真空蒸镀技术介绍.ppt

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1、 薄膜材料制备技术薄膜材料制备技术Thin Film Thin Film MaterialsMaterials北京科技大学材料科学学院 唐伟忠Tel:6233 4144 E-mail:课件下载网址：wztang_下 载 密 码：123456第二讲薄膜材料制备的真空蒸发法 Preparation of thin films by vacuum evaporation提 要 u 元素的热蒸发u 化合物与合金的热蒸发u 蒸发沉积薄膜的均匀性u 制备薄膜材料的各种蒸发方法 物理气相沉积（physical vapor deposition,PVD）是利用某种物理过程 物质的热蒸发或在粒子轰击下物质表面原

2、子的溅射，不涉及化学反应过程的，实现原子从源物质到薄膜的可控转移的薄膜（及其他材料）制备方法。物理气相沉积 化学气相沉积（chemical vapor deposition,CVD）是经由气态的先驱物，通过气相原子、分子间的化学反应，生成薄膜（及其他材料）的技术手段。化学气相沉积n n使用固态或熔融态的物质作为沉积过程的源物质使用固态或熔融态的物质作为沉积过程的源物质n n源物质经过物理过程进入气相源物质经过物理过程进入气相n n在气相中及在衬底表面并不发生化学反应在气相中及在衬底表面并不发生化学反应n n使用相对较低的气体压力环境使用相对较低的气体压力环境低压低压PVDPVD环境下：环境下：

3、uu其他气体分子的散射作用较小，气相分子的运动其他气体分子的散射作用较小，气相分子的运动路径为一直线；路径为一直线；uu气相分子在衬底上的沉积几率接近气相分子在衬底上的沉积几率接近100%100%物理气相沉积方法的特点蒸发法的显著特点之一是其较高的背底真空度。在较高的真空度下：u不仅蒸发出来的物质原子或分子具有较长的平均自由程，可以直接沉积到衬底表面上;u且还可以确保所制备的薄膜具有较高的纯净度。真空蒸发法的特点薄膜蒸发沉积装置的示意图uu装置的主要组成：真空环境、蒸发源、衬底装置的主要组成：真空环境、蒸发源、衬底uu原则上，真空度应越高越好（原则上，真空度应越高越好（1010-5-5PaPa

4、）元素的平衡蒸气压随温度的变化曲线上的点标明的是相应元素的熔点元素的平衡蒸气压随温度的变化lgpe(Pa)=+14.533-0.999lgT-3.5210-6T 由克劳修斯-克莱普朗(Clausius-Clapeyron)方程有如，液态Al的平衡蒸气压就满足关系式元素的平衡蒸气压随温度的变化曲线上的点标明的是相应元素的熔点 为一个介于 01 之间的系数；pe 和ph 是元素的平衡蒸气压和实际分压。当=1，且ph=0 时，蒸发速率 取得最大值 由此，可以计算物质的蒸发、沉积速率 当元素的分压低于其平衡蒸气压时，元素发生净蒸发。反当元素的分压低于其平衡蒸气压时，元素发生净蒸发。反之，元素发生净沉积

5、。蒸发时之，元素发生净沉积。蒸发时,单位表面上元素的净蒸发速率单位表面上元素的净蒸发速率(物质通量物质通量)等于等于元素的蒸发速率(物质通量)（原子（原子/cm/cm2 2 s s）由于元素的平衡蒸气压随温度的增加很快，因而对元素蒸发速率影响最大的因素是蒸发源所处的温度元素的质量蒸发速率 元素蒸发速率的另一种表达形式为单位表面上元素的元素蒸发速率的另一种表达形式为单位表面上元素的质量质量蒸发速率蒸发速率（g/cmg/cm2 2 s s）根据物质的特性,物质的蒸发有两种类型:uu 在在低低于于熔熔点点时时，元元素素的的蒸蒸气气压压已已较较高高(如如CrCr、TiTi、MoMo、FeFe、SiSi

