模拟电子线路》第2章杨凌.ppt

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1、杨杨 凌凌 模模 拟拟 电电 子子 线线 路路 第第2 2章章第第2章章 半导体二极管及其基本电路半导体二极管及其基本电路2.0 引言引言 电路 器件 应用 Richard J.Valentine 摩托罗拉公司首席工程师摩托罗拉公司首席工程师 “分立半导体器件是大多数电子电路的基本构件分立半导体器件是大多数电子电路的基本构件,即使对于微即使对于微型计算机芯片这样的复杂集成电路器件型计算机芯片这样的复杂集成电路器件,也是由二极管和晶体管也是由二极管和晶体管构成的。工程师在开始设计电路之前构成的。工程师在开始设计电路之前,不管这个电路是一个普通不管这个电路是一个普通的的家用计算机电源家用计算机电源

2、,还是一个含有还是一个含有500万个晶体管的微处理器集成电万个晶体管的微处理器集成电路路,了解其中的单个元器件的工作原理是非常必要的。了解其中的单个元器件的工作原理是非常必要的。”2.0 引言引言 “每种类型的半导体设备都有其独特的性能每种类型的半导体设备都有其独特的性能,从而满足不同从而满足不同的电路要求的电路要求.学习这些特性能帮助电路设计着更快地选择正确学习这些特性能帮助电路设计着更快地选择正确的元器件的元器件.花时间学习每种分立半导体器件如何工作花时间学习每种分立半导体器件如何工作,以及它们以及它们与其他元件如何相互作用与其他元件如何相互作用,最终会得到回报的最终会得到回报的.”“任何

3、电子类职业都会涉及到半导体器件的应用甚至设计任何电子类职业都会涉及到半导体器件的应用甚至设计.掌握半导体器件的基本知识掌握半导体器件的基本知识,无论对于那些测试二极管、晶体无论对于那些测试二极管、晶体管以及微电路芯片的技工管以及微电路芯片的技工,还是那些将半导体器件设计到电子还是那些将半导体器件设计到电子设备中的工程师来说设备中的工程师来说,都是非常重要的都是非常重要的.”2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 半导体的导电率介于导体和绝缘体之间半导体的导电率介于导体和绝缘体之间(103109cm).硅硅(Si)和锗和锗(Ge)是常用的半导体材料是常用的半导体材料,它们广泛用于半导体器它们广

4、泛用于半导体器件件和集成电路中和集成电路中,其他半导体材料用在特殊的领域中其他半导体材料用在特殊的领域中,例如砷化镓例如砷化镓(GaAs)及其相关化合物用在特高速器件和光器件中及其相关化合物用在特高速器件和光器件中.一、本征半导体一、本征半导体 本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体.本征半导体呈电中性本征半导体呈电中性.2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子空穴图 2.1图 2.2本征本征激发激发2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 ni=pi=AT3/2eEg0/2kT （21）

5、3.881016cm3K3/2 （Si）1.761016cm3K3/2 （Ge）1.21 eV （Si）0.785 eV（Ge）k(玻尔兹曼常数)=8.63105 eV/K T ni，T=300K，ni(Si)1.51010cm3 ni(Ge)2.41013cm3;T(K)A=Eg0(禁带宽度)=2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 硅本征半导体中自由电子的浓度为硅本征半导体中自由电子的浓度为 1.51010cm3,看上看上去似乎很大去似乎很大,但和硅原子的浓度但和硅原子的浓度4.961022cm3相比还是很小相比还是很小的的.所以所以,本征半导体的导电能力很弱本征半导体的导电能力很弱(本

6、征硅的电阻率约为本征硅的电阻率约为2.2105cm).二、二、杂质半导体杂质半导体 掺有杂质的半导体称为掺有杂质的半导体称为杂质半导体杂质半导体.在掺杂过程中在掺杂过程中,通过通过控制自由电子和空穴的浓度控制自由电子和空穴的浓度,来控制半导体的导电性能来控制半导体的导电性能.杂质半导体依然呈电中性杂质半导体依然呈电中性.2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 1.N型半导体型半导体 多子多子:自由电子 少子少子:空穴+4+5+4+4+4P施主杂质施主杂质图 2.3+4+3+4+4+4B受主杂质受主杂质图 2.4 2.P型半导体型半导体 多子多子:空穴 少子少子:自由电子自由电子 2.1 半导

