晶体应用培训材料mej.docx
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1、晶体应用基础知识石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器,被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中,以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。一、石英晶体振荡器的基本原理1、石英晶体振荡器的结构石英晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚 上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳
2、、陶瓷或塑料封装的。2、压电效应若在石英晶体的两个电极上加一电场,晶片就会产生机械变形。反之,若在晶片的两侧施加机械压力,则在晶片相应的方向上将产生电场,这种物理现象称为压电效应。如果在晶片的两极上加交变电压,晶片就会产生机械振动,同时晶片的机械振动又会产生交变电场。在一般情况下,晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小,但当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅明显加大,比其他频率下的振幅大得多,这种现象称为压电谐振,它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。3、符号和等效电路石英晶体谐振器的符号和等效电路如图2所示。当晶体不振动时,可把它看成一个
3、平板电容器称为静电电容C,它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关,一般约几个PF到几十PF。当晶体振荡时,机械振动的惯性可用电感L来等效。一般L的值为几十mH 到几百mH。晶片的弹性可用电容C来等效,C的值很小,一般只有0.00020.1pF。晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效,它的数值约为100。由于晶片的等效电感很大,而C很小,R也小,因此回路的品质因数Q很大,可达100010000。加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何形状、尺寸有关,而且可以做得精确,因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定度。4、谐振频频率从从石英晶晶体谐振振器的等等效电路路可知,它它有
4、两个个谐振频频率,即即(1)当当L、CC、R支支路发生生串联谐谐振时,它它的等效效阻抗最最小(等等于R)。串串联揩振振频率用用fs表表示,石石英晶体体对于串串联揩振振频率ffs呈纯纯阻性,(22)当频频率高于于fs时时L、CC、R支支路呈感感性,可可与电容容C。发发生并联联谐振,其其并联频频率用ffd表示示。根根据石英英晶体的的等效电电路,可可定性画画出它的的电抗频率特特性曲线线如图22e所示示。可见见当频率率低于串串联谐振振频率ffs或者者频率高高于并联联揩振频频率fdd时,石石英晶体体呈容性性。仅在在fsfffd极窄窄的范围围内,石石英晶体体呈感性性。二二、石英英晶体振振荡器类类型特点点石
5、英英晶体振振荡器是是由品质质因素极极高的石石英晶体体振子(即即谐振器器和振荡荡电路组组成。晶晶体的品品质、切切割取向向、晶体体振子的的结构及及电路形形式等,共共同决定定振荡器器的性能能。国际际电工委委员会(IIEC)将将石英晶晶体振荡荡器分为为4类:普通晶晶体振荡荡(SPPXO),电电压控制制式晶体体振荡器器(VCCXO),温温度补偿偿式晶体体振荡(TTCXOO),恒恒温控制制式晶体体振荡(OOCXOO)。目目前发展展中的还还有数字字补偿式式晶体振振荡器(DCCXO)等等。普普通晶体体振荡器器(SPPXO)可可产生110(-5)100(-4)量量级的频频率精度度,标准准频率111000MHHZ