6、等等)。此此时时，直直接接利利用用由由固固态态物物质质的的升华升华现象，即可实现元素的热蒸发现象，即可实现元素的热蒸发uu 即即使使是是到到了了元元素素的的熔熔点点以以上上，其其平平衡衡蒸蒸气气压压也也低低于于1010-1-1PaPa。此此时时，需需要要将将物物质质加加热热到到其其熔熔点点以以上。大多数金属的热上。大多数金属的热蒸发蒸发属于这种情况属于这种情况石石墨墨没没有有熔熔点点，而而其其升升华华温温度度又又很很高高，因因而而多多利利用用石墨电极的石墨电极的放电放电过程来使碳元素发生热蒸发过程来使碳元素发生热蒸发元素的蒸发 一般认为，纯元素多是以单个原子、但有时也可能是以原子团的形式蒸发进

7、入气相的。比如：Cu,As2元素蒸发时的形态化合物的热蒸发GaAs的情况化合物也多是以单个原子、但也有可能以分子的状化合物也多是以单个原子、但也有可能以分子的状态蒸发进入气相。这取决于原子间结合力的强弱态蒸发进入气相。这取决于原子间结合力的强弱化合物的热蒸发u在化合物的蒸发过程中，蒸发出来的物质蒸气可能具有完全不同于其固态源物质的化学成分，如SiO2 SiOx,x=02。u另外，气相分子还可能发生一系列的化合与分解过程。u这些现象的直接后果是沉积后的薄膜成分可能偏离化合物原来化合物的化学组成!化合物热蒸发的微观过程过程类型过程类型 化学反应化学反应 实例实例 注释注释无分解蒸发无分解蒸发 MX

8、(sMX(s或或l)l)MX(gMX(g)SiO)SiO2 2,B,B2 2O O3 3,薄膜成分与薄膜成分与原原 AlNAlN,CaF,CaF2 2 始成分始成分相同相同固态或液态分解蒸发固态或液态分解蒸发 MX(s)MX(s)M(s)+(1/2)XM(s)+(1/2)X2 2(g)Ag(g)Ag2 2S,AgS,Ag2 2Se Se 沉积物化学沉积物化学成成 MX(s)MX(s)M(l)+(1/M(l)+(1/n n)X)Xn n(g)III-V(g)III-V化合物化合物 分发生分发生偏离偏离 需使用独立的需使用独立的 蒸发源蒸发源气态分解蒸发气态分解蒸发n n 硫属化合物硫属化合物 M

9、X(s)MX(s)M(g)+(1/2)XM(g)+(1/2)X2 2(g)(g)CdSCdS,CdSeCdSe 同上同上n n 氧化物氧化物 MOMO2 2(s)(s)MO(g)+(1/2)OMO(g)+(1/2)O2 2 SiO SiO2 2,TiO,TiO2 2 沉积物沉积物缺氧缺氧；可在氧气氛中可在氧气氛中 沉积沉积合金中各元素的热蒸发p合金中原子间的结合力小于在化合物中不同原子间的结合力。p因而，合金中各元素的蒸发过程可以被近似视为是各元素相互独立的蒸发过程，就像它们在纯元素蒸发时的情况一样。p即使如此，合金在蒸发和沉积过程中也会产生成分的偏差。合金中各元素的热蒸发 例如，当例如，当A

10、BAB二元合金组成理想溶液时二元合金组成理想溶液时,由拉乌尔由拉乌尔(RaoultRaoult)定律，合金中组元定律，合金中组元B B的平衡蒸气压的平衡蒸气压p pB B将正比于将正比于纯组元纯组元B B的平衡蒸气压的平衡蒸气压p pB B(0)(0)和该组元的摩尔分数和该组元的摩尔分数x xB B p pB B=x xB B p pB B(0)(0)因而，因而，A A、B B两组元的蒸气压之比两组元的蒸气压之比 p pA A/p pB B=x xA Ap pA A(0)/(0)/x xB Bp pB B(0)(0)或或,两组元蒸发速度之比两组元蒸发速度之比都都将不同于合金中的组元之比将不同于

