(17.4.1)--16-4场效应管与晶体管放大电路的比较.pdf
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1、FET与BJT放大电路的比较FET与BJT放大电路的比较共源放大电路共漏放大电路共栅放大电路电路结构电压放大倍数输入、输出电压相位关系输入电阻输出电阻C1RdC2+VDD+_TvoRg2Rg1Rg+_viCsRsgsdAC1C2+VDD+_TvoRg2Rg1Rg+_viRsgsdACgRdC2+VDD+_TviRg2Rg1+voC1Rsgsd_ Ag RumL RRodRRRRiggg(/)12RRRRiggg(/)12 g RAg RmLumL1gRRoS/1m反相同相同相Ag RumL RRgiSm/(1/)RRod共射放大电路对应电路共集放大电路共基放大电路反相电压放大器电压跟随器电流跟
2、随器组态通用结构示意图主要特征Au1，且uo与ui反相Au1，且uo与ui同相Ai1，输入电阻很小典型电路共射电路、共源电路共集电路、共漏电路共基电路、共栅电路用途电压增益高，输入输出电阻都较大，适用于多级放大电路中间级输入电阻高，输出电阻低，可用于阻抗变换，用于输入级、缓冲级，输出级输入电阻小，适用于宽带或高频电路FET与BJT放大电路的比较1、共源、共漏和共栅电路的输入电阻高于相应的共射、共集和共基电路的输入电阻。2、场效应管噪声低、温度稳定性好、抗辐射能力强。3、集成度高，适用于大规模集成电路。4、场效应管低频跨导较小，放大能力通常比三极管差。5、MOS管栅源等效电容小，易击穿，使用操作要求高。环境条件变化很大要求信噪比较高集成度要求高FET与BJT放大电路的比较
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- 17.4 16 场效应 晶体管 放大 电路 比较
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