6、,频频率稳定定度是1000ppmm。SPPXO没没有采用用任何温温度频率率补偿措措施,价价格低廉廉,通常常用作微微处理器器的时钟钟器件。封封装尺寸寸范围从从21146mmm及53.221.5mmm。电电压控制制式晶体体振荡器器(VCCXO)的的精度是是10(-66)110(-5)量级,频频率范围围1330MHHz。低低容差振振荡器的的频率稳稳定度是是500ppmm。通常常用于锁锁相环路路。封装装尺寸11411033mm。温度补偿式晶体振荡器(TCXO)采用温度敏感器件进行温度频率补偿,频率精度达到10(-7)10(-6)量级,频率范围160MHz,频率稳定度为12.5ppm,封装尺寸从3030
7、15mm至11.49.63.9mm。通常用于手持电话、蜂窝电话、双向无线通信设备等。恒温控制式晶体振荡器(OCXO)将晶体和振荡电路置于恒温箱中,以消除环境温度变化对频率的影响。OCXO频率精度是10(-10)至10(-8)量级,对某些特殊应用甚至达到更高。频率稳定度在四种类型振荡器中最高。三、石英晶体振荡器的主要参数晶振的主要参数有标称频率,负载电容、频率精度、频率稳定度等。不同的晶振标称频率不同,标称频率大都标明在晶振外壳上。如常用普通晶振标称频率有:48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz40.50 MHz等,对于特殊要求的晶振频率可达到1000 MHz以上,也有的没有标
8、称频率,如CRB、ZTB、Ja等系列。负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和,可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率,一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振:另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以,标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一致,不能冒然互换,否则会造成电器工作不正常。频率精度和频率稳定度:由于普通晶振的性能基本都能达到一般电器的要求,对于高档设备还需要有一定的频率精度和频率稳定度。频率精度从10(-4)量级到10(-10)量级不等。稳定度从1到100p
9、pm不等。这要根据具体的设备需要而选择合适的晶振,如通信网络,无线数据传输等系统就需要更高要求的石英晶体振荡器。因此,晶振的参数决定了晶振的品质和性能。在实际应用中要根据具体要求选择适当的晶振,因不同性能的晶振其价格不同,要求越高价格也越贵,一般选择只要满足要求即可。四、石英晶体振荡器的发展趋势1、小型化、薄片化和片式化:为满足移动电话为代表的便携式产品轻、薄、短小的要求,石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装转变。例如TCXO这类器件的体积缩小了30100倍。采用SMD封装的TCXO厚度不足2mm,目前53mm尺寸的器件已经上市。2、高精度与高稳定度,目前无补偿式晶体振荡
10、器总精度也能达到25ppm,VCXO的频率稳定度在1070范围内一般可达20100ppm,而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为0.00015ppm,VCXO控制在25ppm以下。3、低噪声,高频化,在GPS通信系统中是不允许频率颤抖的,相位噪声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数。目前OCXO主流产品的相位噪声性能有很大改善。除VCXO外,其它类型的晶体振荡器最高输出频率不超过200MHz。例如用于GSM等移动电话的UCV4系列压控振荡器,其频率为6501700 MHz,电源电压2.23.3V,工作电流810mA。4、低功能,快速启动,低电压工作,低电平驱动和低电流消耗已成为一个趋势。电源