11、合金中的组元之比 合金组元的蒸气压之比一般都要偏离合金的原合金组元的蒸气压之比一般都要偏离合金的原始成分始成分。当组元。当组元A A与其他组元的吸引作用力较小时，与其他组元的吸引作用力较小时，它将拥有较高的蒸气压；反之，其蒸气压将相对较它将拥有较高的蒸气压；反之，其蒸气压将相对较低。低。当需要制备的薄膜成分已知时，由上式可以确当需要制备的薄膜成分已知时，由上式可以确定所需要使用的合金蒸发源的成分。比如，已知在定所需要使用的合金蒸发源的成分。比如，已知在1350K1350K的温度下，的温度下，AlAl的蒸气压高于的蒸气压高于CuCu，因而为了获，因而为了获得得Al-2%CuAl-2%Cu成分的薄

12、膜，需要使用的蒸发源的大致成分的薄膜，需要使用的蒸发源的大致成分应该是成分应该是Al-13.6%CuAl-13.6%Cu。但当组元差别很大时，这。但当组元差别很大时，这一方法就失去了可行性。一方法就失去了可行性。合金中各元素的热蒸发 对于初始成分确定的蒸发源来说，由上式确定的对于初始成分确定的蒸发源来说，由上式确定的组元蒸发速率之比将随着时间而发生变化组元蒸发速率之比将随着时间而发生变化:易于蒸发易于蒸发的组元的优先蒸发将造成该组元的不断贫化，进而造的组元的优先蒸发将造成该组元的不断贫化，进而造成该组元蒸发速率的不断下降。成该组元蒸发速率的不断下降。解决这一问题的办法解决这一问题的办法合金中各

13、元素的热蒸发n n使用较多的物质作为蒸发源，即尽量减小组元成分的相使用较多的物质作为蒸发源，即尽量减小组元成分的相 对变化对变化n n采用向蒸发容器中不断地、但每次仅加入少量被蒸发物质采用向蒸发容器中不断地、但每次仅加入少量被蒸发物质的方法，即使得少量蒸发物质的不同组元能够实现瞬间的的方法，即使得少量蒸发物质的不同组元能够实现瞬间的同步蒸发同步蒸发n n利用加热至不同温度的双蒸发源或多蒸发源的方法，分别利用加热至不同温度的双蒸发源或多蒸发源的方法，分别控制和调节每个组元的蒸发速率控制和调节每个组元的蒸发速率(所谓所谓三温度法三温度法)MBE growth for the process A+B

14、2=AB2合金中各元素的热蒸发 在物质蒸发的过程中，在物质蒸发的过程中，被蒸发原子的运动具有明被蒸发原子的运动具有明显的方向性显的方向性。并且，蒸发原子运动的方向性对被沉积。并且，蒸发原子运动的方向性对被沉积的薄膜的均匀性会产生重要的影响。的薄膜的均匀性会产生重要的影响。物质的蒸发源可以有不同的形态。距衬底较远、物质的蒸发源可以有不同的形态。距衬底较远、尺寸较小的蒸发源可以被认为是尺寸较小的蒸发源可以被认为是点蒸发源点蒸发源。此时，可。此时，可设想被蒸发出的物质是由表面积为设想被蒸发出的物质是由表面积为A Ae e的小球面上均匀的小球面上均匀地发射出来的，蒸发出来的物质总量地发射出来的，蒸发出

