第八章 货物需求一览表及技术规格.docx
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1、第八章 货物需求一览表及技术规格无掩模快速微纳器件制备系统一. 设备用途说明本设备用于电子/半导体、自旋电子学、拓扑磁性、二维材料、拓扑绝缘体等微纳器件的加工;可制作掩模板;可进行三维灰阶光刻功能。二.预算:150万三. 数量:1套四. 报价币种:人民币(境内投标人)/美元(境外投标人)五. 交货方式与地点:CIP沈阳机场,中国科学院金属研究所。六. 到货日期:合同生效后6个月。七. 设备工作条件7.1 电力供应:220V(10%),50Hz 7.2 工作温度:10C-30C7.3 工作湿度: 60%7.4仪器运行的持久性:能够满足长时间连续工作且可工作于任意楼层的任意净化间。八. 设备主要技
2、术指标8.1 直写性能*8.1.1 无需物理掩膜板;*8.1.2 直写分辨率模式:0.4um,0.6m,1.0m,2.0m,和5.0m共计五个直写模式,且5种直写分辨率模式可通过软件自动切换,无需人工切换镜头;#8.1.3 最快直写速度(mm2/min):30.4m,170.6m,501m,1202m, 1805m;#8.1.4 全局对准及套刻精度:0.5um;8.1.5 灰度直写等级:256级;8.1.6 工作原理:全加工区域聚焦光斑写场式扫描直写;8.2 直写光源*8.2.1 光源波长:385nm;8.2.2 光源功率:1.5W;8.3 样品加工区#8.3.1 最大基片尺寸:230mm直径
3、;#8.3.2 最大基片厚度:15mm;8.3.3 最大加工区域:195mm195mm;8.3.4 配备X、Y、Z三维直流线性位移电机,最小XY移动步长优于50nm;8.3.5 X/Y轴最大行程不低于200mm,Z轴最大行程不小于15mm;8.3.6 套刻精度控制在0.5m以内(0.5um);8.3.7最小栅格精度不超过 100 nm;8.3.8有温控样品腔室;8.4 显微镜系统8.4.1 集成光学显微镜系统,放大倍数分别为:3/5/10/20/50,5种放大倍数可原位自动切换,同时配有原位电子成像放大系统,可电子放大5倍成像;*8.4.2 配有光学轮廓探测系统,可进行二维成像,Z向分辨率不差
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