11、电压一般为3.3V。目前许多TCXO和VCXO产品,电流损耗不超过2 mA。石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。例如日本精工生产的VG2320SC型VCXO,在0.1ppm规定值范围条件下,频率稳定时间小于4ms。日本东京陶瓷公司生产的SMD TCXO,在振荡启动4ms后则可达到额定值的90%。OAK公司的1025 MHz的OCXO产品,在预热5分钟后,则能达到0.01 ppm的稳定度。五、石英晶体振荡器的应用1、石英钟走时准、耗电省、经久耐用为其最大优点。不论是老式石英钟或是新式多功能石英钟都是以石英晶体振荡器为核心电路,其频率精度决定了电子钟表的走时精度。石英晶体振荡器原理的示意
12、如图3所示,其中V1和V2构成CMOS反相器石英晶体Q与振荡电容C1及微调电容C2构成振荡系统,这里石英晶体相当于电感。振荡系统的元件参数确定了振频率。一般Q、C1及C2均为外接元件。另外R1为反馈电阻,R2为振荡的稳定电阻,它们都集成在电路内部。故无法通过改变C1或C2的数值来调整走时精度。但此时我们仍可用加接一只电容C有方法,来改变振荡系统参数,以调整走时精度。根据电子钟表走时的快慢,调整电容有两种接法:若走时偏快,则可在石英晶体两端并接电容C,如图4所示。此时系统总电容加大,振荡频率变低,走时减慢。若走时偏慢,则可在晶体支路中串接电容C。如图5所示。此时系统的总电容减小,振荡频率变高,走
13、时增快。只要经过耐心的反复试验,就可以调整走时精度。因此,晶振可用于时钟信号发生器。2、随着电电视技术术的发展展,近来来彩电多多采用5500kkHz或或5033 kHHz的晶晶体振荡荡器作为为行、场场电路的的振荡源源,经11/3的的分频得得到 1156225Hzz的行频频,其稳稳定性和和可靠性性大为提提高。面面且晶振振价格便便宜,更更换容易易。33、在通通信系统统产品中中,石英英晶体振振荡器的的价值得得到了更更广泛的的体现,同同时也得得到了更更快的发发展。许许多高性性能的石石英晶振振主要应应用于通通信网络络、无线线数据传传输、高高速数字字数据传传输等。晶体谐振器器简介一、 石英晶体原原理介绍绍
14、:(一) 石英晶体的的工作原原理:1 压电效应:沿某些晶体体的特定定方向施施加压应应力作用用时,晶晶体产生生形变,同同时产生生电极化化,其极极化强度度与压力力成正比比,称之之为正压压电效应应;反之之,在电电场作用用下,晶晶体产生生应变,应应变大小小与场强强成正比比,称之之为负压压电效应应。压电电效应的的原理是是:外力力作用下下晶格变变形引起起正负电电荷中心心分离而而产生的的。施加加应力时时,在一一个方向向上产生生脉冲电电流,取取消时,在在相反方方向产生生。2稳频原原理: 石英英晶片是是弹性体体,有其其固有频频率,同同时又由由于其为为压电体体,当外外加电场场的交变变频率与与石英晶晶片的固固有频率
15、率相接近近时,由由于负压压电效应应,石英英晶片产产生机械械谐振,此此时振幅幅最大,阻阻抗最小小,电流流最大。若若外加交交变电场场的频率率偏离石石英晶片片的固有有频率时时,阻抗抗迅速增增大,电电流也随随之迅速速减小,故其有有很好的的稳频(对频率率的选择择)作用用。5谐振等等效工作作电路: 石英英晶片经经过被电电极,上上架、封封装即成成为压电电谐振器器。当外外加电场场的交变变频率与与石英晶晶片的固固有频率率相接近近,且外外加电压压的角频频率等于石石英机械械振动的的固有谐谐振角频频率时(取取决于石石英晶体体的几何何尺寸和和切型),晶片片产生机机械谐振振,弹性性振动通通过压电电效应与与路相耦耦合,其其
16、效果等等于由LL1,CC1,RR1的串串联臂和和C0并并联组成成的谐振振回路。此此时机械械振动的的幅度最最大,相相应地晶晶体表面面所产生生的电荷荷量最大大,外电电路中电电流最大大。(二) 石英晶体的的使用:1 石英晶体谐谐振器的的使用回回路: 在振振荡电路路中,石石英晶体体谐振器器作为电电感使用用,与负负载电容容构成实实质上的的LC振振荡电路路,这一一电路称称为哈特特莱电路路。振荡电路的的起振条条件电路相应构构成1正反馈条件件:相位位角为3360OO,产生生正反馈馈回路振荡电路为为哈特莱莱电路2起振时,放放大器的的放大倍倍数11反馈回路,谐谐振器作作为电感感,与负负载电容容构成LLC路3有选频