7、体的基本知识半导体的基本知识在热平衡条件下在热平衡条件下 n0 p0=ni 2 （22）N型半导体型半导体 n0=Nd+p0 Nd （23）Nd 施主原子浓度施主原子浓度.P型半导体型半导体 p0=Na+n0 Na （24）Na 受主原子浓度受主原子浓度.(1)掺杂后掺杂后,多子浓度都将远大于少子浓度多子浓度都将远大于少子浓度.且少量掺杂且少量掺杂,载流载流子子就会有几个数量级的增加就会有几个数量级的增加,即即导电能力显著增大导电能力显著增大.2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识(2)在杂质半导体中在杂质半导体中,多子浓度近似等于掺杂浓度多子浓度近似等于掺杂浓度,其值几乎与其值几乎与温度无

8、关温度无关(3)在杂质半导体中在杂质半导体中,少子浓度随温度升高而显著增大少子浓度随温度升高而显著增大.少子浓少子浓度的温度敏感性是导致半导体器件温度特性差的主要原因度的温度敏感性是导致半导体器件温度特性差的主要原因.三、两种导电机理三、两种导电机理漂移和扩散漂移和扩散 1.漂移和漂移电流漂移和漂移电流 在外加电场作用下在外加电场作用下,载流子将在热骚动状态下产生定向的运载流子将在热骚动状态下产生定向的运动动,这种定向运动称为漂移运动这种定向运动称为漂移运动,由此产生的电流称为漂移电流由此产生的电流称为漂移电流.2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识图 2.5+V -EII Jt=Jpt+J

9、nt=q(pp+nn)E=E （25）2.扩散和扩散电流扩散和扩散电流 因载流子的浓度差引起的载流子的定向运动称为扩散运因载流子的浓度差引起的载流子的定向运动称为扩散运动动,相应产生的电流称为扩散电流相应产生的电流称为扩散电流.2.1 半导体的基本知识半导体的基本知识N型硅半导体n0p0n(x)p(x)图 2.60 xJd=Jpd+Jnd （26）dp(x)Jpd=qDp dx dn(x)dn(x)Jnd=(q)Dn =qDn dx dx 由扩散运动产生的扩散电流是半导体区别于导体的一种由扩散运动产生的扩散电流是半导体区别于导体的一种特有的电流特有的电流.2.2 PN 结结 当当P区和区和N区

10、连接在一起构成区连接在一起构成PN结时结时,半导体的现实作用半导体的现实作用才才真正发挥出来真正发挥出来.一、一、PN结的形成结的形成 1.形成过程形成过程图 2.7空间电空间电 荷区荷区P+x=0NE耗尽层耗尽层(阻挡层阻挡层)2.2 PN 结结 阻碍多子扩散阻碍多子扩散载流子浓度差载流子浓度差多子扩散多子扩散空间电荷区空间电荷区 利于少子漂移利于少子漂移 形成一定厚度的形成一定厚度的PN结结 动态平衡动态平衡2.内建电位差内建电位差 NaNdVBVTln (27)ni2其中其中:VT26mVNaNdniVB2.2 PN 结结室温下室温下(T=300K)VB(Ge)0.20.3VVB(Si)

11、0.50.7V图 2.8xxnxpVP+NOVB3.阻挡层宽度阻挡层宽度 xn Nal0=xn+xp =(28)xp Nd2.2 PN 结结二二、PN结的伏安关系结的伏安关系 VF+图 2.9VBVFVl0P+NlxOVB图 2.10VB+VRVl0 VR +P+NlxOVB2.2 PN 结结1、正偏、正偏 l l0，IDIT IF2、反偏、反偏 ll0，ID IT ISOvD/VTiD/mAVBRIS(Si)(10910 16)AIS(Ge)(10610 8)A(Na、Nd)IS T IS 图 2.11PN结具有单向导电性结具有单向导电性.2.2 PN 结结ID=IS(e 1)VDVTVDV