15、来的物质总量MMe e等于等于 MMe=e=A Ae e t t 其中其中 是物质的质量蒸发速度，是物质的质量蒸发速度，d dA Ae e为蒸发源的表面为蒸发源的表面积元，积元，t t 为蒸发时间。为蒸发时间。薄膜沉积的方向性和均匀性点蒸发源的示意图d dAcAc为衬底的面元，为衬底的面元，为沉积面元的夹角为沉积面元的夹角其中，其中，是衬底表面法线与空间角方向间的偏离角度，是衬底表面法线与空间角方向间的偏离角度，r r 是蒸发源与衬底之间的距离。是蒸发源与衬底之间的距离。在上述的蒸发总量中，只有那些运动方向处于衬底在上述的蒸发总量中，只有那些运动方向处于衬底所在空间角内的蒸发原子才会落在衬底上

16、。由于已经假所在空间角内的蒸发原子才会落在衬底上。由于已经假设蒸发源为一点源，因而衬底面积元设蒸发源为一点源，因而衬底面积元d dA Ae e上沉积的物质量上沉积的物质量取决于其对应的空间角大小，即取决于其对应的空间角大小，即衬底上沉积的物质的质衬底上沉积的物质的质量密度为量密度为薄膜沉积的方向性和均匀性 显然，薄膜的沉积速率将与距离r 的平方成反比，并与衬底和蒸发源之间的方向夹角 有关。当=0、r 较小时，沉积速率较大薄膜沉积的均匀性面蒸发源的示意图 物质蒸发源的另一种极端情况是面蒸发源物质蒸发源的另一种极端情况是面蒸发源面蒸发源时，衬底面积元面蒸发源时，衬底面积元d dA Ae e上沉积的

17、物质量为上沉积的物质量为面蒸发源时薄膜沉积的均匀性其中，其中，MeMe是面源的物质蒸发总量。影响薄膜沉积速度是面源的物质蒸发总量。影响薄膜沉积速度的参数中又增加了一个与蒸发源平面法线间的夹角的参数中又增加了一个与蒸发源平面法线间的夹角，即假设了面源蒸发的方向性遵从余弦关系。即假设了面源蒸发的方向性遵从余弦关系。实际面源情况下薄膜沉积速率随角度 的变化 呈cosn函数型，n1，表明蒸发源发出的物质具有明显的方向性 在蒸发沉积方法中常使用的克努森盒在蒸发沉积方法中常使用的克努森盒(Knudsen(Knudsen cell)cell)，相当于一个面蒸发源。它是在一个，相当于一个面蒸发源。它是在一个高

18、温坩埚的高温坩埚的上部开一个直径很小的小孔上部开一个直径很小的小孔。在坩埚内，物质的蒸气。在坩埚内，物质的蒸气压近似等于其平衡蒸气压；而在坩埚外，仍保持着较压近似等于其平衡蒸气压；而在坩埚外，仍保持着较高的真空度。与普通的面蒸发源相比，它具有较小的高的真空度。与普通的面蒸发源相比，它具有较小的有效蒸发面积，因此它的蒸发速率较低。但其蒸发束有效蒸发面积，因此它的蒸发速率较低。但其蒸发束流的方向性较好。最为重要的是，流的方向性较好。最为重要的是，克努森盒的温度以克努森盒的温度以及蒸发速率可以被控制得极为准确及蒸发速率可以被控制得极为准确。薄膜沉积的克努森盒蒸发源的几种不同形式 以坩埚作为蒸发容器的

19、蒸发源的一般情况如图所以坩埚作为蒸发容器的蒸发源的一般情况如图所示。坩埚蒸发源的蒸发速率、蒸发束流的方向性示。坩埚蒸发源的蒸发速率、蒸发束流的方向性等介于克努森盒与自由蒸发源之间。等介于克努森盒与自由蒸发源之间。点源与面源情况下薄膜相对沉积速率与衬底距离与尺寸的关系 在同时需要蒸发沉积的样品较多、而每个样品的尺寸相对较小的时候，可改变衬底的放置方式来改善样品间薄膜厚度的均匀性。此时,可将面蒸发源和衬底表面同处在一个圆周上。使与蒸发源较远的衬底处于较有利的空间角度，而较近的衬底处于不利的角度位置，因而使得所沉积的薄膜的厚度与角度 或 无关。提高蒸发沉积薄膜的厚度均匀性可采取的衬底放置方法 提高蒸

