(7.2.1)--5.2半导体二极管.pdf
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一、基本结构一、基本结构按材料分按材料分硅管硅管锗管锗管按按PN结分结分点接触型点接触型面接触型面接触型按用途分按用途分普通管普通管整流管整流管PN阳极阳极阴极阴极半导体二极管半导体二极管5.2 半导体二极管半导体二极管定义：二极管电流与电压之间的关系。定义：二极管电流与电压之间的关系。UIOUDUIOUIOAABB硅硅锗锗正向：死区（正向：死区（OA 段）硅管约段）硅管约 0.5 V，锗管约锗管约 0.2 V；正向导通区硅管；正向导通区硅管约约 0.7 V，锗管约，锗管约0.3 V。温度增加，温度增加，曲线左移曲线左移反向：截止区（反向：截止区（OB 段）段）I 近似为近似为 0；击穿区管子被击穿击穿区管子被击穿图图 8.2.2 半导体二极管的伏安特性半导体二极管的伏安特性(a)近似特性近似特性(b)理想特性理想特性图图 8.2.3 近似和理想特性伏安特性近似和理想特性伏安特性二、伏安特性二、伏安特性(1)(1)IF：额定正向平均电流：额定正向平均电流(2)(2)UF：正向电压降：正向电压降(3)(3)UR：最高反向工作电压：最高反向工作电压(4)4)IRm：最大反向电流：最大反向电流以上各值是选择二极管的依据。以上各值是选择二极管的依据。三、主要参数三、主要参数
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- 7.2 5.2 半导体 二极管
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