12、TID ISe(29)(210)ID ID或 VD VTln =2.3 VTlg IS IS 3、V-I关系的数学表达式关系的数学表达式 I2 I1 I2 V2V1=2.3VTlg 2.3 VTlg =2.3VTlg (211)IS IS I1VD(on)0.7V (Si)VD(on)0.25V (Ge)当VDVD(on)时,PN结正向导通结正向导通.VD 每增加每增加60mV,ID将按将按10的幂次方迅速增大的幂次方迅速增大.2.2 PN 结结4、温度特性、温度特性 温度每升高10oC,IS约增加一倍.温度每升高1oC,VD(on)约减小2.5mV.当 VD0 且 VD VT时,0eVDVT

13、IDISTmax=(150200)oC (Si)(75100)oC (Ge)5、击穿特性、击穿特性 电击穿(可逆)热击穿(不可逆)雪崩击穿(低掺杂PN结,VBR6V)齐纳击穿(高掺杂PN结,VBR6V)2.2 PN 结结(1)、雪崩击穿、雪崩击穿PNPN结接电源负极接电源正极12231223图 2.12电子电子空穴空穴碰撞电离碰撞电离电子电子-空穴对空穴对碰撞电离碰撞电离电子电子-空穴对空穴对载流子倍增载流子倍增2.2 PN 结结(2)、齐纳击穿、齐纳击穿E(2105V/cm)电子电子-空穴对空穴对场致激发场致激发载流子剧增载流子剧增三、三、PN结的电容特性结的电容特性 1、势垒电容、势垒电容

14、CBP+NP+N图 2.13(a)势垒电容充电(b)势垒电容放电2.2 PN 结结 f且反偏时且反偏时,CB影响显著影响显著.2、扩散电容、扩散电容CD 正偏时正偏时,CD较大较大.3、结电容、结电容Cj Cj=CB+CD 正偏时正偏时,CjCD (几十几十pF到几千到几千pF)反偏时反偏时,CjCB (几几pF到几十到几十pF)xnxxpOpn0np0QsnQSP VF+P+N图 2.142.3 二极管二极管一、结构、分类、符号一、结构、分类、符号2.3 二极管二极管2.3 二极管二极管1、结构、结构点接触型点接触型:结面积小结面积小,极间电容小极间电容小,不能承受高的反向电压不能承受高的反

15、向电压和大的电流和大的电流,适于做高频检波和开关元件用适于做高频检波和开关元件用.2AP1 (IF=16mA,f=150MHz)面接触型面接触型:结面积大结面积大,极间电容也大极间电容也大,适于做整流用适于做整流用,但不宜但不宜用于高频电路中用于高频电路中.2CP1 (IF=400mA,f=3kHz)平面型平面型:集成电路中的常用形式集成电路中的常用形式.2、分类、分类2.3 二极管二极管 按材料分类按材料分类:硅管、锗管、砷化镓管等硅管、锗管、砷化镓管等;按用途分类按用途分类:检波二极管、开关二极管、特殊二极管等检波二极管、开关二极管、特殊二极管等;按工作频率分类按工作频率分类:高频管、低频

16、管等高频管、低频管等;按输出功率分类按输出功率分类:大功率管、中功率管、小功率等大功率管、中功率管、小功率等.3、符号、符号二、二、V-I特性特性OvD/VGeiD/mAiD/ASi图 2.162.3 二极管二极管2.3 二极管二极管三、主要参数三、主要参数 1、最大整流电流、最大整流电流IF 2、反向击穿电压、反向击穿电压VBR 3、反向电流、反向电流IR 4、极间电容、极间电容Cj 5、最高工作频率、最高工作频率f四、电路模型四、电路模型 1、理想模型、理想模型 2、恒压降模型、恒压降模型vD/VOiD/mA(a)vD/VOiD/mA(b)0.7V+2.3 二极管二极管3、折线模型、折线模

