《弱光信号检测》.ppt
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1、第二章第二章 光辐射探测器光辐射探测器2.2 真空光电探测器真空光电探测器2.2.1 光电子发射与光电阴极光电子发射与光电阴极2.2.2 光电倍增管原理及结构光电倍增管原理及结构2.2.3 光电倍增管的基本特性光电倍增管的基本特性2.2.4 光电倍增管的使用光电倍增管的使用2.2.1 光电子发射与光电阴极光电子发射与光电阴极基本规律:1)斯托列托夫定律(光电发射第定律)发射的光电流与入射光强(或光通量)成正比IK=SK SK:灵敏度2)爱因斯坦定律(光电发射第二定律)光电子的最大动能与光强无关,随入射光频率的增加而线性增加光电子发射过程光电子发射过程吸收光子光电子向表面运动克服表面势垒逸出时间
2、很短10-12s绝对零度时光电子逸出表面所需的最低能量光电逸出功W光电子发射光电子发射 金属的光电子发射金属的光电子发射 金属中自由电子的能量服从费米分布。T=0K时,能量最大的电子处在费米能级EF上,即E=EF。从金属表面逸出的光电子所具有的动能为:E:电子在向表面运动过程中的各种散射能量损失E0E=0,EA:表面势垒光电子发射光电子发射 金属的光电子发射金属的光电子发射 金属逸出功T0K时,部分电子的能量比费米能级高E曲线在0后有一拖尾(黄线)爱因斯坦定律只在T=0K时正确由于金属中能量比费米能级高的电子很少,曲线在0后拖尾很小,因此一般认为爱因斯坦定律在室温下成立。光电子发射光电子发射
3、半导体的光电子发射半导体的光电子发射 性能比较:金属 逸出功高,表面反射强,对光辐射的吸收率低,存在大量电子,散射能量损失半导体逸出功小,量子效率高,表面反射小,吸收系数大,表面、体内光电效应散射能量损失小体内存在大量发射中心(价带中有大的电子密度)现代光电阴极多采用半导体材料光电子发射光电子发射 半导体的光电子发射半导体的光电子发射 吸收光子吸收光子光电子向表面运动光电子向表面运动本征吸收杂质吸收自由载流子吸收价带上的电子杂质能级上的电子自由电子20-30%1%微不足道与价带上电子的碰撞,电离,产生二次电子空穴对,损失能量大,禁带宽度Eg的2-3倍晶格散射,能量损失小,逸出深度大自由电子散射
4、忽略不计光电子发射光电子发射 半导体的光电子发射半导体的光电子发射 克服表面势垒逸出克服表面势垒逸出本征半导体杂质半导体半导体光电逸出功由两部分组成:重掺杂p型半导体重掺杂n型半导体电子从发射中心激发到导带所需的最低能量电子从导带底逸出表面所需的最低能量(即电子亲和势)2.2.1 光电子发射与光电阴极光电子发射与光电阴极光电阴极光吸收系数大;一个良好的光电发射材料应具备下述条件:光电子在体内传输过程中能量损失小,使逸出深度大;表面势垒低(电子亲和势低),使表面逸出几率大。2.2.1 光电子发射与光电阴极光电子发射与光电阴极光电阴极光电阴极多是由化合物半导体材料制作对于金属,上面三个条件都不满足
5、。大多数金属光电阴极的光谱响应都在紫外或远紫外区,只能适应对紫外灵敏的光电器件。量子效率比金属大得多、而光发射波长延伸至可见光和近红外 2.2.1 光电子发射与光电阴极光电子发射与光电阴极光电阴极倍增管光谱特性的长波阈值决定于光电阴极材料,同时对整管灵敏度也起着决定性作用。负电子亲和势(NEA)可见、红外 均匀 高锑铯(CsSb)光谱窄,红光、红外不灵敏 20-30%铋银氧铯(Bi-Ag-O-Cs)光谱响应 人眼 10%多碱 可见光 均匀 25%银氧铯(Ag-O-Cs)可见、红外 1%表征光电阴极的主要参数有:灵敏度、量子效率、光谱响应、暗电流 2.2.1 光电子发射与光电阴极光电子发射与光电
6、阴极光电阴极锑化物光电阴极负电子亲和势光电阴极2.2.2光电倍增管原理及结构光电倍增管原理及结构一、基本结构一、基本结构加了二次倍增系统的光电管光电倍增管(PhotoMultiplierTube),简称PMT。它是一种真空光电器件,主要由光入射窗口、光电阴极、电子光学系统、倍增极和阳极组成。光窗光窗光窗分侧窗式和端窗式两种光电阴极结构光电阴极结构端窗式是通过端口端面接收入射光,它通常使用半透明光电阴极。侧窗式是通过管壳侧面接收入射光,它通常采用反射式阴极。光窗材料光窗材料PMT的短波灵敏度和光谱响应特性都受到窗口材料的限制钠钙玻璃硼硅玻璃紫外玻璃熔凝石英氟镁玻璃电子光学系统电子光学系统电子光学