17、网络络选频元件为为谐振器器4有由非线性性元器件件组成的的限幅电电路负阻抗-RR 在第第一个起起振条件件中,由由于谐振振回路不不是理想想矩形,故存在在不均匀匀性,具具有一定定频带的的信号作作用于回回路时,回路的的电流或或回路端端电压频频率失真真(在通通频带范范围内产产生的频频率失真真被认为为是允许许的).同样,由于回回路的电电流或端端电压对对各个频频率分量量产生的的相位移移不成线线性关系系,故不不可避免免地产生生相位失失真,这这是谐振振回路的的相频特特性,此此特性不不仅仅与与谐振器器条件有有关,还还与振荡荡电路本本身有关关。2 负载电容特特性:(1) 谐振器工作作频率范范围:(2) 串联时,LL
18、1和CC1的电电抗值相相等且符符号相反反。Fss=(11/2)*(L1*C1)1/22.只有有在Fss和Fpp之间的的阴影区区,谐振振器方表表现为感感性,可可组成振振荡回路路。(3) 振荡电路是是等效电电路是由由负阻抗抗-R和和电容CCL构成成的,CCL是由由石英晶晶体谐振振器两端端向振荡荡器看的的有效电电容量,通通常称为为负载电电容。(4) Fs和Fpp之间的的间隔代代表石英英谐振器器的可调调带宽,通过CCL可使使晶体工工作在FFs和Fpp之间的的某一点,谐谐振器在在这一区区域呈现现感性,谐谐振器与与负载串串联后,FL=FS1+C1/(C00+C11).3.激励功功率依赖赖性 激励功功率偏小
19、小时,信信噪比下下降,谐谐振器不不易起振振,其短短期稳定定性和可可靠性下下降;激激励功率率偏大时时谐振器器中晶片片温度上上升,频频率稳定定度下降降,且由由于激励励功率偏偏大,可可能引起起机械形形变超过过弹性限限度使晶晶格产生生永久位位移,甚甚至产生生不振,同同时阻抗抗上升,温温度频差差和温度度阻抗不不稳定。半半导体回回路需要要的正常常工作激激励功率率日益减减小,一一般而言言,谐振振器的激激励功率率以0.1mww为佳。 随着激励励功率的的上升,谐谐振器的的频率也也不断上上升。4.寄生响响应 所有有的石英英谐振器器都有寄寄生响应应(主振振频率之之外的非非需要频频率),寄寄生响应应的频率率值高于于主
20、振频频率,但但其振幅幅比主振振频率小小。寄生生响应的的大小用用公式AAnw=Ig(RNWW/Rrr)表示示。对于于谐振器器而言,通通常寄生生响应的的大小要要求在33-6DDB,而而滤波器器则要求求大于440DB,这这要求一一些特殊殊的技术术参数包包括具有有很小的的C1值值。 随着着频率的的上升和和泛音次次数的增增加,寄寄生响应应减小。因此在应用用晶体谐谐振器时时应对其其匹配的的电容进进行确认认,一般般IC厂厂家都会会在给出出典型电电路的同同时也给给出晶体体的规格格及负载载要求,只只不过杂杂散电容容的影响响会造成成频率的的漂移和和相位的的不稳定定,所以以晶体也也要做出出相应的的更改,因因此在使使
21、用前要要进行匹匹配测试试,主要要有几个个注意要要点:1、 激励功率的的确定,在在电路中中IC提提供给晶晶体的激激励大小小直接影影响到晶晶体工作作的稳定定性,激激励过大大会导致致晶体共共振的破破坏或蒸蒸镀电极极的蒸发发,频率率漂移或或晶体损损坏;2、 最佳电容值值的确定定,保证证精确的的频率输输出;3、 负性阻抗的的测试,如如果负阻阻过小,而而晶体谐谐振阻抗抗偏大,则则会造成成晶体难难起振或或工作不不稳定,负负阻至少少要在晶晶体谐振振阻抗的的5-110倍以以上。注:在应用用晶体谐谐振器时时应由生生产厂家家对其规规格进行行确认,一一般ICC厂家都都会在给给出典型型电路的的同时也也给出晶晶体的规规格
22、及负负载要求求,只不不过杂散散电容的的影响会会造成频频率的漂漂移和相相位的不不稳定,所所以晶体体也要做做出相应应的更改改,因此此在使用用前要进进行匹配配测试,主主要有几几个注意意要点:4、 激励功率的的确定,在在电路中中IC提提供给晶晶体的激激励大小小直接影影响到晶晶体工作作的稳定定性,激激励过大大会导致致晶体共共振的破破坏或蒸蒸镀电极极的蒸发发,频率率漂移或或晶体损损坏,对对高频激激励大晶晶体应考考虑泛音音晶体;5、 最佳电容值值的确定定,保证证精确的的频率输输出;6、 负性阻抗的的测试,如如果负阻阻过小,而而晶体谐谐振阻抗抗偏大,则则会造成成晶体难难起振或或工作不不稳定,负负阻至少少要在晶
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