17、型4、小信号模型、小信号模型vD/VOiD/mA(c)Vth+RD(200)rdCjrd(d)图 2.19图 2.20OQiD/mAvD/VIDQ 1arctan rd2.3 二极管二极管 VTrd=(212)IDQ 五、特殊二极管五、特殊二极管 1、稳压二极管、稳压二极管 VZ、IZ、rZ、PZMIZIZminIZmaxiZ/mAOvZ/VVZ图 2.21 IDQ+IS IDQ=VT VTvD=VDQ2.3 二极管二极管3、发光二极管、发光二极管(LED)电信号电信号光信号光信号4、光电二极管、光电二极管光信号光信号电信号电信号在反向状态下运行在反向状态下运行2、变容二极管、变容二极管在高频

18、技术中应用较多在高频技术中应用较多.如如谐振回路的电调谐谐振回路的电调谐;压控振压控振荡器荡器;频率调制等频率调制等.502010 5 2 1C/pF0 5 10 15 20 25V/V图 2.222.3 二极管二极管图 2.235、激光二极管、激光二极管图 2.242.3 二极管二极管 激光二极管的物理结构是在发光二极管的节间安置一层激光二极管的物理结构是在发光二极管的节间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一因而形成一光谐振腔光谐振腔。在正偏时，。在正偏时，LED发出光来并与光谐振发出光来并与光谐振腔相

19、互作用，从而进一步激励从结上发射出来的单波长的光。腔相互作用，从而进一步激励从结上发射出来的单波长的光。同时光在光谐振腔中产生振荡并被放大，形成激光。同时光在光谐振腔中产生振荡并被放大，形成激光。激光二极管发射的主要是红外线，它在小功率光电设备激光二极管发射的主要是红外线，它在小功率光电设备中得到广泛应用，如计算机上的光盘驱动器，激光打印机中中得到广泛应用，如计算机上的光盘驱动器，激光打印机中的打印头等。的打印头等。2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路 一、整流电路一、整流电路 整流电路是二极管的一个重要应用整流电路是二极管的一个重要应用.整流是将正、负交整流是将正、负交替的交流电转化

20、为单一极性的直流电的过程替的交流电转化为单一极性的直流电的过程.负载二极管整流器滤波器稳压器变压器 交流电压源图图 2.25 小功率直流稳压电源的组成框图小功率直流稳压电源的组成框图2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路 1、半波整流、半波整流图图 2.26R+VDv2+vO(a)v2/Vt0vO/Vt0VOVm(b)v20，VD，vO=v2；v20，VD，vO=0.Vm 2 V2VO 0.45V2 (213)2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路 2、全波整流、全波整流图图 2.27+vORVD1+v2+v2VD2iD1iD2(a)(b)v2/Vt0vO/Vt0v20，VD1，V

21、D2，vO=v2；v20，VD1 ，VD2，vO=v2.VO 0.9V2 (214)2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路 3、桥式整流、桥式整流图图 2.28VD3RVD1+vi2VD2+vOVD4(a)(b)v2/Vt0vO/Vt0v20，VD1，VD3，VD2，VD4，vO=v2；v20，VD1，VD3，VD2，VD4，vO=v2.2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路 整流桥堆整流桥堆2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路 二、稳压电路二、稳压电路图图 2.29RIZRLILIR+VI+VOVSIZ=IRIL IZmin=IRmin ILmax (215)IZ=IRI

22、L IZmax=IRmax ILmin (216)IZmin IZ IZmax (217)RL ILIR VO IZ IRVO2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路 VIminVZ VZ VImaxVZ VZ Iz (218)R RLmin R RLmax VImaxVZ VIminVZ R (219)IZmax+ILmin IZmin+ILmax【例例2-1】试设计一稳压管稳压电路试设计一稳压管稳压电路,作为汽车用收音机的供作为汽车用收音机的供电电 电源。已知收音机的直流电源为电源。已知收音机的直流电源为9V,音量最大时需供给的功音量最大时需供给的功 率为率为0.5W。汽车上的供电电源

