半导体基本测试原理.ppt
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1、基本基本测试原理原理基本测试原理半导体产品的不同阶段电学测试半导体产品的不同阶段电学测试测试种类测试种类生产阶段生产阶段测试描述测试描述IC设计验证生产前描述、调试和检验新的芯片设计,保证符合规格要求在线参数测试(PCM)Wafer制造过程中为了监控工艺,在制作过程的早期进行产品工艺检验测试硅片拣选测试硅片拣选测试(CP测试)测试)Wafer制造制造后后产品电性测试,验证每个芯产品电性测试,验证每个芯片是否符合产品规格片是否符合产品规格终测(FT)封装后使用产品规格进行的产品功能测试CP测试主要设备测试主要设备1.探针卡(探针卡(probe card)探针卡是自动测试机与待测器件(DUT)之间
2、的接口,在电学测试中通过探针传递进出wafer的电流。2.探针台(探针台(prober)主要提供wafer的自动上下片、找中心、对准、定位以及按照设置的步距移动Wafer的功能,以使探针卡上的探针总是能对准硅片相应位置进行测试。3.测试机(测试机(tester/ATE)控制测试过程,可作为电压或电流源并能对输出的电压和电流进行测量,并通过测试软件实现测试结果的分类(bin)、数据的保存和控制、系统校准以及故障诊断。CP测试主要过程测试主要过程1.将待测Wafer放在cassette中置于探针台(Prober)的上下片部分,探针台自动上片到承片台(chuck)并被真空吸附在承片台上。2.承片台吸
3、附wafer进行自动对准定位,以使探针卡/探针与wafer测试区域接触良好。3.测试机(tester)将电信号通过探针卡加载在待测die上,对产品进行测试,按照测试结果分类。4.对不合格芯片进行打墨点标记,以使不良管芯可以在封装之前被识别并废弃。测试的评判标准良率(测试的评判标准良率(yield)电学测试数据根据每个硅片上失效的芯片数目把硅片分为通过(Pass)和失效(Fail)两类,其中合格芯片所占的百分比称为良率良率。产品良率(Yield)合格芯片数(good die)/总芯片数(gross die)测试的基本参数及其测试原理测试的基本参数及其测试原理nVDMOS基本基本测试参数参数 BV
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