7、系统主要有两方面的作用:一一是使光电阴极发射的光电子尽可能汇聚到第一倍增极上,而将杂散热电子散射掉,提高信噪比。二二是使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中渡越的时间尽可能相同,以保证PMT的快速响应。二、工作原理二、工作原理KD光子透过入射窗口射在光电阴极上,光电阴极受激发,发射一次电子。然后经电子光学系统聚焦射在第一倍增极上,激发出更多的二次电子。经N级倍增极倍增,光电流就放大N次。二次电子由阳极收集,形成阳极电流。三、倍增极1.倍增极材料 2.2.2光电倍增管原理及结构光电倍增管原理及结构PMT的倍增功能主要是由电子倍增极完成的,光电阴极发射出的一次电子轰击倍增极,从而激发出数量更多
8、的二次电子。不同材料发射二次电子的能力是不一样的,为表征这种能力,我们定义二次电子发射系数二次电子发射过程:2.2.2光电倍增管原理及结构光电倍增管原理及结构光电性能良好的材料也是良好的二次发射体光电性能良好的材料也是良好的二次发射体材料吸收一次电子的能量,激发体内电子到高能态,这些被激电子称为内二次电子部分内二次电子向表面运动,在运动过程中因散射而损失能量如果到达界面的内二次电子仍有足以克服表面势垒的能量,即逸出表面成为二次电子2.倍增极的结构倍增极的结构 2.2.2光电倍增管原理及结构光电倍增管原理及结构PMT单极多极聚焦型非聚焦型鼠笼式直列式百叶窗式盒栅式 2.2.2光电倍增管原理及结构
9、光电倍增管原理及结构聚焦型非聚焦型鼠笼式直列式百叶窗式盒栅式为了方便使用,将小型光电倍增管和低耗高压电源组合在一个模块里,用户只要准备一般的低压电源,就可以马上得到灵敏度高,动态范围大而且响应快的高性能光传感器。当半导体光电器件的灵敏度不够时,请选择PMT模块。2.2.3 光电倍增管的基本特性光电倍增管的基本特性1.灵敏度2.电流放大倍数(增益)3.伏安特性4.暗电流5.疲劳6.噪声7.时间特性8.磁场特性9.空间均匀性10.偏振效应11.PMTafterpulse1.灵敏度灵敏度灵敏度公式说明阴极灵敏度阴极光谱灵敏度SK()=IK/S:灵敏度:波长I:光电流:光通量下标K:阴极下标A:阳极阴
10、极积分灵敏度SK=IK/阳极灵敏度阳极光谱灵敏度SA()=IA/阳极积分灵敏度SA=IA/2.2.3 光电倍增管的基本特性光电倍增管的基本特性灵敏度一般包括光谱响应、阳极光照灵敏度和阴极光照灵敏度。阴极光照灵敏度和阳极光照灵敏度一般都在PMT参数表中标定,其测量原理图如下:灵敏度参数对于PMT是十分重要的。阴极的光谱响应取决于光电阴极和窗口的材料性质。阳极光谱响应曲线基本和阴极相同(仅差一个倍数)。值得一提的是:温度对于光电倍增管的影响非常大,以CsSb阴极和多碱阴极为例:2.2.电流放大倍数(增益)电流放大倍数(增益)阳极电流与阴极电流之比,或阳极灵敏度与阴极灵敏度之比Gm=IA/IK=SA
11、/SK 2.2.3 光电倍增管的基本特性光电倍增管的基本特性由于电子在传输过程中会有损失,Gm可由下式近似Gm=f(g)nf为第一倍增极对阴极发射电子的收集效率(通常f=0.9)g为倍增极间传递效率(聚焦型g=1,非聚焦型g1)n为倍增极个数为二次电子发射系数电流放大倍数设f=1,g=1,即阴极和倍增极发射的电子全被吸收GmnGm105108n=914对于锑化铯倍增极=0.2VD0.7Gm=0.2nVD0.7nVD极间电压对于银-镁倍增极=0.025VDGm=0.025nVDn 2.2.3 光电倍增管的基本特性光电倍增管的基本特性已知SK=20A/lm,Gm=105,额定Ia=200A求允许的
12、最大入射光通量SA=GmSK=2106(A/lm)=IA/SA=10-4(lm)已知阴极面积AK=2cm2,允许的最大入射照度E=/AK=0.5(lx)接近天顶的满月在地面所产生的照度为0.2lx 2.2.3 光电倍增管的基本特性光电倍增管的基本特性 2.2.3 光电倍增管的基本特性光电倍增管的基本特性3.伏安特性伏安特性当入射光通量一定时,阴极光电流(发射电流)IK和第一倍增极之间电压(阴极电压)VK的关系称为阴极伏安特性。阴极伏安特性阴极伏安特性 2.2.3 光电倍增管的基本特性光电倍增管的基本特性阳极伏安特性阳极伏安特性在电路设计时,一般使用阳极伏安特性曲线来进行负载电阻、输出电流、输出
13、电压的计算。当入射光通量一定时,阳极电流Ia和阳极电压(最后一极倍增极与阳极之间的电压)Va的关系称为阳极伏安特性。2.2.3 光电倍增管的基本特性光电倍增管的基本特性阳极伏安特性阳极伏安特性有一饱和区,Va=50V时,阳极电流趋于饱和饱和区内,光通量越大,达到饱和的电流越大曲线有很长的水平区,说明PMT是高内阻器件,有恒流源性质,可通过加大负载来得到大的输出电压曲线水平部分间隔均匀,说明PMT是良好的线性器件阳极电压非常大时,曲线略微下降。因为末二极的电子部分越过最后一极直接被阳极吸收使放大倍数下降。光电倍增管的输出信号和等效电路 2.2.3 光电倍增管的基本特性光电倍增管的基本特性C0:杂
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