光电检测技术课件[4].ppt
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1、光敏二极管结构光敏二极管结构光敏二极管与普通二极管一样有一个光敏二极管与普通二极管一样有一个PN结,属于结,属于单向导电性的非线形元件。外形不同之处是在光电单向导电性的非线形元件。外形不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射,二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射,实现光电转换。实现光电转换。为了获得尽可能大的光生电流,需要较大的工作面,为了获得尽可能大的光生电流,需要较大的工作面,即即PN结面积比普通二极管大得多,以扩散层作为结面积比普通二极管大得多,以扩散层作为它的受光面。它的受光面。为了提高光电转换能力为了提高光电转换能力,PN结的深度较普通二极结的深度较普通二
2、极管管浅。浅。光电二极管(光敏二极管)光电二极管(光敏二极管)光敏二极管符号光敏二极管符号 光敏二极管接法光敏二极管接法 外加反向偏压外加反向偏压可以不加偏压,与光电池不同,光敏二极管一可以不加偏压,与光电池不同,光敏二极管一般在负偏压情况下使用般在负偏压情况下使用大反偏压的施加,增加了耗尽层的宽度和结电大反偏压的施加,增加了耗尽层的宽度和结电场,电子场,电子空穴在耗尽层复合机会少,提高光空穴在耗尽层复合机会少,提高光敏二极管的灵敏度。敏二极管的灵敏度。增加了耗尽层的宽度,结电容减小,提高器件增加了耗尽层的宽度,结电容减小,提高器件的频响特性。的频响特性。但是,为了提高灵敏度及频响特性,却不能
3、无但是,为了提高灵敏度及频响特性,却不能无限地加大反向偏压,因为它还受到限地加大反向偏压,因为它还受到PN结反向结反向击穿电压等因素的限制。击穿电压等因素的限制。光敏二极管体积小,灵敏度高,响应时间短,光敏二极管体积小,灵敏度高,响应时间短,光谱响应在可见到近红外区中,光电检测中应光谱响应在可见到近红外区中,光电检测中应用多。用多。选择一定厚度选择一定厚度的的i层,具有高速响应特性。层,具有高速响应特性。i层所起的作用层所起的作用:(1)为了取得较大为了取得较大的的PN结击穿电压,必须选择结击穿电压,必须选择高电阻率的基体材料,这样势必增加了串联电阻,使时间常数高电阻率的基体材料,这样势必增加
4、了串联电阻,使时间常数增大,影响管子的频率响应。增大,影响管子的频率响应。而而i层的存在,使击穿电压不再受到基体材料的限制,从而可层的存在,使击穿电压不再受到基体材料的限制,从而可选择低电阻率的基体材料。这样不但提高了击穿电压,还减少选择低电阻率的基体材料。这样不但提高了击穿电压,还减少了串联电阻和时间常数。了串联电阻和时间常数。(2)反偏下,耗尽层反偏下,耗尽层较无较无i层时要大得多,从而使结电容下降,层时要大得多,从而使结电容下降,提高了频率响应提高了频率响应。PIN管的最大特点是管的最大特点是频带宽,可达频带宽,可达40GHz。另一特点是线性输出范围宽。另一特点是线性输出范围宽。缺点缺点
5、:由于由于I层的层的存在存在,管子的输出电流小,一般多为零点管子的输出电流小,一般多为零点几微安至数微安。几微安至数微安。雪崩光敏二极管雪崩光敏二极管由于存在因碰撞电离引起的内增益机理,雪崩管由于存在因碰撞电离引起的内增益机理,雪崩管具有高的增益带宽乘积和极快的时间响应特性。具有高的增益带宽乘积和极快的时间响应特性。通过一定的工艺可以通过一定的工艺可以使它在使它在1.06微米波长处的量微米波长处的量子效率达到子效率达到30,非常适于可见光及近红外区域,非常适于可见光及近红外区域的应用。的应用。当光敏二极管当光敏二极管的的PN结上加相当大的反向偏压时,结上加相当大的反向偏压时,在结区产生一个很高
6、的电场,使进入场区的光生在结区产生一个很高的电场,使进入场区的光生载流子获得足够的能量,通过碰撞使晶格原子电载流子获得足够的能量,通过碰撞使晶格原子电离,而产生新的电子离,而产生新的电子空穴对。空穴对。新的电子新的电子空穴对在强电场的作用下分别向相反空穴对在强电场的作用下分别向相反方向运动在运动过程中,又有可能与原子碰撞方向运动在运动过程中,又有可能与原子碰撞再一次产生电子再一次产生电子空穴对。空穴对。只要电场足够强,此过程就将继续下去,达到载只要电场足够强,此过程就将继续下去,达到载流子的雪崩倍增。通常,雪崩光敏二极管的反向流子的雪崩倍增。通常,雪崩光敏二极管的反向工作偏压略低于击穿电压。工