20、发沉积薄膜的厚度均匀性可采取的衬底放置方法 同时变动r、和 n n加大蒸发源到衬底表面的距离（牺牲沉积速率和纯度）n n利用转动衬底的方法提高蒸发沉积薄膜的厚度均匀性的其他措施 在蒸发法中在蒸发法中,一般真空度均较高一般真空度均较高,被蒸发物质的被蒸发物质的原子、分子一般是处于分子流的状态。因此原子、分子一般是处于分子流的状态。因此,当蒸发当蒸发源与衬底之间存在某种障碍物的时候源与衬底之间存在某种障碍物的时候,沉积的过程将沉积的过程将会产生会产生阴影效应阴影效应,即蒸发来的物质将被障碍物阻挡而即蒸发来的物质将被障碍物阻挡而不能沉积到衬底上。不能沉积到衬底上。蒸发沉积过程的阴影效应可能会破坏薄膜

21、沉积的蒸发沉积过程的阴影效应可能会破坏薄膜沉积的均匀性均匀性,甚至造成有些部位没有物质的沉积。另一方甚至造成有些部位没有物质的沉积。另一方面面,我们也可以在蒸发沉积的时候我们也可以在蒸发沉积的时候,有目的地使用一有目的地使用一些特定形状的掩膜些特定形状的掩膜,从而实现薄膜的从而实现薄膜的选择性沉积选择性沉积。薄膜沉积的阴影效应和选择性沉积薄膜沉积的阴影效应(a)以及利用掩膜进行薄膜的选择性沉积(b)在蒸发沉积的情况下，薄膜的纯度取决于：n n 蒸发源物质的纯度n n 加热装置、坩埚等可能造成的污染n n 真空系统中残留的杂质气体前面两个因素的影响可以依靠使用高纯物质作为蒸发源、改善蒸发装置的设

22、计而得以避免，而后一个因素则需要从改善设备的真空条件入手来加以解决。薄膜纯度的影响因素 假设在沉积的过程中，残余气体的分子和蒸发物质的原子假设在沉积的过程中，残余气体的分子和蒸发物质的原子将分别射向衬底，并可能同时沉积在衬底上。因此，蒸发物质将分别射向衬底，并可能同时沉积在衬底上。因此，蒸发物质原子的沉积速率正比于蒸发源的蒸发速率，污染源的沉积速率原子的沉积速率正比于蒸发源的蒸发速率，污染源的沉积速率正比于污染气体的压力正比于污染气体的压力真空度对蒸发法制备的薄膜纯度的影响真空中的氧分压（Pa）薄膜的沉积速率（nm/s）0.1 11010010-710-510-310-110-310-1101

23、00010-410-2110010-510-310-11010-610-410-21 提高薄膜的沉积速率和真空度，均有助于提高薄膜纯度提高薄膜的沉积速率和真空度，均有助于提高薄膜纯度蒸发沉积技术的种类uu 电阻热蒸发uu 电子束热蒸发uu 电弧热蒸发uu 激光束热蒸发uu 空心阴极热蒸发电阻式热蒸发装置 特点：特点：n装置简单，应用广泛装置简单，应用广泛n需要针对不同的被蒸发材料选择加热材料和方法需要针对不同的被蒸发材料选择加热材料和方法n加热温度不能过高，易产生电阻丝等加热材料的污染加热温度不能过高，易产生电阻丝等加热材料的污染电子束蒸发装置的示意图 特点：n 蒸发温度高n 污染小，适用于高

