EMC(EPOXY MOLDING COMPOUND )EMC(EPOXY MOLDING COMPOUND )将之于外界隔离将之于外界隔离将之于外界隔离将之于外界隔离 Mold Mold 工程工程 原理原理MOLDING 前Example:(TO-3PN)MOLDING 后封装原理：将制品头部密闭在由模具镶件组成的成型腔内，然后在成型腔内注入 EMC。经过一定的保压时间使 EMC 硬化 后，Molding 完成。EMC 是在注塑头（Transfer）的挤压下进入成型腔的，因此 Transfer运动的速度，力量是制品的成型的关键。模具镶件的组成名称作用RunnerEMC 从 加

3、料点至成型腔的路径GateEMC 进入成型腔的门Cavity真正成型的地方Lead Guide制品的脚与 PKG 的分界处，同时，有排气的功能E/J PinMold 完成后，将制品顶出成型腔EMCTransferBrake Point：Transfer 开始接触 EMC 的 位置；Transfer Time 开始计时的位置。Transfer 开始变速的位置；有的 PKG，Transfer 要变 2，3次速Mold Mold 工程工程 流程流程L/F LoadingMold Die L/F LoadingDie CloseTransfer downMold CureDie OpenL/F Loa

4、ding1.将常温状态下 Lead Frame 加热至 Mold Die 温度左右.使 Lead Frame 能够正确放入 Mold Die 中(Location Pin);2.Lead Frame 装载,便于大规模作业Pre-heater EMC预热（80、60秒以内使用）使 EMC 进入 Mold Die 很快能够使用。使用高频加热，优点：升温快，内外温度一致。项目全称目的C/TMold Temp继续加热 EMC，使其 可以可以流动相关品质项目：Wire Sweep，Mis-matchC/FClamp Force 保证金型闭合压力 相关品质项目：FlashT/TTransfer TimeT

5、ransfer 下将时，从 Brake Point 开始 至 动作停止且 Transfer Force 达到设定值之间的时间。它定义了，EMC 流动的速度。相关品质项目：Wire Sweep，未充尽，Void。T/FTransfer Force；EMC 进入成型腔后的保压固化压力相关品质项目：Wire Sweep，未充尽，Void，FlashC/TCure TimeEMC保压固化时间相关品质项目；未充尽，PKG 破损Horizontal off-center Vertical off-centerDimension CheckPKG LengthPKG Width PKG Thickness

6、Off-centerMismatchHorizontal MismatchVertical Mismatch PKG SIZE 计算公式计算公式Horizontal off-center=（-）/2/2Vertical off-center=（-）/2/2Horizontal Mismatch=（+-）/2/2Vertical Mismatch=（+-）/2/2Mold Mold 工程工程 不良项目不良项目 1 1 原因 1）MOLD 上/下 金型 不整合 2）模具镶件 磨损/安装不良 3）模具金型 温度不整合Quality Check PKG Void PKG Non-Fill/chip P

7、KG-crackGate BurrBleed/FlashWire SweepWorking CheckCull Sticking 金型 Center Block/Runner Block 等磨损造成的原因 L/F StickingIC：15TR：20Mold Mold 工程工程 不良项目不良项目 2 2造成原因：Cavity 划伤；有异物质造成原因：Gate Block 磨损；作业问题；有 Degate 工序的 Degate 不良造成原因：Transfer Time/压力不合适；EMC Pre-heater 温度过高；金型温度过高 造成原因：Transfer Time/压力不合适；EMC Pr

8、e-heater 温度过低；金型温度过低 Cavity 中有异物质造成原因：Transfer 压力过高；模具镶件 磨损/安装不良造成原因：Transfer Time/压力不合适；EMC Pre-heater 温度不合适；金型温度不合适；3.3.成形成形 不良不良 改善改善 方法（方法（Trouble Shooting)Trouble Shooting)不良不良 内容内容Pre-HeatPre-Heat温度温度T/TT/TT/FT/F金型金型 温度温度C/TC/TC/FC/F1 1异形异形 不良不良(Sticking)(Sticking)UpUp-UpUpUpUp長長-2 2Non-FillNo

9、n-FillDownDown-UpUpDownDown-DownDown3 3Wire Wire SweepSweepCull Cull 部分部分UpUpSlowSlow-UpUp-4 4Runner Runner 末端部末端部DownDownFastFastDownDownDownDown-5 5硬化硬化 不良不良UpUpSlowSlowUpUp長長-6 6VoidVoidDownDownSlowSlowUpUpDown/UpDown/Up-(Down)(Down)7 7Gate BurrGate Burr-UpUp長長-8 8Bleed/FlashBleed/FlashUpUpSlowSlowDownDownUpUp-UpUp