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1、-第一章二极管及整流电路练习题-第 3 页晶体二极管及整流电路练习题一、选择题:1、PN结外加正向电压时,其空间电荷区( )。A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定2、PN结外反正向电压时,其空间电荷区( )。A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定3、当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的( ) A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时,其内电场被( )。A.削弱 B.增强 C.不变 D.不确定5、以下所列器件中,( )器件不是工作在反偏状态的。A、光电二极管 B、发光二
2、极管 C、变容二极管 D、稳压管6、稳压二极管稳压时,其工作在( ), A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D.不确定7、发光二极管发光时,工作在( )。A正向导通区 B反向截止区 C反向击穿区 D不确定8、当温度升高时,二极管反向饱和电流将( ) A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 等于零9、稳压二极管是利用PN结的( )。A.单向导电性 B.反向击穿性 C.电容特性 D.正向特性10、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于( )。A.反向偏置击穿状态 B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态 D.正向偏置未导通状态11、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏
3、,好的管子应为( )。A. 正、反向电阻相等 B. 正向电阻大 ,反向电阻小C. 反向电阻比正向电阻大很多倍 D. 正、反向电阻都等于无穷大12、电路如下图所示,设二极管D1,D2,D3 的正向压降忽略不计,则输出电压uO =( )。 A . 2V B. 0V C. 6V D. 12V二、判断题:13、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )23、本征半导体温度升高后,自由电子数目增多,空穴数基本不变。( )24、P型半导体中的多数载流子是空穴,因此,P型半导体带正电。( )25、本征半导体不带电,P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。( )26、N型半导体中的多数载流子是空穴,
4、少数载流子是自由电子。( )27、P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。( )28、二极管的反向偏置电压升高时,其正向电阻增大。()29、二极管的反向偏置电压升高时,其正向电阻增大。( )30、小功率晶体二极管2CP12的正向电流在20mA的基础上增加1倍,它的两端压降也增加1倍。( )三、填空题:13、根据是否掺入杂质,半导体可分为 半导体和 半导体两大类。14、PN结是靠多数载流子的 运动和少数载流子的 运动形成的。15、 PN结中内电场阻止 的扩散,推动 的漂移运动。16、二极管的特性是 ,场效应管是 控制型器件。17、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量,若两次读数
5、都为,则此二极管_;若两次读数都接近零,则此二极管_;若读数一次很大,一次读数小,则此二极管_。18、设如右图电路中, D1为硅二极管, D2为锗二极管, 则D1处于 状态, D2处于 状态, 输出电压Uo为 伏。19、二极管最主要的特性是 。20、.在选用整流二极管时,主要应考虑参数 、 。21、整流二极管的整流作用是利用PN结的 特性,稳压管的稳压作用是利用PN结的 特性。四、分析作图题:31、电路如图(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ3V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。32、 需要一单相桥式整流电容滤波电路,电路如图4-16所示。交流电源频率Hz,负载电阻RL=120,要求直流电压Vo=30V试选择整流元件及滤波电容。CvoRLv2图4-16 例4-3的图33、上题图所示的单相桥式整流、电容滤波电路。用交流电压表测得变压器副边电压V2 = 20V。现在用直流电压表测量RL两端的电压Vo,如果出现下列几种情况时,试分析哪些是合理的?哪些表明出了故障?并指出原因。(1)Vo = 28V;(2)Vo = 24V;(3)Vo = 18V;(4)Vo = 9V
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