24、纯、难熔物质的蒸发n 热效率较低n 导致产生一定的辐射电弧蒸发装置的示意图 特点：n 设备简单n 加热温度高，适用于难熔金属、石墨的蒸发n 可避免电阻、坩埚材料的污染n 可控制性较差n 在放电过程中易产生电极颗粒的飞溅，影响薄膜 的均匀性激光蒸发装置的示意图 特点：n污染小n加热温度高n过程容易控制n特别适于蒸发复杂成分的合金或化合物n光子瞬间内将能量传递给被蒸发物质，粒子能量高于普通蒸发方法n需要特殊的窗口材料n易产生物质颗粒的飞溅n设备较为复杂，难于大规模使用空心阴极蒸发装置的示意图 特点:n大电流、高速率n被蒸发出来的物质原子被大量离化n要维持110-2Pa的气体压力n易产生阴极损耗和蒸

25、发物质的飞溅蒸发法的优点n方法和设备可以相对简单n较高的沉积速度（数十m/小时）n相对较高的真空度和薄膜纯度蒸发法的缺点n蒸发粒子的能量相对较低蒸发薄膜沉积法的优点与缺点蒸发粒子的能量与物质键合能的比较 能量项能量数值（eV）蒸发粒子动能 300K时 2200K时物质的键合能 Si-Si固体键合能 N-N气体分子键合能0.0380.283.299.83两者相比，可看到蒸发法时，沉积粒子的能量偏低例一：分子束外延方法制备-FeSi2/Si薄膜二极管1.5m发光器件器件的层状结构 (a)器件A，(b)器件BY.Ugajin,T.Sunohara,T.Suemasu,Investigation of

26、 currentinjection in FeSi2/Si double-heterostructures light-emitting diodes by molecular beamepitaxy,Thin Solid Films(2007)p|n结结分子束外延-FeSi2/Si薄膜二极管发光器件的制备u使用离子泵支持的MBE系统，在n-Si(111)衬底上制备 p-Si/p-FeSi2/p-Si/n-Si结构的层状结构u使用电子束加热的Si、Fe 蒸发源uSi(111)衬底高真空清洁处理：850C30分钟u450C生长200-nm p-Si，热处理 1000C10分钟 （样品A不进行此项

27、处理）u750C生长90-nm 110/101 取向的 p-FeSi2 u500C生长500-nm p-Siu700C生长200-nm B搀杂的 p+-SiuN2中800C 14 小时器件热处理-FeSi2/Si薄膜器件的X-射线衍射曲线Highly 110/101-oriented-FeSi2 was formed in both samples.77K 温度下-FeSi2/Si薄膜器件的光发射谱EL of-FeSi2 is dominant in sample A,and Si-related EL is intense in sample B.FeSi2 不同温度下-FeSi2/Si薄膜

28、器件的I-V 曲线High-quality Si p-n junction in sample B improves the electron injection into-FeSi2(higher turn-on voltage),and thus significant EL enhancement will be obtained.第二讲 小结n n薄膜材料可使用在高真空环境下进行的热蒸发、薄膜材料可使用在高真空环境下进行的热蒸发、电子束蒸发等多种不同的蒸发法制备，其最主要电子束蒸发等多种不同的蒸发法制备，其最主要的优点是可以保持薄膜的高纯度和高的沉积速率的优点是可以保持薄膜的高纯度和高

29、的沉积速率n n蒸发法在沉积化合物以及合金薄膜时会遇到成分蒸发法在沉积化合物以及合金薄膜时会遇到成分不易控制的问题不易控制的问题n n薄膜沉积的均匀性是蒸发法必须考虑的一个问题薄膜沉积的均匀性是蒸发法必须考虑的一个问题n n在利用蒸发法制备薄膜时，其粒子的能量相对较在利用蒸发法制备薄膜时，其粒子的能量相对较低低基本概念复习u掌握物理气相沉积、化学气相沉积技术各自的特点。u列举真空蒸发法装置的组成。u熟悉元素、化合物、合金等不同物质粒子蒸发时的行为特点；列举使蒸发法不宜被用于合金或化合物薄膜制备的主要原因。u熟悉影响蒸发法薄膜沉积时影响薄膜沉积均匀性的因素。u各种真空蒸发方法薄膜沉积的设备和各方法的优点与缺点。u估算1200K时Al原子的动能。