第九章-功率MOSFET结构介绍ppt课件.ppt
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1、第九章 功率MOSFET结构介绍l9.1 横向双扩散MOSFET(LD-MOSFET)l9.2 垂直功率MOSFET(VV MOSFET)l9.3 垂直漏U-MOSFET(VU-MOSFET)l9.4 垂直双扩散MOSFET(VD MOSFET)l9.5 绝缘栅晶体管(IGBT)9.1 横向双扩散MOSFET(LD-MOSFET)N沟LD-MOS结构示意图l是平面工艺,双扩散或双离子注入法制作的MOS器件l首先在N-硅片或N-外延层上进行P型硼扩散或硼注入,形成沟道。l然后用磷扩散,或用磷、砷离子注入形成N+型的漏源区。并同时控制沟道的长度L。LD-MOSFET特点l沟道的长度由两次扩散的横向
2、结深之差决定,可以控制在1m以下。l特点:具有高增益、高跨导,频率响应特性好l由于沟道长度缩小,使宽长比W/L增加,电流容量大。l由于在漏区和沟道区间引入了承受电压的N-漂移区,所以击穿电压高l它的各个极均从表面引出,便于集成时与其它元器件相连。l缺点:管芯占用面积太大,硅片表面利用率不高,器件的频率特性也受到影响。9.2 垂直功率MOSFET(VVMOSFET)VVMOSFET结构图l为解决LDMOS的不足,推出VVMOSl是一种非平面型的MOS器件。l将漏区、漂移区和沟道区从硅片表面分别转移到硅片的底部和体内。l对每个V形槽有两条沟道,因此管芯占用的硅片面积大大地缩小。l这不仅大大地提高了
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