(11.2.1)--11.2配合物的立体化学.pdf
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1、配合物的立体化学 配位数与几何构型 影响配位数 的因素 金属离子的体积 金属离子的电荷 金属离子的电子组态 配体的体积 配体的电荷 反应条件和抗衡离子 Cu(I)Ag(I)Au(I)Hg(II)配位数与几何构型 二配位化合物 d10 组态 等 线形 三配位化合物 较少 Cu(I)Hg(II)Pt(0)Au(I)等 平面三角形 配位数与几何构型 三配位化合物 Cu(Me3P)3+,(Ph3P)3Cu2Cl2 如 某些 ML3 不一定是三配位,如 AlCl3 是二聚桥联四配位。注意 配位数与几何构型 四配位化合物 平面正方形(square)四面体(tetrahedron)配位数与几何构型 非金属四
2、配位化合物 四面体,配体间静电排斥作用小 过渡金属四配位化合物 d0,d5,d10在弱场中,四面体,如Ti4+,FeCl4-,Zn2+d8平面正方形,如 Rh(I),Ir(I),Ni(II),Pd(II),Pt(II),Au(III)Co(II)以四面体为主 Cu(II)以平面正方形为主,轴上有弱键,4+1或4+2,配位数与几何构型 五配位化合物 三角双锥(trigonal bipyramid,TBP)D3h 四方锥(square pyramid,SP)C4v 较少,一般是四、六配位取代反应中间体 d8 较多,两种构型差别不明显,能垒小于25.2 kJ/mol 配位数与几何构型 六配位化合物
3、最常见,正八面体,Oh 少数具有 三棱柱构型 配位数与几何构型 七配位化合物 少见,不如六配位稳定,第七根键的键能因配体-配体排斥作用等抵消:五角双锥(pentagonal bipyramid)D5h 单帽八面体(capped octahedron)C3v 单帽三角棱柱体(capped trigonal prism)C2v 正方形底-三角型帽(少)(tetragonal base-trigonal cap)Fe(CO)3(CPh)4 配位数与几何构型 八配位化合物 形成高配位数条件:中心离子较大,配体较小;1 中心离子氧化态高,保持电中性;配体电负性高,可极化性低;2 中心离子 d 电子数较少
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- 11.2 配合 立体化学
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