23、在。汽车上的供电电源在1213.6V之间波动。要求之间波动。要求 选用合适的稳压管选用合适的稳压管(IZmin、IZmax、VZ、PZM),以及合适的限以及合适的限流流 电阻电阻(阻值、额定功率阻值、额定功率)。2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路 【解解】由题意可画出稳压电路如图由题意可画出稳压电路如图2.30所示。所示。PLmax 0.5W ILmax=56mA VL 9V PLmax=VLILmaxRIZIR+VI+VZ=9V收音机收音机IL图图 2.30汽车汽车电源电源+VL取取R=47 VIminVZ 129R =0.049k=49 IZmin+ILmax 5+562.4 二

24、极管基本应用电路二极管基本应用电路三、低电压稳压电路三、低电压稳压电路 由于低电压的稳压管的稳压性能不够理想由于低电压的稳压管的稳压性能不够理想,所以在所以在34V以下以下,采用多只二极管串接采用多只二极管串接,以获得较好的稳压特性以获得较好的稳压特性.IZmax=IRmaxILmin=ILmin=0=98mA VImaxVZ R 13.69 47 PZM=VZIZmax=9V98mA=882mW PRM=VRmaxIRmax=(VImaxVZ).0.45W VImaxVZ R 宜选宜选47,1W的电阻的电阻.宜选宜选VZ=9V,IZmax=98mA,IZmin=5mA,PZM=0.882W的

25、稳压管的稳压管.2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路R+vD(a)(b)rdiD +VI (c)+vI +vD RVDiDVI+vD RiDvOVDvI图图 2.31VIID,VD vIiD,vD iD=ID+iD,vD=VD+vD2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路【例例2-2】在图在图2.31(a)所示的低电压稳压电路中所示的低电压稳压电路中,直流电源直流电源VI 的正常值为的正常值为10 V,R=10k,若若VI 变化变化1 V时时,问相应的硅问相应的硅 二极管的电压二极管的电压(输出电压输出电压)的变动如何的变动如何?【解解】VT 26rd=28 IDQ 0.93其中其

26、中:VIVD(on)I00.7IDQ=0.93mA R 10 rd 0.028vO=vD=vI=12.79mV R+rd 10+0.028vI=1 V vO=2.79mV 2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路四四、限幅电路限幅电路 限幅器用于消除信号中大于或小于某一特定值的部分限幅器用于消除信号中大于或小于某一特定值的部分.限幅器最简单的应用是在电子电路的输入端限制输入电压限幅器最简单的应用是在电子电路的输入端限制输入电压,以保证电路中的晶体管不被击穿以保证电路中的晶体管不被击穿.VOHVOLVIHVOVOVO(a)上限幅VIVILVIVILVOLVIVIHVOH(b)下限幅(c)双向

27、限幅图图 2.322.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路1、单向限幅、单向限幅VmvI/Vt0vO/Vt0V1+VD(on)vO/Vt0V1VD(on)+V1R+vI+vOVDvI=Vmsint V10 Vm V1vIV1+VD(on),VD,vO=V1+VD(on);vIV1+VD(on),VD,vO=vI.(a)R+V1+vI+vOVD(b)2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路 vIV1VD(on),VD,vO=vI;vIV1VD(on),VD,vO=V1VD(on).(c)(d)图 2.33ttVmvI/Vt0vO/V0(V1VD(on)vO/V0(V1+VD(on)R V

28、1+vI+vOVD V1+R+vI+vOVD2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路2、双向限幅、双向限幅(V2+VD(on)VmvI/Vt0vO/Vt0V1+VD(on)R+V1 V2+vI+vOVD1VD2图 2.34 设设vI=10sint(V),V1=V2=3V,试确定上图试确定上图(b)中的上中的上限幅值及下限幅值限幅值及下限幅值.(a)(b)2.4 二极管基本应用电路二极管基本应用电路五五、开关电路开关电路 二极管和电路中的其他元件连接在一起二极管和电路中的其他元件连接在一起,可完成逻辑运可完成逻辑运算功能算功能.如如“与与”、“或或”等等.vI1vI2VD1VD2vO0V0V