7、作偏压略低于击穿电压。雪崩光电二极管的雪崩光电二极管的倍增电流、噪声与偏压的关系曲线倍增电流、噪声与偏压的关系曲线在偏置电压较低在偏置电压较低时的时的A点以左,不发生雪崩过程;随着偏压的逐点以左,不发生雪崩过程;随着偏压的逐渐升高,倍增电流逐渐增加渐升高,倍增电流逐渐增加从从B点到点到c点增加很快,属于雪崩倍增区;偏压再继续增大,将发点增加很快,属于雪崩倍增区;偏压再继续增大,将发生雪崩击穿;同时噪声生雪崩击穿;同时噪声也显著增加,如也显著增加,如图中图中c点以右边的区域。因此,最佳的偏压工作点以右边的区域。因此,最佳的偏压工作区区是是c点以左,否则进入雪崩击穿区烧坏管子。点以左,否则进入雪崩
8、击穿区烧坏管子。由于击穿电压会随温度漂移,必须根据环境温度变化相应调整工由于击穿电压会随温度漂移,必须根据环境温度变化相应调整工作电压作电压。雪崩光电二极管具有电流增益大,灵敏度高,频率响雪崩光电二极管具有电流增益大,灵敏度高,频率响应快,带宽可达应快,带宽可达100GHz。是目前响应最快的一种光是目前响应最快的一种光敏二极管。敏二极管。不需要后续庞大的放大电路等特点。因此它在微弱辐不需要后续庞大的放大电路等特点。因此它在微弱辐射信号的探测方向被广泛地应用。射信号的探测方向被广泛地应用。在设计雪崩光敏二极管时,要保证载流子在整个光敏在设计雪崩光敏二极管时,要保证载流子在整个光敏区的均匀倍增,这
9、就需要选择无缺陷的材料,必须保区的均匀倍增,这就需要选择无缺陷的材料,必须保持更高的工艺和保证结面的平整。持更高的工艺和保证结面的平整。其缺点是工艺要求高,稳定性差,受温度影响其缺点是工艺要求高,稳定性差,受温度影响大。大。雪崩光电二极管与光电倍增管比较雪崩光电二极管与光电倍增管比较体积小结构紧凑工作电压低使用方便但其暗电流比光电倍增管的暗电流大,相应的噪声也较大故光电倍增管更适宜于弱光探测2.42.4 CCD CCDCCD是一种电荷耦合器件(Charge Coupled Device)CCD的突出特点:是以电荷作为信号,而不同于其它大多数器件是以电流或者电压为信号。CCD的基本功能是电荷的存
10、储和电荷的耦合。CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。CCDCCD的结构的结构MOS 光敏元:光敏元:构成构成CCD的基本单元是的基本单元是MOS(金金属属氧化物氧化物半导体半导体)结构。结构。(型层)(型层)电极电极在栅极加正偏压之前在栅极加正偏压之前,P型半导体中的空穴(多子)的分布是均匀的。型半导体中的空穴(多子)的分布是均匀的。加正偏压后,空穴被排斥而产生耗尽区,偏压增加,耗尽区向内延伸。加正偏压后,空穴被排斥而产生耗尽区,偏压增加,耗尽区向内延伸。当当UG Uth时,半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高,以致于将半导时,半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高,以致
11、于将半导体内的电子体内的电子(少子少子)吸引到表面,形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层。吸引到表面,形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层。反型层电荷的存在表明了反型层电荷的存在表明了MOS结构存储电荷的功能。结构存储电荷的功能。一、电荷存储一、电荷存储表面势与栅极正偏压的关系 表面势 0.1um 0.2um 0.4um 0.6um 栅极正偏压栅极正偏压表面势与反型层电荷密度的关系 表面势 反型层电荷密度二、电荷的耦合电荷的耦合第一个电极保持10V,第二个电极上的电压由2V变到10V,因这两个电极靠得很紧(间隔只有几微米),它们各自的对应势阱将合并在一起。原来在第一个电极下的电荷变为这两个电极下势
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