(6.4.1)--05-04晶体管的工作区.pdf

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1、晶体管的工作区晶体管的工作区（1）放大区也称为线性区，具有恒流特性。条件：发射结正向偏置集电结反向偏置 iiCB放放大大区区uCE/V5101501234iC/m A40 A10 A20A30 AIB=0A晶体管的工作区（2）截止区iB=0 以下区域为截止区，有iC 0。条件：发射结反向偏置集电结反向偏置IIIICEOCBOCBOCBO(1)截止区截止区uCE/V5101501234iC/m A40 A10 A20A30 AIB=0AuCE/V5101501234iC/m A40 A10 A20A30 AIB=0A晶体管的工作区（3）饱和区UCE UBE，UCE 0，ic00U UBCBC 0

2、 0 IICBU UBEBE0 0U UBCBC 0 0U UBCBC00=()/晶体管的工作区 00.10.5 0.10.6 0.7 0.2 0.30.3 0.10.7 0.3硅管(NPN)锗管(PNP)可靠截止开始截止UBE/VUBE/VUCE/VUBE/V截 止放大饱和工作状 态管型晶体管结电压的典型值当晶体管饱和时，UCE 0，集射之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截止时，IC 0，集射之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放大作用外，还有开关作用。晶体管的工作区晶体管工作状态的判定（1）三极管结偏置判定法（2）三极管电流关系判定法+VCCRbRcIBICIE+VBBVO晶体管的工作区（1）三极管结偏置判定法正偏或零偏正偏反偏正偏反偏反偏或零偏饱和放大截止集电结发射结结偏置工作状态晶体管的工作区（2）三极管电流关系判定法(1+)IBIBIBSIB+IC=(1+)IBIB0IBICEOICEO0饱和放大截止IEICIB电流工作状态流关系电IBS：临界饱基极电流：临界饱基极电流0 0U UBCBC00 （对于小功率硅管=0.3V）临界饱和时集电极电流：=()/临界饱基极电流=/