29、0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7V表 2.1VCC（5V）R=4.7kvI1vOVD1VD2vI2图 2.35章末总结与习题讨论章末总结与习题讨论一、本章小结一、本章小结1、熟悉半导体的基本概念、熟悉半导体的基本概念载流子载流子(电子、空穴电子、空穴)、P型半导型半导体、体、N型半导体、多子、少子、施主杂质、受主杂质等型半导体、多子、少子、施主杂质、受主杂质等;2、理解、理解PN结的形成机理结的形成机理.掌握掌握PN结的单向导电性结的单向导电性,了解其反了解其反向击穿特性和电容特性向击穿特性和电容特性.3、掌握、掌握PN的伏安关系及其数学表达式的伏安关系及其数学表达式;4

30、、熟悉二极管的结构、分类、符号及主要参数、熟悉二极管的结构、分类、符号及主要参数,了解几种常了解几种常用的特殊二极管用的特殊二极管(稳压管、发光二极管等稳压管、发光二极管等);5、掌握二极管电路的分析方法、掌握二极管电路的分析方法,要求采用合理的模型分析二要求采用合理的模型分析二章末总结与习题讨论章末总结与习题讨论 极管电路极管电路.6、熟悉常用的二极管应用电路、熟悉常用的二极管应用电路整流、稳压、限幅、整流、稳压、限幅、开关开关.二、例题讨论二、例题讨论【例例2-3】简单二极管基本电路如图简单二极管基本电路如图2.36所所 示示.对于下列两对于下列两种情况种情况,求电路的求电路的ID和和VD

31、的值的值:(1)VDD=10V;(2)VDD=1V.在每在每种情况下种情况下,应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解.【解解】(1)VDD=10V VD=0V,ID=1mA.VD=0.7V,ID=0.93mA.ID=0.931mA,VD=0.69V.VDD+VD R10kVDID图 2.36章末总结与习题讨论章末总结与习题讨论【例例2-4】分析图分析图2.37(a)所示的电路所示的电路.设电路中各参数如下设电路中各参数如下:VDD=5V,R=5k，VD(on)=0.6V,vi=0.1sint（V）.(2)VDD=1V VD=0V,ID=0.1mA.VD=0

32、.7V,ID=0.03mA.ID=0.049mA,VD=0.51V.+VDD +vi +vORVD 图 2.37 (a)【解解】分两步进行分析分两步进行分析:直流分析直流分析和和交流分析交流分析.(1)直流分析直流分析 VDDVD(on)50.6IDQ=0.88mA R 5章末总结与习题讨论章末总结与习题讨论 VO=IDQR=0.885=4.4V(2)交流分析交流分析 +vi +voRrd 图 2.37(b)VT 26rd=29.5 IDQ 0.88 vi 0.1sint id=19.9 sint(A)rd+R 0.0295+5vd=id rd=19.910629.5=0.59mVvo=id

33、R=99.5 sint(mV)二极管中的电压及电流波形如图二极管中的电压及电流波形如图2.37(c)所示所示.章末总结与习题讨论章末总结与习题讨论00vDidtiDIDQtVDQvd图 2.37 (c)【例例2-5】求图求图2.38(a)所示电路中的输出所示电路中的输出.为简单起见为简单起见,设两个设两个二二 极管的极管的Vth=0V,RD=0.【解解】(1)当当 0vI2V时，时，VD1,VD2,vO=vI;(2)当当vI 2V时，时，VD1 章末总结与习题讨论章末总结与习题讨论 vIV1 vI 2 i 1=R1+R2 10+10+V1=2V +vI=6sint V V2=4V+R2=10kR1=10k图 2.38+vOVD1VD2(a)vIv/Vt 6 4 2 0246vO(b)i1 1 1vO=i1R2+2=(vI2)+2=vI+1 2 2 若若 vI=6V，则，则 vO=4V.章末总结与习题讨论章末总结与习题讨论(3)当当4VvI0，VD1,VD2,vO=vI;(4)当当vI4V，VD2,vO=4V 输入输出波形如图输入输出波形如图2.38(b)所示所示.思考思考:(1)如果假设如果假设Vth0,RD=0.输出波形如何输出波形如何?(2)如果假设如果假设Vth0,RD0.输出波形如何输出波形如何?欢欢 迎迎 提提 出出 批批 评评 指指 正正 !